STR-W6700
■
一般说明
系列
电源IC准谐振式开关电源
高效率，低噪音的整个负载范围内
在STR- W6700系列产品是电源IC的准谐振式开关电源
耗材，结合了功率MOSFET和控制器IC，该产品实现了高
效率和低噪声电源系统由准谐振操作和
底部跳过准谐振操作。
在STR- X6700系列产品是不同的封装（ TO- 3PF ）版本。
■
特点
多模式控制
该操作模式切换与根据负载条件三个步骤实现了
TO-220F-6
最佳效率高，在整个负载范围内的低噪声电源系统。
（产品号的确认是必要的，因为某些功能是不同
在每一个产品）。
In
待机（在待机负载条件） ：
-UVLO
间歇振荡，通过降低输出电压---交换了戒备信号，或
- 汽车
突发振荡---自动切换
·下
低至中负荷的条件：底跳过准谐振操作（底跳过QR ）
·下
中间等级（或重）负载条件：准谐振操作（ QR ）
电流模式控制
内置PWM振荡器
在PWM工作在大约22千赫的最低频率，直到该准谐振信号变为
有效的，降低了对在启动和负载短路元件的应力。
软启动功能
步驱动功能，降低开关噪声
内置最大导通时间限制电路
该功能对功率MOSFET的时间限制最大，在转变在低输入电压时，
电源开/关。
输入补偿的过电流
该功能通过添加3减少了过电流的操作点到AC输入电压变化量的失真
组件。
内置雪崩能量保证高电压功率MOSFET
各种保护
过电流保护（ OCP ） --------------------------------脉冲通过脉冲
过载保护（ OLP ） --------------------------------------锁存关闭
过电压保护（ OVP ） --------------------------------锁存关闭
■
应用
开关电源
数字消费类设备;液晶电视，等离子，电视， CRT ，电视机等，家电， OA设备，
工业机械，通讯设备，其他
■
产品阵容
产品编号
MOSFET
V
DSS
M
IN
(V)
R
DS
(
ON
)
最大
突发
振荡
自下而上
跳转QR
产品编号
( )
MOSFET
V
DSS
M
IN
(V)
R
DS
(
ON
)
最大
突发
振荡
自下而上
跳转QR
( )
STR-W6723N
STR-W6734
STR-W6735
STR-W6735N
STR-W6753
STR-W6754
450
500
500
500
650
650
1.4
1.0
0.57
0.57
1.7
0.96
N
Y
Y
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
STR-W6750F
STR-W6756
STR-W6756N
STR-W6765
STR-W6765N
650
650
650
800
800
0.73
0.73
0.73
1.8
1.8
Y
Y
N
Y
N
N
Y
Y
Y
Y
Y：包括函数
N：不包括的功能
2010/08
■
典型应用电路
VAC
ERRAMP
+B
STR-W6700
1
D
VCC
4
GND
待机
ON / OFF信号
UVLO间歇振荡电路示例
低B
REG
FB
续。
待机
V
OUT
GND
6
S / GND OCP / BD SS / OLP
3
7
5
注册：线性稳压器IC由三垦，其他
■
典型的工作波形
底跳过QR操作和准谐振操作之间的转换
负载变化
光
自下而上
1底跳过QR
QR
I
D
V
DS
频率f
OSC
（千赫）
重
140
120
100
80
60
40
20
0
STR- W6700输入功率 - 频率
输入电压（AC） = 100V
100VAC
1Skip
QR
0
50
100
150
200
250
输入功率P
IN
(W)
240VAC
输入电压（AC） = 240V
140
频率f
OSC
（千赫）
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
1Skip
输入功率P
IN
(W)
警告
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三垦电气有限公司。
2010/08
STR-W6735
准谐振拓扑
初级开关稳压器
特点和优点
准谐振拓扑IC
低EMI噪声和软
开关
自下而上的跳转动作
提高系统效率
以上通过避免增加整个输出负载
开关频率
待机突发模式操作
在降低输入功率
很轻的输出负载条件
雪崩担保MOSFET
提高系统 -
电平的可靠性，并且不需要V
DSS
降额
500 V / 0.57
Ω,
160 W（ 120 VAC输入）
描述
STR的W6735是一个准谐振拓扑的集成电路设计的
SMPS应用。这表明降低EMI噪声特性
比传统的PWM方案，特别是在大于
2兆赫。它也提供了一种软开关操作，以打开
在接近零电压内部MOSFET （V
DS
底点）
通过利用初级电感器的谐振特性的
和谐振电容器。
该软件包是一个完全成型的TO- 220 ，它包含了
控制器芯片（MIC）和MOSFET ，使输出功率可达
160 W和120 VAC输入。底部跳跃功能跳过
Ⅴ的第一底
DS
并接通MOSFET在所述第二
底点，尽量减少增加操作频率
在光输出负载，提高系统级的效率超过
在整个负载范围。
有可用的，以降低输入两种待机功能
极轻负载条件下功率。第一种是自动爆裂
模式的操作，在内部通过定期检测触发，
另一种是手动待机模式，其中执行
通过夹紧所述次级输出。在一般的应用，
手动待机模式可降低输入功率进一步
相比于自动突发模式。
软启动功能，最大限度地减少浪涌电压，并减少
功率应力到MOSFET和次级整流
续下页...
