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STR-M6529
离线开关稳压器
- 与功率MOSFET输出
1
OSC 。
故障
LATCH
数据表
28102.1
来源
2
R
常见
过电流
保护
V在
S
STR的M6529是专门设计来满足要求
为提高集成度和可靠性,在离线反激转换器
在准谐振振铃扼流模式下操作。该装置
包含在主控制和驱动电路用一个离散ava-
拦车额定高压功率MOSFET 。
关键的系统参数如最大导通时间和关断
时间是在制造过程中固定。本地控制电路去耦和
布局是在装置内进行优化。
逐周期电流限制,软启动,欠压锁定
与滞后,过压保护,热关断保护
在所有正常和过载条件下的设备。过电压
保护,热关机,或外部故障信号被锁存。
的介电隔离和低瞬态热的双重要求
阻抗和稳态热阻都满足于过
模单网线供电方案。
3
+
故障
4
5
UVLO
FDBK
故障LATCH
TRIGGER &
软启动
6
REF 。
7
DWG 。 PK- 002
绝对最大额定值
电源电压,V
IN
...........................
35 V
漏极 - 源极电压V
DS
..............
800 V
连续漏电流,I
D
............
5.4 A
1 ms单脉冲漏电流,
I
DM
.................................................
20 A
单脉冲雪崩能量,
E
A
..............................................
400毫焦耳
软启动/故障锁存器触发。电压,
V
SS / FL
.............................................
12 V
反馈输入电流,I
FDBK
........
20毫安
过流保护电压,
V
OCP
.............................................
3.5 V
绝缘电压,V
WM ( RMS )
...........
2000 V
封装功率迪斯。 ,P
D
........
请参阅图表
D
S
I
O
C
T
N
D
E
N
U
E
N
ER
I
特点
R
P
U
Y
D
L
O
N
O
T
C
证明在大量的卷,该设备及其固定频率
同行表示离线SMPS的可靠性显著预先
增长和整合。
E
C
s
准谐振振铃扼流圈转换器
FET的结温,T
J
......
+150
°
C
内部框架温度,T
F
...
+125
°
C
工作温度范围,
T
A
...............................
-20
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围,
T
英镑
.............................
-40
°
C至+ 125
°
C
F
R
O
R
s
雪崩额定功率MOSFET开关
s
脉冲由脉冲电流限制
s
锁存过压及热保护
s
最大导通时间和关闭时间设定在制造过程中
s
内部欠压锁定与迟滞
s
超模压SIP与整体分离的散热器
F
E
通过完整的部件号总是命令:
STR-M6529
.
STR-M6529
离线
开关稳压器
功能框图
V在
5
UVLO
OVER - VOLT 。
保护
R
故障
LATCH
S
Q
1
2
来源
REF 。
3.3 k
TSD
OSC 。
故障LATCH
TRIGGER
&软
开始
7
TRIGGER
3.3 k
花花公子
+
0.75 V
1000 pF的
0.01
F
3
4
过电流
保护
常见
6
FDBK
DWG 。 FK- 002-2
ALLOWABLE封装功耗
60
100
最大安全工作区
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
54 W
安装面
温度
30
40
推荐的最大。
FRAME TEMP 。 = + 100°C
在安培漏极电流
10
有限
由R DS ( ON )
3.0
LIMITED BY FRAME
TEMP 。 = + 125 ° C最大。
20
1.0
无散热器
自然冷却
TA = + 25°C
0.3
自由的空气
2.8 W
0
20
60
100
温度
°C
140
DWG 。 GK- 003-1
0.1
3.0
10
30
100
300
1000
DWG 。 GK- 004-1
在伏漏极至源极电压
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有1994 Allegro MicroSystems公司
LIMITED BY V DS最大
t
w =
1m
t
w =
sS
10
ING
ms
LE
PU
GL
LS
EP
E
UL
SE
t
w =
0.1
ms
GL
EP
UL
SE
STR-M6529
离线
开关稳压器
600
在兆焦耳ALLOWABLE雪崩能量
500
单脉冲
漏电流= 5 A
电源电压为50 V
ALLOWABLE雪崩能量
400
300
200
100
0
0
20
40
80
120
60
100
在起始通道温度
°C
140
160
DWG 。 GK- 009-1
电气特性
在T
A
= +25
°
C,V
IN
= 18伏,电压测量是参照
通用(引脚3 )(除非另有说明) 。
特征
通态电压
欠压锁定
过压阈值
场效应管漏电流
FET导通电阻
输出下降时间
最大导通时间
最小关断时间
过电流阈值
反馈阈值
软启动电流
故障锁存器门限伏。
故障锁存器将保持电流
故障锁存复位电压
绝缘电压有效值
电源电流
热关断
热阻
符号
V
INT
V
INQ
V
OVP (日)
I
DSS
r
DS ( ON)
t
f
t
on
t
关闭
V
