STS4NM20N
N沟道200V - 0.11Ω - 4A SO- 8
超低栅极电荷的MDmesh II MOSFET
目标数据
TYPE
STS4NM20N
s
s
s
s
s
s
V
DSS
200 V
R
DS （ ON）
< 0.13
I
D
4A
WORLDWIDE最低的栅极电荷
典型
DS
（上） = 0.11Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
低输入电容
低栅极电阻
严格的流程控制和高
生产产量
SO-8
描述
这个200V MOSFET与一个新的高级布局
带来的MDmesh技的所有独特优势
GY以更低的电压。世界范围内的设备表现出
对于任何最低的栅极电荷与导通resistance.Its定
使用，因此适合用作隔离初级开关
DC-DC转换器，电信和计算机应用程序
cations.Used结合二次侧
低电压的STripFET
TM
产品，它有助于
减少损失，提高效率
内部原理图
应用
的的MDmesh
TM
家族是非常适合于提高
功率密度使系统小型化和
更高的效率
订购信息
销售类型
STS4NM20N
记号
S4NM20N
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2003年3月
1/6
STS4NM20N
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
(4)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(*)
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 2 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1.4
670
180
12
待定
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
(*) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 100 V，I
D
= 2 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 160 V，I
D
= 4 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
待定
待定
19
3.5
11
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 100 V，I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(4)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
注： 1 。
2.
3.
4.
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
I
SD
= 2 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
89
300
6.5
待定
待定
待定
1.3
当安装在1英寸
2
FR4板，铜2盎司，T
≤
10秒。
脉冲宽度有限的安全工作区。
I
SD
≤
4 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS ，
T
j
≤
T
JMAX 。
脉冲：脉冲宽度= 400微秒，占空比为1.5％ 。
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