续下页...
包装： 6引脚TO- 220
典型用途
+B
ERRAMP
P
A
S1
GND
待机
开/关
LowB
S2
D
1
4
V
CC
D
STR-W6735
B
SI
待机
OUT
GND
CONT
6
FB
3
7
5
S / GND
RX
OCP
/ BD
SS
/ OLP
A
B
对于ErrAmp ，三垦SE系列设备推荐
对于SI ，三垦线性稳压器IC推荐
CX
ROCP
28103.30-5
STR-W6735
特点和优势（续）
各种保护
改进的系统级可靠性
脉冲由脉冲漏极过电流限制
过压保护（偏置绕组电压检测） ，
与锁存
过载保护用锁
最大导通时间限制
准谐振拓扑
初级开关稳压器
描述（续）
在启动序列二极管。各种保护，如
过压，过载，过流，最大导通时间的保护
和雪崩能量担保MOSFET良好的安全系统 -
级的可靠性。
应用程序包括以下内容：
机顶盒
液晶电脑显示器，液晶电视
打印机，扫描仪
SMPS电源
选购指南
产品型号
STR-W6735
包
TO-220
填料
散装， 100件
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
参数
漏
最大开关电流
2
单脉冲雪崩能量
3
输入电压控制器（ MIC ）
SS / OLP端子电压
FB端流入电流
FB端电压
OCP / BD端子电压
MOSFET功率耗散
4
当前
1
符号
I
D
PEAK
I
DMAX
E
AS
V
CC
V
SSOLP
I
FB
V
FB
V
OCPBD
P
D1
终奌站
条件
1 - 3单脉冲
1 - 3 T
A
= -20 ° C至125°C
单脉冲，V
DD
= 99 V，L = 20毫亨，
1-3
I
LPEAK
= 5.8 A
4-3
5-3
6-3
6 - 3 I
FB
I的限制范围内
FB
7-3
具有无穷散热器
1-3
无需散热器
4 - 3 V
CC
× I
CC
–
请参阅吨
OP
–
–
–
等级
20
20
380
35
-0.5 6.0
10
-0.5 9.0
-1.5 5.0
28.7
1.3
0.8
-20至115
-20至115
-40至125
150
单位
A
A
mJ
V
V
mA
V
V
W
W
W
°C
°C
°C
°C
控制器（ MIC ）功耗
P
D2
内部工作温度引线框架
T
F
工作环境温度
T
OP
储存温度
T
英镑
结温
T
J
1
参照图2
2
I
DMAX
在漏极电流由IC和阈值电压V的驱动电压确定
th
时，MOSFET的
3
参照图3
4
参见图5
给出的所有性能特点是电路的典型值或
系统的基线设计仅与处于标称工作电压和
为+ 25 ℃的环境温度，除非另有说明。
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2
STR-W6735
4
V
CC
准谐振拓扑
初级开关稳压器
保护
LATCH
R
S
Q
DRIVE
REG
D
+
-
开始
停止
BURST
BURST
控制
Reg&
ICONST
1
延迟
OVP
S / GND
3
6
S
Q
OSC
MAXON
R
S
OCP
OLP
+
-
软启动
底部的选择
计数器
数
1
2
3
4
5
6
7
名字
D
NC
S / GND
VCC
SS / OLP
FB
OCP / BD
漏
修剪
描述
MOSFET漏极
无连接
MOSFET的源极和地
源/接地端子
电源端子
软启动/过载保护终端
终端反馈
过电流保护/底部检测
输入电源的控制电路
输入设置延时过载保护和软启动运行
输入恒压控制和突发（间歇性）模式
振荡cotnrol信号
输入过电流检测和底部的检测信号
图1 - MOSFET的安全工作区
降额曲线
100
安全工作区
温度降额系数（ ％ ）
80
漏电流，我
D
(A)
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
温度T
F
(°C)
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+
-
BSD
BD
图2 - MOSFET的安全工作区
漏极电流与电压
在T
A
= 25 ℃，单脉冲
100.00
20.00
10.00
1.00
0.10
参见图1 MOSFET SOA
温度降额系数
0.01
1
10
100
1000
+
-
+
-
OCP / BD
SS / OLP
R Q
+
FB
-
FB
7
5
功能
NT L
n)
urreo
DS （O
（C T）
应有
t
IMI
0.
