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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第16页 > STS01DTP06
STS01DTP06
双NPN -PNP互补双极晶体管
一般特点
V
CE （ SAT ）
0.35V
■
■
■
■
h
FE
>100
I
C
1A
高增益
低V
CE （ SAT ）
简化的电路设计
减少元件数量
SO-8
应用
■
■
■
推挽或图腾柱结构
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机，继电器和螺线管驱动
内部原理图
描述
该STS01DTP06是一种混合双NPN -PNP
互补的功率双极晶体管
通过使用最新的低电压制造
平面techlogy 。该STS01DTP06装在
双岛SO- 8封装的分离
终端更高的装配灵活性，
特别建议在使用推拉
或图腾柱配置后IGBT和
MOSFET的驱动程序。
订购代码
产品型号
STS01DTP06
记号
S01DTP06
包
SO-8
填料
磁带&卷轴
2006年3月
REV 2
1/11
www.st.com
11
目录
STS01DTP06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性（曲线）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
2/11
STS01DTP06
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
NPN
价值
PNP
-60
-30
-5
-3
-6
-1
-2
2
1.6
-65到150
150
V
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
<为5ms ）
基极电流
基峰电流（T
P
<毫秒）
总功耗在T
c
= 25°C单
总功耗在T
c
= 25°C夫妇
储存温度
马克斯。工作结温
60
30
5
3
6
1
2
表2中。
符号
热数据
参数
价值
62.5
78
单位
° C / W
° C / W
R
THJ - AMB
1
热阻结到环境的____ M__mMax
（单人操作）
R
THJ - AMB
1
热阻结到环境的____ M__mMax
（双操作）
1
当安装在2盎司的1平方英寸的垫。铜，T
≤
10秒
.
3/11
电气特性
STS01DTP06
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Q1 - NPN晶体管的电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
= 60V
V
CE
= 30V
V
EB
= 5V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
1
1
单位
A
A
A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
I
C
= 10毫安
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
C
= 1A
I
C
= 1A
I
C
= 3A
I
B
= 10毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 10毫安
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
30
0.35
1
0.7
1.1
V
V
V
V
V
CE （饱和）（1）
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
0.85
100
30
1.脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比
≤
1.5 %
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Q2- PNP晶体管的电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
= -60V
V
CE
= -30V
V
EB
= -5V
分钟。
典型值。
马克斯。
-0.1
-1
-1
单位
A
A
A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= -10mA
I
C
= -1A
I
C
= -2A
I
B
= -10mA
I
B
= -100mA
-30
-0.35
-1
-0.7
V
V
V
V
CE （饱和）（1）
4/11
STS01DTP06
表4 。
符号
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
Q2- PNP晶体管的电气特性
参数
基射极饱和
电压
直流电流增益
测试条件
I
C
= -1A
I
C
= -1A
I
C
= -3A
I
B
= -10mA
V
CE
= -2V
V
CE
= -2V
100
30
分钟。
典型值。
-0.85
马克斯。
-1.1
单位
V
1.脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比
≤
1.5 %
2.1
电气特性（曲线）
图1 。
反向偏置区域Q1 NPN型如图2所示。
晶体管
直流电流增益的NPN Q1
晶体管
网络连接gure 3 。
直流电流增益的NPN Q1
晶体管
图4中。
集电极 - 发射极饱和
电压Q1 NPN晶体管
5/11
STS01DTP06
双NPN -PNP互补双极晶体管
初步数据
表1 ：一般特点
V
CE （ SAT ）
0.35 V
n
n
n
n
图1 ：包装
I
C
1A
h
FE
＆ GT ; 100
高增益
低V
CE （ SAT ）
简化的电路设计
减少元件数量
应用
n
推挽或图腾柱
CON组fi guration
n
MOSFET和IGBT栅极驱动
n
电机，继电器和螺线管驱动
SO-8
描述
该STS01DTP06是一种混合双NPN -PNP
补充
动力
双极
晶体管
通过使用最新的低电压制造
平面技术。该STS01DTP06装在
双岛SO- 8封装的分离
终端更高的装配灵活性，
特别建议在使用推拉
或图腾柱配置后IGBT和
MOSFET的驱动程序。
图2 ：内部原理图
表2 ：订购代码
产品型号
STS01DTP06T4
记号
S01DTP06
