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STS3DNF30L
N - CHANNEL 30V - 0.055Ω - 3.5A - SO- 8
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STS3DNF30L
s
s
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
< 0.065
I
D
3.5 A
s
典型
DS ( ON)
= 0.055
标准大纲EASY
计算机自动面传热贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度
低导通电阻,坚固耐用的雪崩字符
开创性意义和不太重要的调整措施,因此
一个了不起的制造重复性。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
S
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
单人操作
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
单人操作
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
双操作
总功耗在T
c
= 25
o
C单操作
价值
30
30
±
20
3.5
2.2
14
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
()
P
合计
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年12月
1/5
STS3DNF30L
热数据
R
THJ - AMB
T
J
T
英镑
*热阻结到环境辛格操作最大
热阻结到环境双操作最大
最大无铅焊接温度的目的
储存温度
78
62.5
150
-55到150
o
o
C / W
C / W
o
C
o
C
(*)安装在FR-4板(叔
10秒)
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
栅源漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 1.75 A
I
D
= 1.75 A
3.5
分钟。
1
典型值。
1.7
0.055
0.06
马克斯。
2.5
0.065
0.09
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 6 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
6
420
62
20
550
80
30
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STS3DNF30L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 24 V
I
D
=4 A
I
D
= 2 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
13
30
8
3.2
2.6
马克斯。
17
40
11
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 24 V
R
G
= 4.7
I
D
= 4 A
V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
5
9
20
马克斯。
7
12
26
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 3.5 A
I
SD
= 4 A
V
DD
= 15 V
V
GS
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 150
o
C
23
0.134
1.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3.5
14
1.2
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STS3DNF30L
SO- 8机械数据
DIM 。
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
3.8
0.4
4.8
5.8
1.27
3.81
4.0
1.27
0.6
图8(最大)
0.14
0.015
5.0
6.2
0.65
0.35
0.19
0.25
0.1
mm
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
0.188
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.023
0.196
0.244
0.025
0.013
0.007
0.010
0.003
分钟。
典型值。
马克斯。
0.068
0.009
0.064
0.033
0.018
0.010
0.019
0016023
4/5
STS3DNF30L
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ST的标志是意法半导体公司的商标。
1998意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
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新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
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    STS3DNF30L
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联系人:何小姐
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STS3DNF30L
ST
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ST
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ST
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地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
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ST
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