STS1NK60Z
N沟道600V - 13Ω - 0.25A - SO- 8
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STS1NK60Z
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 15
I
D
0.25 A
Pw
2W
典型
DS
（上） = 13Ω
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
SO-8
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
AC转接器和电池充电器
SWITH模式电源（ SMPS ）
订购信息
销售类型
STS1NK60Z
记号
S1NK60Z
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2003年6月
1/8
STS1NK60Z
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
价值
600
600
± 30
0.25
0.16
1
2
0.016
800
4.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤0.3A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
热数据
Rthj - AMB
热阻结到环境最大
62.5
° C / W
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/8
STS1NK60Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.4 A
3
3.75
13
分钟。
600
1
50
±10
4.5
15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= V
,
I
D
= 0.4 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
0.5
94
17.6
2.8
11
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.4 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 0.8 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
5.5
5
4.9
1
2.7
6.9
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.4A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 0.8A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
13
28
28
12.5
48
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 0.25A ，V
GS
= 0
I
SD
= 0.8 A ， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
140
224
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.25
1
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STS1NK60Z
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 15
I
D
0.25 A
Pw
2W
典型
DS
（上） = 13Ω
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
SO-8
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
AC转接器和电池充电器
SWITH模式电源（ SMPS ）
订购信息
销售类型
STS1NK60Z
记号
S1NK60Z
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2003年6月
1/8
STS1NK60Z
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
价值
600
600
± 30
0.25
0.16
1
2
0.016
800
4.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤0.3A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
热数据
Rthj - AMB
热阻结到环境最大
62.5
° C / W
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/8
STS1NK60Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.4 A
3
3.75
13
分钟。
600
1
50
±10
4.5
15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= V
,
I
D
= 0.4 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
0.5
94
17.6
2.8
11
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.4 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 0.8 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
5.5
5
4.9
1
2.7
6.9
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.4A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 0.8A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
13
28
28
12.5
48
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 0.25A ，V
GS
= 0
I
SD
= 0.8 A ， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
140
224
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.25
1
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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