STRH12P10ESY3
P沟道100V - 0.265Ω - TO- 257AA
抗辐射低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STRH12P10ESY3
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www.DataSheet4U.com
V
DSS
100V
低R
DS （ ON）
快速开关
单粒子效应（ SEE） hardned
低总栅极电荷
重量轻
100％的雪崩测试
面向应用的表征
密封式
重离子SOA
100kRad TID
SEL & SEGR与34Mev /平方厘米/毫克LET离子
TO-257AA
内部原理图
■
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计用于承受高TID
并提供豁免权重离子效应。这是
因此，适合作为电源开关在主要高
效率的DC - DC转换器。它也意
对于具有低栅极电荷驱动的应用程序
要求。
应用
■
■
卫星
高可靠性
订购代码
产品型号
STRH12P10ESY1
(1)
STRH12P10ESY3
(2)
1.军用温度范围
2.航天飞行部（ ESA全流程筛选）
记号
RH12P10ESY1
RH12P10ESY3
包
TO-257AA
TO-257AA
包装
个人带包装
个人带包装
2007年3月
REV 2
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www.st.com
12
目录
STRH12P10ESY3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
预辐照。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
辐照后。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
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STRH12P10ESY3
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM （2）
绝对最大额定值
（前照射）
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
价值
100
±18
12
7.5
48
75
2.4
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
V / ns的
°C
°C
P
TOT （1）
总功耗在T
C
= 25°C
dv / dt的
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
T
英镑
T
j
储存温度
马克斯。工作结温
1.根据Rthj情况+ Rthc -S额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 12A ， di / dt的< 36A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
热数据
参数
价值
1.47
0.2
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj外壳热阻结案件
Rthc -S
外壳到散热器
Rthj - AMB热阻结-amb
表3中。
符号
I
AR
E
AS
E
AR
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=50V)
重复性雪崩
价值
6
597
17
单位
A
mJ
mJ
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
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STRH12P10ESY3
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12A ，V
GS
= 0
I
SD
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 9V ， TJ = 25°C
I
SD
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 9V ， TJ = 150℃
248
2.3
19
300
3
22
测试条件
分钟。典型值。最大单位
12
48
1.1
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2.2
辐照后
ST的抗辐射功率MOSFET进行测试，以验证辐射能力。该
技术是保证坚固耐磨运作良好的内部设备
辐射环境。每一个生产批次的总电离剂量测试。
（ @ TJ = 25 ° C至100Krad
(a)
)
表8 。
符号
I
DSS
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
80 ％ BV
DSS
V
GS
= ±18V
I
D
= 250A,
V
GS
= 0V
V
DS
=V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 12V，我
D
= 12A
100
2
0.265
4.5
0.3
分钟。
典型值。
最大
10
±
100
单位
A
nA
V
V
一。据ESCC 22900规范，钴60伽玛射线，剂量率： 0.1rad /秒。
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