STRH40N6
抗辐射N沟道60 V , 30 A功率MOSFET
数据表 - 生产数据
特点
V
BDSS
60 V
■
■
■
■
■
I
D
30 A
R
DS ( ON)
36毫欧
Q
g
43 NC
快速开关
100%的雪崩测试
气密封装
70拉德TID
SEE抗辐射
SMD.5
应用
■
■
卫星
高可靠性
图1 。
内部原理图
描述
这N沟道功率MOSFET的开发与
意法半导体独有的STripFET 工艺。
它专门设计用于承受高
工业贸易署提供的抗重离子效应。
表1中。
设备简介
食管鳞状细胞癌的一部分
数
-
待定
质量
水平
工程
模型
ESCC飞行
包
领导
完
质量(g )
温度。范围EPPL
-
SMD.5
金
2
-55 ℃150℃
目标
产品编号
STRH40N6S1
STRH40N6SG
注意:
联系ST销售办事处,了解有关磁带和卷轴的具体情况,
产品裸片形式,包等。
2012年10月
这是在满负荷生产一个产品信息。
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目录
STRH40N6
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8
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
辐射特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电特性(曲线) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
订购代码。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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电气额定值
1
电气额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
表2中。
符号
V
DS(1)
V
GS(2)
I
D (3)
I
D (3)
I
DM (4)
P
TOT (5)
P
TOT (3)
dv / dt的
(6)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值(预辐照)
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
±20
30
19
120
75
66
2.5
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
W
V / ns的
°C
°C
1.本评价是保证@ T
J
≥
25 ° C(见
图10:归一BV
DSS
随温度) 。
2.该值是保证在整个温度范围内。
3.根据Rthj情况+ Rthc -S额定
4.脉冲宽度有限的安全工作区
5.根据Rthj情况评分
6. I
SD
≤
40 A , di / dt的
≤
1060 A / μs的,V
DD
= 80 %V
( BR ) DSS
表3中。
符号
Rthj情况
Rthc -S
热数据
参数
热阻结案件
外壳到散热器
价值
1.67
0.21
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj - AMB
(1)
热阻结-amb
1.当安装在300平方毫米的散热片,T < 10秒
表4 。
符号
I
AR
E
AS(1)
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度有限的TJ最大值)
单脉冲雪崩能量
(首发TJ = 25 ° C, n = 20 A, VDD = 40 V)
单脉冲雪崩能量
(首发TJ = 110℃ , n = 20 A, VDD = 40 V)
价值
15
354
mJ
105
单位
A
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