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STS01DTP06
双NPN -PNP互补双极晶体管
一般特点
V
CE ( SAT )
0.35V
h
FE
>100
I
C
1A
高增益
低V
CE ( SAT )
简化的电路设计
减少元件数量
SO-8
应用
推挽或图腾柱结构
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机,继电器和螺线管驱动
内部原理图
描述
该STS01DTP06是一种混合双NPN -PNP
互补的功率双极晶体管
通过使用最新的低电压制造
平面techlogy 。该STS01DTP06装在
双岛SO- 8封装的分离
终端更高的装配灵活性,
特别建议在使用推拉
或图腾柱配置后IGBT和
MOSFET的驱动程序。
订购代码
产品型号
STS01DTP06
记号
S01DTP06
SO-8
填料
磁带&卷轴
2006年3月
REV 2
1/11
www.st.com
11
目录
STS01DTP06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性(曲线)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
2/11
STS01DTP06
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
NPN
价值
PNP
-60
-30
-5
-3
-6
-1
-2
2
1.6
-65到150
150
V
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
P
<为5ms )
基极电流
基峰电流(T
P
<毫秒)
总功耗在T
c
= 25°C单
总功耗在T
c
= 25°C夫妇
储存温度
马克斯。工作结温
60
30
5
3
6
1
2
表2中。
符号
热数据
参数
价值
62.5
78
单位
° C / W
° C / W
R
THJ - AMB
1
热阻结到环境的____ M__mMax
(单人操作)
R
THJ - AMB
1
热阻结到环境的____ M__mMax
(双操作)
1
当安装在2盎司的1平方英寸的垫。铜,T
10秒
.
3/11
电气特性
STS01DTP06
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Q1 - NPN晶体管的电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
= 60V
V
CE
= 30V
V
EB
= 5V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
1
1
单位
A
A
A
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
I
C
= 10毫安
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
C
= 1A
I
C
= 1A
I
C
= 3A
I
B
= 10毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 10毫安
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
30
0.35
1
0.7
1.1
V
V
V
V
V
CE (饱和)(1)
V
BE (饱和)(1)
h
FE (1)
0.85
100
30
1.脉冲:脉冲持续时间= 300毫秒,占空比
1.5 %
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Q2- PNP晶体管的电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
= -60V
V
CE
= -30V
V
EB
= -5V
分钟。
典型值。
马克斯。
-0.1
-1
-1
单位
A
A
A
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= -10mA
I
C
= -1A
I
C
= -2A
I
B
= -10mA
I
B
= -100mA
-30
-0.35
-1
-0.7
V
V
V
V
CE (饱和)(1)
4/11
STS01DTP06
表4 。
符号
V
BE (饱和)(1)
h
FE (1)
Q2- PNP晶体管的电气特性
参数
基射极饱和
电压
直流电流增益
测试条件
I
C
= -1A
I
C
= -1A
I
C
= -3A
I
B
= -10mA
V
CE
= -2V
V
CE
= -2V
100
30
分钟。
典型值。
-0.85
马克斯。
-1.1
单位
V
1.脉冲:脉冲持续时间= 300毫秒,占空比
1.5 %
2.1
电气特性(曲线)
图1 。
反向偏置区域Q1 NPN型如图2所示。
晶体管
直流电流增益的NPN Q1
晶体管
网络连接gure 3 。
直流电流增益的NPN Q1
晶体管
图4中。
集电极 - 发射极饱和
电压Q1 NPN晶体管
5/11
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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