STRH8N10
抗辐射N沟道100 V， 6的
功率MOSFET
特点
V
DSS
100 V
■
■
■
■
■
I
D
6A
R
DS （ ON）
0.30
Q
g
22 NC
快速开关
100％的雪崩测试
气密封装
70拉德TID
SEE抗辐射
TO-39
应用
■
■
卫星
高可靠性
图1 。
内部原理图
描述
这N沟道功率MOSFET的开发与
意法半导体独有的STripFET
流程。它
有专门的设计，以维持高
工业贸易署提供的抗重离子效应。
表1中。
设备简介
食管鳞状细胞癌的一部分
数
-
待定
质量
水平
工程
模型
ESCC飞行
包
领导
完
块
(g)
TEMP 。 RANGE
EPPL
订货编号
STRH8N10N1
STRH8N10NG
-
TO-39
金
1.2
-55 ℃150℃
目标
注意：
联系ST销售办事处的信息，有关产品的裸片形式的具体条件
和其他包。
2011年11月
文档ID 010029第2版
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18
目录
STRH8N10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
预辐照。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
3
4
5
6
7
8
辐射特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
订购代码。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
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STRH8N10
电气额定值
1
电气额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
表2中。
符号
V
DS(1)
V
GS(2)
I
D (3)
I
D (1)
I
DM （4）
P
TOT （1）
dv / dt的
(5)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
（前照射）
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
100
±20
6
4.1
24
25
6.4
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
V / ns的
°C
°C
1.本评价是保证@ T
J
> 25 ° C（见
图10：归一BV
DSS
随温度） 。
2.该值是保证在整个温度范围内。
3.根据Rthj情况+ Rthc -S额定。
4.脉冲宽度有限的安全工作区。
5. I
SD
≤
6 A， di / dt的
≤
1060 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
参数
价值
5.0
单位
° C / W
Rthj外壳热阻结案件
表4 。
符号
I
AR
E
AS(1)
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 110℃ ， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
4
457
134
单位
A
mJ
mJ
文档ID 010029第2版
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