S T S 2620
S amHop微电子 ORP 。
F EB , 25 2005年V er1.1
双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道)
P ODUC牛逼S UMMAR
( N-C hannel )
V
DS S
20V
P ODUC牛逼S UMMAR
(P - C hannel )
V
DS S
-20V
I
D
2.5A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
I
D
-2A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
80 @ V
的s
= 4.5V
110 @ V
的s
= 2.5V
D1
130 @ V
的s
= -4.5V
190 @ V
的s
= -2.5V
D2
TS OP 6
顶视图
G1
S1
G2
1
2
3
6
5
4
D1
S2
D2
G1
S1
N沟道
G2
S2
P -CH
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T = 25℃
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
N-C hannel P-C hannel
20
10
2.5
8
1.25
1.0
-55到150
-20
10
-2
-7
-1.25
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ,结到环境
a
R
JA
125
C / W
1
S T S 2620
电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.25A
V
GS
= 0V ,是= -1.25A
N沟道
P沟道
最小典型最大单位
0.84
-0.85
1.2
-1.2
C
漏源二极管的特性
b
5
V
笔记
a.Surface安装在FR4板,T
<
10sec.
b.Pulse测试:脉冲宽度
<
300μS ,占空比
<
2%.
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
N沟道
20
V
的s
=10V
16
V
的s
=4V
15
25 C
12
-55 C
V
的s
=4.5V
I
D
,排水光凭目前 (A )
I
D
,排水光凭目前 (A )
V
的s
=3V
12
T J = 125℃
9
6
8
V
的s
=2V
4
0
3
0
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
F igure 1输出C haracteris抽动
2.2
500
400
300
200
100
RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
0
C为S
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=4.5V
I
D
=2.5A
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
归
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
C,C apacitance (PF )
OS s
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T J ( C)
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
4
S T S 2620
N-C hannel
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
1.3
I
D
=250uA
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
5
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
以T emperature
12
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
g
F小号
,T失败者电导( S)
8
6
4
2
0
0
3
6
9
V
DS
=5V
12
15
是,S环境允许的漏电流( A)
10
10
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
T
J
=25 C
2.0
2.4
I
DS
,排水-S环境允许光凭目前 (A )
V
S.D。
,B ODY二极管F orward V oltage ( V)
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
5