STS4C3F30L
N沟道30V - 0.044Ω - 5A - SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS4C3F30L （ N沟道）
STS4C3F30L （ P沟道）
■
■
V
DSS
30V
30V
R
DS （ ON）
<0.055
<0.165
I
D
5A
3A
低阈值DRIVE
标准大纲，便于自动化表面
安装组件
SO-8
描述
此应用程序特定的MOSFET是第二
代意法半导体独有的“单
特征尺寸 “带为基础的进程。该
产生的晶体管显示了极高的堆积
密度低的导通电阻，坚固的雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS4C3F30L
记号
S4C3F30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2006年5月
REV 1
1/14
www.st.com
14
目录
STS4C3F30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
.......................... 6
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STS4C3F30L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
N沟道
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C S.O.
漏电流（连续的）在T
C
= 100℃ S.O.
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C D.O.
总功耗在T
C
= 25°C S.O.
储存温度
马克斯。工作结温
5
3.2
20
1.6
2
-60至150
150
30
30
± 16
2.7
1.7
11
P沟道
V
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
单位
1.脉冲宽度有限的安全工作区
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
表2中。
符号
R
THJ情况
T
l
热数据
参数
热阻结案件S.O.
热阻结案件D.O.
最大无铅焊接温度的
用途
价值
62.5
78.0
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/14
电气特性
STS4C3F30L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
(V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
N沟道
P沟道
分钟。
30
30
1
1
±100
±100
1
1
1.6
1.6
2.5
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
nA
V
V
I
DSS
V
DS
=最大额定值
N沟道
V
DS
=最大额定值， @ 125°C P沟道
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
0.044 0.055
0.145 0.165
0.051 0.065
0.160 0.20
表4 。
符号
动态
参数
试验性条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）最大值，
I
D
=3.5A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）最大值，
I
D
=2A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
6
4
220
420
115
95
23
30
9.5
4.8
2.25
1.7
1.7
2
2
7
马克斯。
单位
S
S
pF
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
g
飞秒（1）
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DD
= 24V ，我
D
= 5 A
V
GS
= 10V
P沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 3 A
V
GS
= 4.5V
（参见图24）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STS4C3F30L
电气特性
表5 。
符号
开关时间
参数
试验性条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
最大
单位
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 2.5 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
P沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图26）
13
15
27
37
10
90
3
23
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 4 A，V
GS
= 0
试验性条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
28
35
18
25
1.3
1.5
民
典型值。
最大
5
3
20
12
1.2
1.2
单位
A
A
A
A
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.
2.
N沟道
I
SD
= 3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复时间
V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
P沟道
反向恢复电荷我
SD
= 3A ，的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（参见图28）
脉冲宽度有限的安全工作区。
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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