STS2DNF30L
双N沟道30V - 0.09Ω - 3A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STS2DNF30L
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.11
I
D
3A
标准大纲，便于自动化表面
安装组件
门槛低栅极驱动
S0-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
订货编号
产品型号
STS2DNF30L
记号
S2DNF30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2007年5月
REV 6
1/12
www.st.com
12
目录
STS2DNF30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
电气特性
STS2DNF30L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±18V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 5V ，我
D
= 1A
1
1.7
0.09
0.13
分钟。
30
1
10
±100
2.5
0.11
0.15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 24V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）最大值
I
D
=2.5A
分钟。
典型值。
2.5
121
45
11
4.5
1.7
0.9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
=1A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图12）
V
DD
= 15 V，I
D
=1A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图12）
分钟。
典型值。
19
20
12
8
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
4/12
STS2DNF30L
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2A ，V
GS
= 0
I
SD
= 2A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图14）
19
8.1
0.85
测试条件
分钟。
典型值。
最大
3
12
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/12
STS2DNF30L
双N沟道30V - 0.09Ω - 3A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS2DNF30L
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.011
I
D
3A
标准大纲，便于自动化表面
安装组件
门槛低栅极驱动
S0-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS2DNF30L
记号
S2DNF30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2007年1月
第5版
1/12
www.st.com
12
目录
STS2DNF30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
电气特性
STS2DNF30L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±18V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 5V ，我
D
= 1A
1
1.7
0.09
0.13
分钟。
30
1
10
±100
2.5
0.011
0.15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 24V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）最大值
I
D
=2.5A
分钟。
典型值。
2.5
121
45
11
4.5
1.7
0.9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
=1A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图12）
V
DD
= 15 V，I
D
=1A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图12）
分钟。
典型值。
19
20
12
8
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
4/12
STS2DNF30L
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2A ，V
GS
= 0
I
SD
= 2A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图14）
19
8.1
0.85
测试条件
分钟。
典型值。
最大
3
12
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/12
N沟道30V - 0.09
- 3A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STS2DNF30L
s
s
STS2DNF30L
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.011
I
D
3A
s
典型
DS
（上） = 0.09
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
2002年2月
.
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25 ° C单操作
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
± 18 V
3
1.9
9
1.6
2
-55到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
1/8
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
STS2DNF30L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 1 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 24V I
D
= 2A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
19
20
4.5
1.7
0.9
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 1 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
12
8
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2 A
V
GS
= 0
19
8.1
0.85
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
12
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 2 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
QQ：2881677436 复制
