STS17NH3LL
N沟道30 V - 0.004
- 17 A - SO- 8
的STripFET 功率MOSFET的DC- DC转换器
特点
TYPE
STS17NH3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0057
I
D
17A
(1)
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
■
■
■
■
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
改进的结外壳热阻
低阈值设备
SO-8
应用
■
开关应用
图1 。
内部原理图
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这个过程加上独特的金属化
技术，实现了最先进的低
在电压功率MOSFET的SO - 8生产过。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
17H3LL-
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
STS17NH3LL
2007年12月
REV 3
1/12
www.st.com
12
目录
STS17NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STS17NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
TOT （1）
T
英镑
Tj
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
-55到150
工作结温
°C
价值
30
± 16
17
10.6
68
2.7
单位
V
V
A
A
A
W
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
RthJ -PCB
(1)
热阻
参数
热阻结到环境最大
价值
47
单位
° C / W
1.当安装在1inch FR-4板，Cu和t< 10秒的2盎司
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n =我
AV
)
价值
7.5
150
单位
A
mJ
3/12
STS17NH3LL
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 8.5 A
R
G
= 4.7
, V
GS
= 10 V
（参见图16）
V
DD
= 15 V，I
D
= 8.5 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图16）
民
典型值。
8
65
38
20
最大单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，T
j
= 25°C
（参见图15）
22
32
1.9
测试条件
民
典型值。
最大单位
17
68
1.3
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STS17NH3LL
N沟道30V - 0.004Ω - 17A - SO- 8
的STripFET 功率MOSFET的DC- DC转换器
一般特点
TYPE
STS17NH3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0057
I
D
17A
(1)
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
■
■
■
■
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
改进的结外壳热阻
低阈值设备
SO-8
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这个过程加上独特的金属化
技术，实现了最先进的低
在电压功率MOSFET的SO - 8生产过。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS17NH3LL
记号
17H3LL-
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2007年1月
REV 2
1/12
www.st.com
12
目录
STS17NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STS17NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
TOT （1）
T
英镑
Tj
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
-55到150
工作结温
°C
价值
30
± 16
17
10.6
68
2.7
单位
V
V
A
A
A
W
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
RthJ -PCB
(1)
热阻
参数
热阻结到环境最大
价值
47
单位
° C / W
1.当安装在1inch FR-4板，Cu和t< 10秒的2盎司
3/12
STS17NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.5A
R
G
= 4.7 , V
GS
= 10V
（参见图15）
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.5A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
（参见图15）
民
典型值。
8
65
38
20
最大单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17A ，V
GS
= 0
I
SD
= 17A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 15V ，T
j
= 25°C
（参见图14）
22
32
1.9
测试条件
民
典型值。
最大单位
17
68
1.3
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STS17NH3LL
N沟道30V - 0.004Ω - 17A - SO- 8
的STripFET 功率MOSFET的DC- DC转换器
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STS17NH3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0057
I
D
17A
(1)
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
■
■
■
■
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
改进的结外壳热阻
低阈值设备
SO-8
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这个过程加上独特的金属化
技术，实现了最先进的低
在电压功率MOSFET的SO - 8生产过。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS17NH3LL
记号
S17NH3LL
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2006年8月
REV 1
1/9
www.st.com
9
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
电气额定值
STS17NH3LL
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
TOT （1）
T
英镑
Tj
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
-55到150
工作结温
°C
价值
30
± 16
17
10.6
68
2.7
单位
V
V
A
A
A
W
1.该值是根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
RthJ -PCB
(1)
热阻
参数
热阻结到环境最大
价值
47
单位
° C / W
1.当安装在1inch FR-4板，Cu和t< 10秒的2盎司
2/9
电气特性
STS17NH3LL
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.5A
R
G
= 4.7 , V
GS
= 10V
（参见图1）
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.5A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
（参见图1）
民
典型值。
8
65
38
20
最大单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17A ，V
GS
= 0
I
SD
= 17A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 15V ，T
j
= 25°C
（参见图6）
22
32
1.9
测试条件
民
典型值。
最大单位
17
68
1.3
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/9
QQ：2881677436 复制
