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STS3DPFS30
P - 通道30V - 0.065Ω - 3A - S0-8
的STripFET
MOSFET PLUS肖特基整流器
初步数据
主要产品特性
MOSFET
V
DSS
30V
肖特基
I
F（ AV ）
3A
R
DS （ ON）
0.09
V
RRM
30V
I
D
3A
V
F（ MAX）的
0.51V
SO-8
描述：
该产品相关联的最新的低电压
的STripFET
在p沟道版本到一个低压降
肖特基二极管。这样的配置是非常
多才多艺的实施，种类繁多的DC-DC
转换为打印机，便携式设备，并
蜂窝电话。
内部原理图
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
价值
30
30
±
20
3
1.9
12
2
单位
V
V
V
A
A
A
W
肖特基绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
关键的增长速度反向电压
T
L
=125 C
δ
=0.5
TP = 10毫秒
正弦
tp=2
s
F = 1千赫
tp=100
s
o
价值
30
20
3
75
1
1
10000
单位
V
A
A
A
A
A
V / μs的
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
注意：对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
1999年2月
1/5
STS3DPFS30
热数据
R
THJ - AMB
R
THJ - AMB
T
英镑
T
j
（ * ）热阻结到环境的MOSFET
（ * ）热阻结ambientSCHOTTKY
存储温度范围
最大
结温
(*)
安装在FR- 4电路板（稳态）
85
100
-65到150
150
o
o
C / W
C / W
o
C
o
C
MOSFET电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零
门
电压V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体
泄漏V
GS
=
±
20 V
电流（V
DS
= 0)
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源V
GS
= 10V
阻力
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 1.5 A
3
分钟。
2
典型值。
3
0.065
马克斯。
4
0.09
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
F = 1 MHz的
I
D
=1.5 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
1600
500
125
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25 V
输入电容
输出电容
反向
转让
电容
2/5
STS3DPFS30
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 15 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
15
29
23
4.2
5.8
30
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
钳
= 24 V
I
D
= 3 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（感性负载，参见图5 ）
分钟。
典型值。
11
11
23
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极
当前
（脉冲的）
正向电压上
反向
时间
反向
收费
反向
当前
I
SD
= 3 A
V
GS
= 0
34
45
2.6
我恢复
SD
= 3 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 15V
T
j
= 150
o
C
恢复（见测试电路，图5）
恢复
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
2
单位
A
A
V
ns
nC
Α
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
SCHOTTCKY静态ELETTRICAL特性
符号
I
R
()
V
F
()
参数
反转
当前
测试条件
V
R
=30V
V
R
=30V
I
F
=3A
I
F
=3A
分钟。
典型值。
0.03
0.46
马克斯。
0.2
100
0.51
0.46
单位
mA
mA
V
V
泄漏牛逼
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25 C
T
J
= 125
o
C
o
正向电压降
3/5
STS3DPFS30
SO- 8机械数据
DIM 。
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
3.8
0.4
4.8
5.8
1.27
3.81
4.0
1.27
0.6
图8（最大）
0.14
0.015
5.0
6.2
0.65
0.35
0.19
0.25
0.1
mm
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 （典型值）。
0.188
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.023
0.196
0.244
0.025
0.013
0.007
0.010
0.003
分钟。
寸
典型值。
马克斯。
0.068
0.009
0.064
0.033
0.018
0.010
0.019
0016023
4/5
STS3DPFS30
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SMBJ5350B
SI-50009-F
STPS3H100
SD-A29KLC9-FREQ
SDR3G
SU-B32AN9F-FREQ
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