STS3DPFS40
P沟道40V - 0.070Ω - 3A SO- 8
的STripFET MOSFET PLUS肖特基整流器
初步数据
主要产品特性
MOSFET
V
DSS
40 V
肖特基
I
F（ AV ）
3A
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.1
V
RRM
40 V
I
D
3A
V
F（ MAX）的
0.51 V
SO-8
描述
该产品相关联的最新的低电压
StripFET在p沟道版本到一个低压降
肖特基二极管。这样的配置是非常ver-
satile实施，种类繁多的DC-DC
转换为打印机，便携式设备和CEL-
细胞性手机。
内部原理图
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
价值
40
40
±
16
3
1.9
12
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
肖特基绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
关键的增长速度反向电压
TL = 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2
s
F = 1kHz时
TP = 100
s
价值
40
20
3
75
1
1
10000
单位
V
A
A
A
A
A
V / μs的
1/6
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2000年11月
注：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性
和电流具有被逆转
STS3DPFS40
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 20 V，I
D
= 3 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
25
24.5
4
5.5
33
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 20 V，I
D
= 1.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
钳
= 32 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
100
22
20
11
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 3 A，V
GS
= 0
I
SD
= 3 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 15 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
34
45
2.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
2
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
SCHOTTCKY静态ELETTRICAL特性
符号
I
R
(*)
V
F
(*)
参数
相反的漏电流
正向电压降
测试条件
T
J
= 25
°C
, V
R
= 30 V
T
J
= 125
°C
, V
R
= 30 V
T
J
= 25
°C
, I
F
= 3 A
T
J
= 125
°C
, I
F
= 3 A
分钟。
典型值。
0.03
0.42
马克斯。
0.2
100
0.51
0.46
单位
mA
mA
V
V
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STS3DPFS40
P沟道40V - 0.070Ω - 3A SO- 8
的STripFET MOSFET PLUS肖特基整流器
初步数据
主要产品特性
MOSFET
V
DSS
40 V
肖特基
I
F（ AV ）
3A
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.1
V
RRM
40 V
I
D
3A
V
F（ MAX）的
0.51 V
SO-8
描述
该产品相关联的最新的低电压
StripFET在p沟道版本到一个低压降
肖特基二极管。这样的配置是非常ver-
satile实施，种类繁多的DC-DC
转换为打印机，便携式设备和CEL-
细胞性手机。
内部原理图
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
价值
40
40
±
16
3
1.9
12
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
肖特基绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
关键的增长速度反向电压
TL = 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2
s
F = 1kHz时
TP = 100
s
价值
40
20
3
75
1
1
10000
单位
V
A
A
A
A
A
V / μs的
1/6
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2000年11月
注：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性
和电流具有被逆转
STS3DPFS40
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 20 V，I
D
= 3 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
25
24.5
4
5.5
33
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 20 V，I
D
= 1.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
钳
= 32 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
100
22
20
11
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 3 A，V
GS
= 0
I
SD
= 3 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 15 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
34
45
2.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
2
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
SCHOTTCKY静态ELETTRICAL特性
符号
I
R
(*)
V
F
(*)
参数
相反的漏电流
正向电压降
测试条件
T
J
= 25
°C
, V
R
= 30 V
T
J
= 125
°C
, V
R
= 30 V
T
J
= 25
°C
, I
F
= 3 A
T
J
= 125
°C
, I
F
= 3 A
分钟。
典型值。
0.03
0.42
马克斯。
0.2
100
0.51
0.46
单位
mA
mA
V
V
3/6
QQ：2880707522 复制
