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STS3DPF30L
双P - 通道30V - 0.145Ω - 3A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STS3DPF30L
s
s
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
< 0.16
I
D
3A
s
典型
DS ( ON)
= 0.145
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有的"Single特征大小
"条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remarka-
BLE制造重复性。
应用
s
电池MANAGMENT游牧
设备
s
电源MANAGMENT蜂窝
手机
s
DC-DC变换器
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在Tc = 25
o
C
单人操作
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
单人操作
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
双操作
总功耗在T
c
= 25
o
C单操作
价值
30
30
±
20
3
1.9
12
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
()
P
合计
( )脉冲宽度有限的安全工作区
注意:对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
2000年5月
1/5
STS3DPF30L
热数据
R
THJ - AMB
Tj
TSTG
*热阻结到环境
单人操作
双操作
最大工作结温
储存温度
78
62.5
150
-55到150
o
o
C / W
C / W
o
C
o
C
(*)
安装在FR- 4电路板(T
≤ 10秒)
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 1.5 A
I
D
= 1.5 A
3
分钟。
1
典型值。
1.6
0.145
0.18
马克斯。
2.5
0.16
0.19
单位
V
A
I
D(上)
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 3 A
V
GS
= 0 V
分钟。
典型值。
3
510
170
55
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STS3DPF30L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
(电阻性负载,参见图3)
V
DD
= 24 V I
D
= 3 A V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
14.5
37
5.5
1.7
1.8
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
(六中)D
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
(电阻性负载,参见图3)
分钟。
典型值。
88
23
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=3 A
V
GS
= 0
t.b.d
I
SD
= 3 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 15 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
1.2
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STS3DPF30L
SO- 8机械数据
DIM 。
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
3.8
0.4
4.8
5.8
1.27
3.81
4.0
1.27
0.6
图8(最大)
0.14
0.015
5.0
6.2
0.65
0.35
0.19
0.25
0.1
mm
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
0.188
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.023
0.196
0.244
0.025
0.013
0.007
0.010
0.003
分钟。
典型值。
马克斯。
0.068
0.009
0.064
0.033
0.018
0.010
0.019
0016023
4/5
STS3DPF30L
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如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
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ST的标志是意法半导体公司的商标。
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联系人:米小姐,黄小姐
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