【双P沟道20V - 0.090- 3A SO- 8的STripFET 功率MOSFETTYPESTS】,IC型号STS3DPF20V,STS3DPF20V PDF资料,STS3DPF20V经销商,ic,电子元器件-51电子网

双P沟道20V - 0.090

- 3A SO- 8

的STripFET 功率MOSFET

TYPE

STS3DPF20L

STS3DPF20V

DSS

20 V

DS （ ON）

<0.11

典型

（上） = 0.090

@ 4.5 V

典型

（上） = 0.1

@ 2.7 V

标准大纲EASY

自动化表面贴装

超低阈值

栅极驱动（ 2.7 V ）

SO-8

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性，坚固耐用的雪崩特性和

不太重要的调整，因此步骤remark-

能够制造重复性。

应用

电池管理游牧

设备

手机应用

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C单操作

漏电流（连续）在T

= 100 ° C单操作

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C双操作

总功耗在T

= 25°C单操作

价值

± 12

1.9

1.6

单位

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

2002年6月

注意：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性和

电流具有被逆转

1/8

STS3DPF20V

热数据

Rthj - AMB

英镑

（ * ）热阻结到环境

热工作结到环境

储存温度

单人操作

双操作

62.5

-55至150

-55到150

° C / W

°C

(*)

当安装在0.5

2 oz.copper垫

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

= ± 12 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 4.5 V

= 2.7 V

= 250 A

= 1.5 A

分钟。

0.6

0.090

0.100

0.110

0.135

典型值。

马克斯。

单位

动态

符号

飞秒（*）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

= 15 V

= 2 A

分钟。

典型值。

7.5

500

140

马克斯。

单位

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

2/8

STS3DPF20V

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 1.5 A

= 10 V

= 4.7

= 4.5 V

（阻性负载，图1 ）

= 10V我

= 3A V

=5V

（见测试电路，图2 ）

分钟。

典型值。

6.2

1.4

8.5

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 1.5 A

= 10 V

= 4.7,

= 4.5 V

（阻性负载，图1 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM （

)

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 3 A

= 0

1.3

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

的di / dt = 100A / μs的

= 3 A

= 15 V

= 150°C

（见测试电路，图3 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/8

STS3DPF20V

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/8

STS3DPF20V

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度

5/8

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