OCP (日)
V
FDBK (日)
I
SS
V
FL (日)
I
INH
V
INQ
V
WM ( RMS )
I
IN(上)
I
中(关闭)
T
J
R
θJM
测试条件
导通,增加V
IN
关断,降低V
IN
V
DS
= 800 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
DD
= 250 V,I
D
= 2.5 A , 10 %90 %V
DS
分钟。
14.4
9.0
26
22.5
2.0
700
-2.2
8.0
6.5
2000
16
125
范围
典型值。马克斯。
17.6
11
31
300
1.8
2.2
250
27.5
4.0
800
750
-3.4
9.2
340 400
8.5
150
2.0
26
100
单位
V
V
V
A
ns
s
s
mV
mV
mA
V
A
V
V
mA
A
°C
° C / W
V
SS
= 0 V
V
IN
降低到8.5 V
I
IN
<20
A,
V
IN
从31 V降低
所有终端同时参考
对背面金属板
操作
启动时,V
IN
=14 V
FET交界处安装面
注:负电流定义为从(源)指定的设备终端。
典型数据仅供设计信息。
STR-M6529
离线
开关稳压器
典型用途
警告:
致命的电位都存在。见文。
+输出
5
STR-M6529
全桥
整流器器
AC输入
220 V/240 V
R
1
+
S
Q
+
2
电压
SENSE
+
7
=输出
5
+
4
3
+
6
DWG 。 EK- 002-1
应用信息
警告
这些设备被设计成在致命的电压和能量水平进行操作。
体现这些组件的电路设计必须符合适用的安全要求。
必须采取预防措施,以防止电源线潜力意外接触。
不要连接接地的测试设备。
使用隔离变压器的电路的开发和模拟板试验中被推荐。
这些装置的功率MOSFET的输出类似于国际整流器类型IRFPE40 。这些设备
具有快速开关,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益的完美结合。
推荐安装硬件扭矩:
4.34 - 5.79磅英尺( 6 - 8千克 cm或0.588 - 0.784纳米)。
推荐的金属氧化物填充,烷基变性油基,硅润滑脂:
道康宁340 ,或等效
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
STR-M6529
离线
开关稳压器
尺寸以英寸
(仅供参考)
0.780
±0.008
Tm值REF
0.157
±0.008
0.130
±0.008
0.216
±0.008
0.906
±0.012
0.689
±0.008
0.128
±0.004
0.276
±0.02
0.216
1
0.033
+0.008
–0.004
7
0.100
±0.004
0.026
+0.008
–0.004
0.177
±0.028
DWG 。 MK- 003-7中
注:精确的身体和领先的配置,在显示范围内的供应商的选择。
STR-M6529
离线开关稳压器
- 与功率MOSFET输出
1
OSC 。
故障
LATCH
数据表
28102.1
来源
2
R
常见
过电流
保护
V在
S
STR的M6529是专门设计来满足要求
为提高集成度和可靠性,在离线反激转换器
在准谐振振铃扼流模式下操作。该装置
包含在主控制和驱动电路用一个离散ava-
拦车额定高压功率MOSFET 。
关键的系统参数如最大导通时间和关断
时间是在制造过程中固定。本地控制电路去耦和
布局是在装置内进行优化。
逐周期电流限制,软启动,欠压锁定
与滞后,过压保护,热关断保护
在所有正常和过载条件下的设备。过电压
保护,热关机,或外部故障信号被锁存。
的介电隔离和低瞬态热的双重要求
阻抗和稳态热阻都满足于过
模单网线供电方案。
3
+
故障
4
5
UVLO
FDBK
故障LATCH
TRIGGER &
软启动
6
REF 。
7
DWG 。 PK- 002
绝对最大额定值
电源电压,V
IN
...........................
35 V
漏极 - 源极电压V
DS
..............
800 V
连续漏电流,I
D
............
5.4 A
1 ms单脉冲漏电流,
I
DM
.................................................
20 A
单脉冲雪崩能量,
E
A
..............................................
400毫焦耳
软启动/故障锁存器触发。电压,
V
SS / FL
.............................................
12 V
反馈输入电流,I
FDBK
........
20毫安
过流保护电压,
V
OCP
.............................................
3.5 V
绝缘电压,V
WM ( RMS )
...........
2000 V
封装功率迪斯。 ,P
D
........
请参阅图表
D
S
I
O
C
T
N
D
E
N
U
E
N
ER
I
特点
R
P
U
Y
D
L
O
N
O
T
C
证明在大量的卷,该设备及其固定频率
同行表示离线SMPS的可靠性显著预先
增长和整合。
E
C
s
准谐振振铃扼流圈转换器
FET的结温,T
J
......
+150
°
C
内部框架温度,T
F
...
+125
°
C
工作温度范围,
T
A
...............................
-20
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围,
T
英镑
.............................
