STS3DNF30L
N - CHANNEL 30V - 0.055Ω - 3.5A - SO- 8
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STS3DNF30L
s
s
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
< 0.065
I
D
3.5 A
s
典型
DS ( ON)
= 0.055
标准大纲EASY
计算机自动面传热贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度
低导通电阻,坚固耐用的雪崩字符
开创性意义和不太重要的调整措施,因此
一个了不起的制造重复性。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
S
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
单人操作
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
单人操作
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
双操作
总功耗在T
c
= 25
o
C单操作
价值
30
30
±
20
3.5
2.2
14
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
()
P
合计
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年12月
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STS3DNF30L
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