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双P沟道20V - 0.07
- 4A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STS4DPF20L
s
s
STS4DPF20L
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
<0.08
I
D
4A
s
典型
DS
（上） = 0.07
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理CELLULAR
手机
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C单操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100 ° C单操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25°C单操作
价值
20
20
± 16
4
2.5
16
1.6
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年2月
.
注意：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性和
电流具有被逆转
1/8
STS4DPF20L
热数据
Rthj - AMB
T
j
T
英镑
（ * ）热阻结到环境
热工作结到环境
储存温度
单人操作
双操作
62.5
78
-55至150
-55到150
° C / W
° C / W
°C
°C
(*)
当安装在0.5
2
2 oz.copper垫
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 16 V
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 250 A
I
D
= 2 A
I
D
= 2 A
分钟。
1
典型值。
1.6
0.070
0.085
马克斯。
2.5
0.08
0.10
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V
I
D
= 2 A
分钟。
典型值。
10
1350
490
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
2/8
STS4DPF20L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 24V I
D
= 4A V
GS
=5V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
25
35
12.5
5
3
16
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 2 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
分钟。
典型值。
125
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4 A
V
GS
= 0
45
36
1.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 4 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STS4DPF20L
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STS4DPF20L
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
.
.
.
5/8
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