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STRH40N6
抗辐射N沟道60 V , 30 A功率MOSFET
数据表 - 生产数据
特点
V
BDSS
60 V
I
D
30 A
R
DS ( ON)
36毫欧
Q
g
43 NC
快速开关
100%的雪崩测试
气密封装
70拉德TID
SEE抗辐射
SMD.5
应用
卫星
高可靠性
图1 。
内部原理图
描述
这N沟道功率MOSFET的开发与
意法半导体独有的STripFET 工艺。
它专门设计用于承受高
工业贸易署提供的抗重离子效应。
表1中。
设备简介
食管鳞状细胞癌的一部分
-
待定
质量
水平
工程
模型
ESCC飞行
领导
质量(g )
温度。范围EPPL
-
SMD.5
2
-55 ℃150℃
目标
产品编号
STRH40N6S1
STRH40N6SG
注意:
联系ST销售办事处,了解有关磁带和卷轴的具体情况,
产品裸片形式,包等。
2012年10月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 18351第5版
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www.st.com
16
目录
STRH40N6
目录
1
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4
5
6
7
8
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
辐射特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电特性(曲线) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
订购代码。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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文档ID 18351第5版
STRH40N6
电气额定值
1
电气额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
表2中。
符号
V
DS(1)
V
GS(2)
I
D (3)
I
D (3)
I
DM (4)
P
TOT (5)
P
TOT (3)
dv / dt的
(6)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值(预辐照)
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
±20
30
19
120
75
66
2.5
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
W
V / ns的
°C
°C
1.本评价是保证@ T
J
25 ° C(见
图10:归一BV
DSS
随温度) 。
2.该值是保证在整个温度范围内。
3.根据Rthj情况+ Rthc -S额定
4.脉冲宽度有限的安全工作区
5.根据Rthj情况评分
6. I
SD
40 A , di / dt的
1060 A / μs的,V
DD
= 80 %V
( BR ) DSS
表3中。
符号
Rthj情况
Rthc -S
热数据
参数
热阻结案件
外壳到散热器
价值
1.67
0.21
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj - AMB
(1)
热阻结-amb
1.当安装在300平方毫米的散热片,T < 10秒
表4 。
符号
I
AR
E
AS(1)
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度有限的TJ最大值)
单脉冲雪崩能量
(首发TJ = 25 ° C, n = 20 A, VDD = 40 V)
单脉冲雪崩能量
(首发TJ = 110℃ , n = 20 A, VDD = 40 V)
价值
15
354
mJ
105
单位
A
文档ID 18351第5版
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电气额定值
表4 。
符号
STRH40N6
雪崩特性(续)
参数
重复性雪崩
( VDD = 50 V,I
AR
= 17.5 A, F = 10千赫,
T
J
= 25 ℃,占空比= 50%)
价值
单位
20
E
AR
重复性雪崩
( VDD = 40 V,I
AR
= 15 A, F = 100千赫,
T
J
= 25 ℃,占空比= 10%)的
重复性雪崩
( VDD = 40 V,I
AR
= 15 A, F = 100千赫,
T
J
= 110℃ ,占空比= 10%)的
1.3
mJ
0.4
1.最大额定值。
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STRH40N6
电气特性
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明) 。
预辐照
表5 。
符号
I
DSS
I
GSS
BV
DSS(1)
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态的预照射
参数
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
漏极至源极击穿
电压
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
80 % BV
DSS
V
GS
= 20 V
V
GS
= -20 V
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 12 V
I
D
= 15 A
分钟。
典型值。
马克斯。
10
100
-100
60
2
0.036
4.5
0.045
单位
A
nA
V
V
Ω
1.本评价是保证@ T
J
25 ° C(见
图10:归一BV
DSS
随温度) 。
表6 。
符号
C
国际空间站
C
oss(1)
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
预辐照动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( “米勒” )
收费
门输入电阻
测试条件
分钟。
1312
281
111
35
9
12
典型值。
1640
351
139
43
11
15
马克斯。
1968
421
167
52
13
18
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
GS
= 0, V
DS
= 25 V,
f=1MHz
V
DD
= 30 V,I
D
= 40 A,
V
GS
=12 V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
R
G
(2)
1.04
1.3
1.56
Ω
1,这个值是保证在整个温度范围内。
2.不进行测试,通过程序保障。
表7中。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
预辐照的开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
分钟。
13
26
18
7
典型值。
17
59
33
11.5
马克斯。
21
92
48
16
单位
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30 V,I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 12 V
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ST
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