STS3DPF30L
双P - 通道30V - 0.145Ω - 3A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STS3DPF30L
s
s
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
< 0.16
I
D
3A
s
典型
DS ( ON)
= 0.145
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有的"Single特征大小
"条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remarka-
BLE制造重复性。
应用
s
电池MANAGMENT游牧
设备
s
电源MANAGMENT蜂窝
手机
s
DC-DC变换器
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在Tc = 25
o
C
单人操作
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
单人操作
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
双操作
总功耗在T
c
= 25
o
C单操作
价值
30
30
±
20
3
1.9
12
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
()
P
合计
( )脉冲宽度有限的安全工作区
注意:对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
2000年5月
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STS3DPF30L
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