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P沟道45V - 0.080
- 3A SO- 8
的STripFET MOSFET PLUS肖特基整流器
主要产品特性
MOSFET
肖特基
V
DSS
45 V
I
F（ AV ）
3A
R
DS （ ON）
< 0.11
V
RRM
45 V
I
D
3A
V
F（ MAX）的
0.51 V
STS3DPFS45
描述
该产品相关联的最新的低电压
StripFET在p沟道版本到一个低压降
肖特基二极管。这样的配置是非常
多才多艺的实施，种类繁多的DC-DC
转换为打印机，便携式设备，并
蜂窝电话。
SO-8
内部原理图
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
戴恩 - 源极电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
价值
45
45
± 16
3
1.9
12
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
肖特基绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向柯伦
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
关键的增长速度反向电压
T
L
=125
o
C
δ
=0.5
TP = 10毫秒
正弦
tp=2
s
F = 1千赫
tp=100
s
价值
45
20
3
75
1
1
10000
单位
V
A
A
A
A
A
V / μs的
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
注意：对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
2002年2月
.
1/8
STS3DPFS45
TERMAL数据
Rthj - AMB
Rthj - AMB
T
英镑
T
j
热阻结到环境的MOSFET
热阻结到环境肖特基
存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的
最大
62.5
100
-65到150
150
o
C / W
o
C / W
o
C
o
C
（ * ）安装在FR- 4电路板（稳态）
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 16 V
分钟。
45
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
I
GSS
ON
(1)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 1.5 A
3
分钟。
2
典型值。
3
0.080
马克斯。
4
0.11
单位
V
A
SCHOTTCKY静态电气特性
符号
I
R(*)
V
F(*)
参数
相反的漏电流
正向电压降
测试条件
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
V
R
= 45 V
V
R
= 45 V
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A
分钟。
典型值。
0.03
0.42
马克斯。
0.2
100
0.51
0.46
单位
mA
mA
mA
mA
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）最大值
I
D
=1.5A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4
1190
200
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STS3DPFS45
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 1.5 A
V
DD
= 20 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 20V我
D
= 3A V
GS
=10V
分钟。
典型值。
20
25
24.5
4
5.5
33
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
测试条件
I
D
= 1.5 A
V
DD
= 20 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
钳
= 32 V
R
G
= 4.7,
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
100
22
95
11
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 3 A
V
GS
= 0
40
85
3.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 3 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STS3DPFS45
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STS3DPFS45
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
.
.
.
5/8
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