N沟道20V - 0.030
- 5A SO- 8
2.7V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS5DNF20V
s
s
s
STS5DNF20V
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
< 0.040
( @ 4.5 V )
< 0.045
( @ 2.7 V )
I
D
5A
s
典型
DS
（上） = 0.030
@ 4.5 V
典型
DS
（上） = 0.037
@ 2.7 V
超低阈值
栅极驱动（ 2.7 V ）
标准大纲EASY
自动化表面贴装
SO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
双操作
总功耗在T
C
= 25°C
单人操作
价值
20
20
± 12
5
3
20
1.6
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年8月
.
1/8
STS5DNF20V
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 16V我
D
= 5A V
GS
=4.5V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
7
33
8.5
1.8
2.4
11.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
分钟。
典型值。
27
10
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
26
13
1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 5 A
V
DD
= 10 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
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- 5A SO- 8
2.7V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS5DNF20V
s
s
s
STS5DNF20V
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
< 0.040
( @ 4.5 V )
< 0.045
( @ 2.7 V )
I
D
5A
s
典型
DS
（上） = 0.030
@ 4.5 V
典型
DS
（上） = 0.037
@ 2.7 V
超低阈值
栅极驱动（ 2.7 V ）
标准大纲EASY
自动化表面贴装
SO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
双操作
总功耗在T
C
= 25°C
单人操作
价值
20
20
± 12
5
3
20
1.6
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年8月
.
1/8
STS5DNF20V
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 16V我
D
= 5A V
GS
=4.5V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
7
33
8.5
1.8
2.4
11.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
分钟。
典型值。
27
10
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
26
13
1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 5 A
V
DD
= 10 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
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