【STS4DNF60LN - CHANNEL 60V - 0.045Ω - 4A SO- 8的STr】,IC型号STS4DNF60,STS4DNF60 PDF资料,STS4DNF60经销商,ic,电子元器件-51电子网

STS4DNF60L

N - CHANNEL 60V - 0.045Ω - 4A SO- 8

的STripFET 功率MOSFET

初步数据

TYPE

STS4DNF60L

DSS

60 V

DS （ ON）

< 0.055

典型

DS （ ON）

= 0.045

标准大纲EASY

自动化表面贴装

低阈值DRIVE

描述

这是功率MOSFET的第二代

意法半导体独有"单一特征

大小 "条为基础的过程。由此产生的

晶体管显示了极高的堆积密度

对于低导通电阻，崎岖雪崩

特点和不太重要的调整措施

因此

卓越

制造业

重现。

应用

直流电机驱动

DC- DC转换器

电池MANAGMENT游牧

设备

电源MANAGMENT IN

便携式/台式电脑

SO-8

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在Tc = 25

单人操作

漏电流（连续）在T

= 100

单人操作

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25

双操作

总功耗在T

= 25

C单操作

价值

2.5

1.6

单位

()

合计

（）脉冲宽度有限的安全工作区

1998年12月

1/5

STS4DNF60L

热数据

THJ - AMB

TSTG

单人操作

双操作

最大工作结温

储存温度

*热阻结到环境

62.5

150

-55到150

C / W

(*)

安装在FR- 4电路板（T

≤ 10秒）

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试条件

= 250

= 0

分钟。

100

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压

=最大额定值

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值

门体漏

电流（V

= 0)

20 V

= 125 C

开（ *）

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压V

= V

静态漏源

阻力

= 10 V

= 4.5 V

测试条件

= 250

= 2 A

分钟。

典型值。

1.7

0.045

0.05

马克斯。

2.5

0.055

0.065

单位

D（上）

论国有漏电流V

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值

= 10 V

动态

符号

()

国际空间站

OSS

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值

= 25 V

F = 1 MHz的

= 2 A

= 0 V

分钟。

典型值。

1250

130

马克斯。

单位

2/5

STS4DNF60L

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

开启时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15 V

= 4.7

= 48 V

= 2 A

= 4.5 V

= 4 A

= 4.5 V

分钟。

典型值。

待定

马克斯。

待定

单位

关闭

符号

R（ Voff时）

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 48 V

= 4.7

= 4 A

= 4.5 V

分钟。

典型值。

待定

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

()

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 4 A

= 20 V

= 0

的di / dt = 100 A / μs的

= 150

待定

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

待定

单位

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

3/5

STS4DNF60L

SO- 8机械数据

DIM 。

分钟。

3.8

0.4

4.8

5.8

1.27

3.81

4.0

1.27

0.6

图8（最大）

0.14

0.015

5.0

6.2

0.65

0.35

0.19

0.25

0.1

典型值。

马克斯。

1.75

0.25

1.65

0.85

0.48

0.25

0.5

45 （典型值）。

0.188

0.228

0.050

0.150

0.157

0.050

0.023

0.196

0.244

0.025

0.013

0.007

0.010

0.003

分钟。

寸

典型值。

马克斯。

0.068

0.009

0.064

0.033

0.018

0.010

0.019

0016023

4/5

STS4DNF60L

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格

如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

公司意法半导体集团

澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 - 荷兰 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国

http://www.st.com

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N - CHANNEL 60V - 0.045Ω - 4A SO- 8

的STripFET 功率MOSFET

初步数据

TYPE

STS4DNF60L

DSS

60 V

DS （ ON）

< 0.055

典型

DS （ ON）

= 0.045

标准大纲EASY

自动化表面贴装

低阈值DRIVE

描述

这是功率MOSFET的第二代

意法半导体独有"单一特征

大小 "条为基础的过程。由此产生的

晶体管显示了极高的堆积密度

对于低导通电阻，崎岖雪崩

特点和不太重要的调整措施

因此

卓越

制造业

重现。

应用

直流电机驱动

DC- DC转换器

电池MANAGMENT游牧

设备

电源MANAGMENT IN

便携式/台式电脑

SO-8

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在Tc = 25

单人操作

漏电流（连续）在T

= 100

单人操作

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25

双操作

总功耗在T

= 25

C单操作

价值

2.5

1.6

单位

()

合计

（）脉冲宽度有限的安全工作区

1998年12月

1/5

STS4DNF60L

热数据

THJ - AMB

TSTG

单人操作

双操作

最大工作结温

储存温度

*热阻结到环境

62.5

150

-55到150

C / W

(*)

安装在FR- 4电路板（T

≤ 10秒）

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试条件

= 250

= 0

分钟。

100

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压

=最大额定值

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值

门体漏

电流（V

= 0)

20 V

= 125 C

开（ *）

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压V

= V

静态漏源

阻力

= 10 V

= 4.5 V

测试条件

= 250

= 2 A

分钟。

典型值。

1.7

0.045

0.05

马克斯。

2.5

0.055

0.065

单位

D（上）

论国有漏电流V

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值

= 10 V

动态

符号

()

国际空间站

OSS

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值

= 25 V

F = 1 MHz的

= 2 A

= 0 V

分钟。

典型值。

1250

130

马克斯。

单位

2/5

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电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

开启时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15 V

= 4.7

= 48 V

= 2 A

= 4.5 V

= 4 A

= 4.5 V

分钟。

典型值。

待定

马克斯。

待定

单位

关闭

符号

R（ Voff时）

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 48 V

= 4.7

= 4 A

= 4.5 V

分钟。

典型值。

待定

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

()

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 4 A

= 20 V

= 0

的di / dt = 100 A / μs的

= 150

待定

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

待定

单位

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

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SO- 8机械数据

DIM 。

分钟。

3.8

0.4

4.8

5.8

1.27

3.81

4.0

1.27

0.6

图8（最大）

0.14

0.015

5.0

6.2

0.65

0.35

0.19

0.25

0.1

典型值。

马克斯。

1.75

0.25

1.65

0.85

0.48

0.25

0.5

45 （典型值）。

0.188

0.228

0.050

0.150

0.157

0.050

0.023

0.196

0.244

0.025

0.013

0.007

0.010

0.003

分钟。

寸

典型值。

马克斯。

0.068

0.009

0.064

0.033

0.018

0.010

0.019

0016023

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使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

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如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

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http://www.st.com

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