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STS4DNF60L
N - CHANNEL 60V - 0.045Ω - 4A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STS4DNF60L
s
s
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 0.055
I
D
4A
s
典型
DS ( ON)
= 0.045
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有"单一特征
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此
a
卓越
制造业
重现。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池MANAGMENT游牧
设备
s
电源MANAGMENT IN
便携式/台式电脑
s
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在Tc = 25
o
C
单人操作
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
单人操作
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
双操作
总功耗在T
c
= 25
o
C单操作
价值
60
60
±
20
4
2.5
16
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
()
P
合计
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年12月
1/5
STS4DNF60L
热数据
R
THJ - AMB
Tj
TSTG
单人操作
双操作
最大工作结温
储存温度
*热阻结到环境
78
62.5
150
-55到150
o
o
C / W
C / W
o
C
o
C
(*)
安装在FR- 4电路板(T
≤ 10秒)
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 2 A
I
D
= 2 A
20
分钟。
1
典型值。
1.7
0.045
0.05
马克斯。
2.5
0.055
0.065
单位
V
A
I
D(上)
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 2 A
V
GS
= 0 V
分钟。
典型值。
7
1250
130
26
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STS4DNF60L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 48 V
I
D
= 2 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
待定
马克斯。
待定
单位
ns
ns
nC
nC
nC
15
4
4
25
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 48 V
R
G
= 4.7
I
D
= 4 A
V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 4 A
I
SD
= 4 A
V
r
= 20 V
V
GS
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 150
o
C
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.2
待定
单位
A
A
V
ns
nC
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STS4DNF60L
SO- 8机械数据
DIM 。
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
3.8
0.4
4.8
5.8
1.27
3.81
4.0
1.27
0.6
图8(最大)
0.14
0.015
5.0
6.2
0.65
0.35
0.19
0.25
0.1
mm
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
0.188
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.023
0.196
0.244
0.025
0.013
0.007
0.010
0.003
分钟。
典型值。
马克斯。
0.068
0.009
0.064
0.033
0.018
0.010
0.019
0016023
4/5
STS4DNF60L
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ST的标志是意法半导体公司的商标。
1998意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
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    联系人:杨小姐
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    STS4DNF60L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
STS4DNF60L
ST(意法)
22+
28000
原装原厂公司现货
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
STS4DNF60L
ST(意法)
24+
7800
SO-8
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:13528893675
联系人:朱先生
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STS4DNF60L
ST(意法)
22+
4680
SO-8
原装正品
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
STS4DNF60L
ST/意法
2418+
2500
SO-8
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
STS4DNF60L
ST(意法)
24+
10200
SO-8
原装正品热卖
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STS4DNF60L
STMicroelectronics
2418+
3000
SOIC-8
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
STS4DNF60L
ST
1844+
6852
SOP8
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
STS4DNF60L
ST
21+
12450
SOP
灵诚现货排名一定原装现货 香港
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
STS4DNF60L
ST(意法)
23+
700000
SO-8
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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联系人:陈佳隆
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STS4DNF60L
ST/意法
24+
21000
N
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