1
m
s
漏极至源极电压，V
DS
(V)
1
s
m
3
STR-W6735
准谐振拓扑
初级开关稳压器
图3 - MOSFET雪崩能量降额曲线
100
E
AS
温度降额系数（ ％ ）
（ ° C / W）
瞬态热阻，R
JC
图4 - 瞬态热阻
10.000
80
1.000
60
0.100
40
0.010
20
0
0.001
25
50
75
100
125
150
道结温，T
J
(°C)
1μ
10μ
100μ
时间t （S ）
1m
10m
100m
图5 - MOSFET的功耗与温度
30
25
功耗，P
D1
(W)
具有无穷散热器
P
D1
= 28.7 ，在T W＆
A
20
15
10
5
无需散热器
P
D1
= 1.3 ，在T W＆
A
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
环境温度，T
A
(°C)
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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4
STR-W6735
电气特性
特征
符号
准谐振拓扑
初级开关稳压器
码头
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
对于控制器电气特性（ MIC ）
1
，在T有效
A
= 25 ° C，V
CC
= 20V时，除非另有说明
电源启动操作
操作启动电压
操作停止电压
在运算电路电流
在非操作电路的电流
振荡频率
软启动停止运行电压
软启动操作充电电流
正常工作
底部跳跃动作阈值电压1
底部跳跃动作阈值电压2
过电流检测门限电压
OCP / BDOCP / BD端子流出电流
准谐振工作阈值电压1
准谐振工作阈值电压2
FB端电压阈值
FB端流入电流（正常工作）
待机操作
待机操作启动电压
待机操作启动电压间隔
待机非运算电路电流
FB端子流入电流，待机操作
FB端电压阈值，待机操作
最小导通时间
最大导通时间
保护动作
过载保护动作阈值电压
过载保护动作电流充电
过压保护工作电压
锁存电路保持电流
2
锁存电路释放电压
2
漏极至源极击穿电压
漏极漏电流
抗性
开关时间
热阻
1
当前
V
CC （ON）的
V
CC （OFF）的
I
CC （ON）的
I
CC （OFF）的
f
OSC
V
SSOLP （ SS ）
I
SSOLP （ SS ）
V
OCPBD(BS1)
V
OCPBD(BS2)
V
OCPBD （ LIM ）
I
OCPBD
V
OCPBD(TH1)
V
OCPBD(TH2)
V
FB （ OFF ）
I
FB （ ON）
V
CC （S）
V
CC （SK）
I
CC （S）
I
FB （S ）
V
FB （S ）
t
开（分钟）
t
开（ MAX）的
V
SSOLP （OLP）
I
SSOLP （OLP）
V
CC （ OVP ）
I
CC （H）的
V
CC （ La.OFF ）
V
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
t
f
R
θJA
4-3
4-3
4-3
4-3
1-3
5-3
5-3
7-3
7-3
7-3
7-3
7-3
7-3
6-3
6-3
4-3
4-3
4-3
6-3
6-3
1-3
1-3
5-3
5-3
4-3
4-3
4-3
1-3
1-3
1-3
1-3
结到内部
FRAME
16.3
8.8
–
–
19
1.1
–710
–0.720
–0.485
–0.995
–250
0.28
0.67
1.32
600
10.3
1.10
–
–
0.55
–
27.5
4.0
–16
25.5
–
6.0
500
–
–
–
–
18.2
9.7
–
–
22
1.2
–550
–0.665
–0.435
–0.940
–100
0.40
0.80
1.45
1000
11.1
1.35
20
4
1.10
0.75
32.5
4.9
–11
27.7
45
7.2
–
–
–
–
–
19.9
10.6
6
100
25
1.4
–390
–0.605
–0.385
–0.895
–40
0.52
0.93
1.58
1400
12.7
1.75
56
14
1.50
1.20
39.0
5.8
–6
29.9
140
8.5
–
300
0.57
400
1.55
V
V
mA
μA
千赫
V
μA
V
V
V
μA
V
V
V
μA
V
V
μA
μA
V
μs
μs
V
μA
V
μA
V
V
μA
Ω
ns
° C / W
对于MOSFET的电特性，
有效的在T
A
= 25℃ ，除非另有说明
极性相对于所述集成电路：正电流表示电流宿在命名为终端，负电流表示源在
终端得名。
2
锁存电路是指操作过载保护或过电压保护期间。
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