STS3C2F100
N沟道100V - 0.110
- 3A SO- 8
P沟道100V - 0.320
- 1.5A SO- 8
对互补的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STS3C2F100(N-Channel)
STS3C2F100(P-Channel)
■
■
■
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.145
< 0.380
I
D
3.0 A
1.5 A
■
■
典型
DS
（上）（ N沟道） = 0.110
典型
DS
（上） （ P沟道）= 0.320
标准大纲EASY
自动化表面贴装
超低栅极电荷
超低导通电阻
SO-8
描述
该MOSFET是第二代STMicroelec-的
tronis独特"Single特征大小 "条为基础的亲
塞斯。由此产生的晶体管显示了极高的
堆积密度低的导通电阻，坚固的雪崩
的特性，因此不太关键的对准步骤
一个了不起的制造重复性。
内部原理图
应用
■
直流电机驱动
■
音频放大器器
订购信息
销售类型
STS3C2F100
记号
S3C2F100
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k
)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
N沟道
100
100
± 20
3.0
1.9
12
2
-55到150
150
1.5
1.0
6
P沟道
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
2004年6月
.
注意：电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性
已被逆转
Rev.1.0.1
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STS3C2F100
电气特性
（续）
TAB.5
接通
符号
t
D（上）
t
r
参数
导通延迟时间
测试条件
N沟道
V
DD
= 50 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
P沟道
V
DD
= 50 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图1 ）
N沟道
V
DD
= 80V我
D
=3A
V
GS
=10V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
16
14
25
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
上升时间
Qg
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
P沟道
15
20
3.7
2.0
4.7
6.0
20
27
nC
nC
nC
nC
nC
nC
N沟道
P沟道
V
DD
= 80V我
D
= 1.5A V
GS
= 10V P沟道
N沟道
（见测试电路，图2 ）
P沟道
TAB.6
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
测试条件
N沟道
V
DD
= 50 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
P沟道
V
DD
= 50 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图1 ）
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
32
33
20
7.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
下降时间
TAB.7
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
(
)
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
I
SD
= 3 A
I
SD
= 1.5 A
V
GS
= 0
V
GS
= 0
测试条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
90
65
230
175
5.0
5.4
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
1.5
12
6.0
1.2
1.2
单位
A
A
A
A
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
N沟道
I
SD
= 3 A
的di / dt = 100A /
s
V
DD
= 50 V
T
j
=150
o
C
P沟道
I
SD
= 1.5 A的di / dt = 100A /
s
V
DD
= 50 V
T
j
=150
o
C
（见测试电路，图3 ）
(
)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
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