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2005年4月
第1版
1/8
STS01DTP06
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
J
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
<为5ms ）
基极电流
基峰电流（T
p
<毫秒）
总功耗在T
C
= 25
o
C单键
总功耗在T
C
= 25
o
夫妇
储存温度
马克斯。工作结温
NPN
60
30
5
3
6
1
2
2
1.6
-65到150
150
PNP
-60
-30
-5
-3
-6
-1
-2
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
为PNP型的电压和电流值是负的。
表4 ：热数据
符号
参数
最大
最大
62.5
78
单位
o
C / W
o
R
thj-amb(1)
热阻结到环境
（单人操作）
(1)
热阻结到环境
R
THJ - AMB
C / W
（双操作）
（1）当安装在2盎司的1平方英寸的垫。铜，T
≤
10秒
表5 ： Q1 - NPN晶体管的电气特性（T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
V
（ BR ） CEO
*
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
h
FE
*
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 1 A
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
*脉冲：脉冲持续时间= 300
女士，
占空比
≤
1.5
%.
参数
集电极截止电流
V
CB
= 60 V
V
CE
= 30 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 10毫安
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
1
1
单位
A
A
A
V
30
I
B
= 10毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 10毫安
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
100
30
0.35
0.85
1
0.7
1.1
V
V
V
2/8
STS01DTP06
表6 ： Q2 -PNP晶体管的电气特性（T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
V
（ BR ） CEO
*
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
h
FE
*
参数
集电极截止电流
测试条件
V
CB
= -60 V
V
CE
= -30 V
V
EB
= -5 V
I
C
= -10毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
-0.1
-1
-1
单位
A
A
A
V
-30
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
I
C
= -1 A
I
C
= -2 A
I
C
= -1 A
I
C
= -1 A
I
B
= -10毫安
I
B
= -100毫安
I
B
= -10毫安
V
CE
= -2 V
V
CE
= -2 V
100
30
-0.35
-0.85
-1
-0.7
-1.1
V
V
V
I
C
= -3 A
*脉冲：脉冲持续时间= 300
女士，
占空比
≤
1.5
%.
图3 ：反向偏置区域Q1 NPN转录
体管
图4 ：直流电流增益Q1 NPN晶体管
3/8
STS01DTP06
图5 ：直流电流增益Q1 NPN晶体管
图8 ：集电极 - 发射极饱和电压
Q1 NPN晶体管
图6 ：基射极饱和电压Q1
NPN晶体管
图9 ：反向偏置区Q2 PNP转录
体管
图7 ：直流电流增益Q2 PNP晶体管
图10 ：直流电流增益Q2 PNP晶体管
4/8
STS01DTP06
图11 ：集电极 - 发射极饱和电压
年龄Q2 PNP晶体管
图12 ：基射极饱和电压Q2
PNP晶体管
图13 ：典型应用
5/8
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推荐型号
SN74HC164NSRE4
SN54LS242J
S71WS512NC0BFWTN0
SN74SSTVF16859GRG4
S29GL256N90FFIV10
S553-5999-02
STK392-010
S29GL032M10BFIR52
SN74LVC1G07DCK6
S29GL128N90TAIV13
SY-HS-230
STOD2540
SSW16B51R0GSLF7
SN75LVDS051
SRC1219
SN54ABT16833WD
SN74LS373NSR
SL5015P
SB017/S
SST89V564RD-40-C-NJ
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    STS01DTP06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市易信优科技有限公司
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STS01DTP06
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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STS01DTP06
ST(意法)
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STS01DTP06
ST(意法)
41064
10
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ST(意法)
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ST(意法)
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ST
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