-40
°
C至+ 125
°
C
F
R
O
R
s
雪崩额定功率MOSFET开关
s
脉冲由脉冲电流限制
s
锁存过压及热保护
s
最大导通时间和关闭时间设定在制造过程中
s
内部欠压锁定与迟滞
s
超模压SIP与整体分离的散热器
F
E
通过完整的部件号总是命令:
STR-M6529
.
STR-M6529
离线
开关稳压器
功能框图
V在
5
UVLO
OVER - VOLT 。
保护
R
故障
LATCH
S
Q
1
2
来源
REF 。
3.3 k
TSD
OSC 。
故障LATCH
TRIGGER
&软
开始
7
TRIGGER
3.3 k
花花公子
+
0.75 V
1000 pF的
0.01
F
3
4
过电流
保护
常见
6
FDBK
DWG 。 FK- 002-2
ALLOWABLE封装功耗
60
100
最大安全工作区
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
54 W
安装面
温度
30
40
推荐的最大。
FRAME TEMP 。 = + 100°C
在安培漏极电流
10
有限
由R DS ( ON )
3.0
LIMITED BY FRAME
TEMP 。 = + 125 ° C最大。
20
1.0
无散热器
自然冷却
TA = + 25°C
0.3
自由的空气
2.8 W
0
20
60
100
温度
°C
140
DWG 。 GK- 003-1
0.1
3.0
10
30
100
300
1000
DWG 。 GK- 004-1
在伏漏极至源极电压
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有1994 Allegro MicroSystems公司
LIMITED BY V DS最大
t
w =
1m
t
w =
sS
10
ING
ms
LE
PU
GL
LS
EP
E
UL
SE
t
w =
0.1
ms
GL
EP
UL
SE
STR-M6529
离线
开关稳压器
600
在兆焦耳ALLOWABLE雪崩能量
500
单脉冲
漏电流= 5 A
电源电压为50 V
ALLOWABLE雪崩能量
400
300
200
100
0
0
20
40
80
120
60
100
在起始通道温度
°C
140
160
DWG 。 GK- 009-1
电气特性
在T
A
= +25
°
C,V
IN
= 18伏,电压测量是参照
通用(引脚3 )(除非另有说明) 。
特征
通态电压
欠压锁定
过压阈值
场效应管漏电流
FET导通电阻
输出下降时间
最大导通时间
最小关断时间
过电流阈值
反馈阈值
软启动电流
故障锁存器门限伏。
故障锁存器将保持电流
故障锁存复位电压
绝缘电压有效值
电源电流
热关断
热阻
符号
V
INT
V
INQ
V
OVP (日)
I
DSS
r
DS ( ON)
t
f
t
on
t
关闭
V
OCP (日)
V
FDBK (日)
I
SS
V
FL (日)
I
INH
V
INQ
V
WM ( RMS )
I
IN(上)
I
中(关闭)
T
J
R
θJM
测试条件
导通,增加V
IN
关断,降低V
IN
V
DS
= 800 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
DD
= 250 V,I
D
= 2.5 A , 10 %90 %V
DS
分钟。
14.4
9.0
26
22.5
2.0
700
-2.2
8.0
6.5
2000
16
125
范围
典型值。马克斯。
17.6
11
31
300
1.8
2.2
250
27.5
4.0
800
750
-3.4
9.2
340 400
8.5
150
2.0
26
100
单位
V
V
V
A
ns
s
s
mV
mV
mA
V
A
V
V
mA
A
°C
° C / W
V
SS
= 0 V
V
IN
降低到8.5 V
I
IN
<20
A,
V
IN
从31 V降低
所有终端同时参考
对背面金属板
操作
启动时,V
IN
=14 V
FET交界处安装面
注:负电流定义为从(源)指定的设备终端。
典型数据仅供设计信息。
STR-M6529
离线
开关稳压器
典型用途
警告:
致命的电位都存在。见文。
+输出
5
STR-M6529
全桥
整流器器
AC输入
220 V/240 V
R
1
+
S
Q
+
2
电压
SENSE
+
7
=输出
5
+
4
3
+
6
DWG 。 EK- 002-1
应用信息
警告
这些设备被设计成在致命的电压和能量水平进行操作。
体现这些组件的电路设计必须符合适用的安全要求。
必须采取预防措施,以防止电源线潜力意外接触。
不要连接接地的测试设备。
使用隔离变压器的电路的开发和模拟板试验中被推荐。
这些装置的功率MOSFET的输出类似于国际整流器类型IRFPE40 。这些设备
具有快速开关,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益的完美结合。
推荐安装硬件扭矩:
4.34 - 5.79磅英尺( 6 - 8千克 cm或0.588 - 0.784纳米)。
推荐的金属氧化物填充,烷基变性油基,硅润滑脂:
道康宁340 ,或等效
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
STR-M6529
离线
开关稳压器
尺寸以英寸
(仅供参考)
0.780
±0.008
Tm值REF
0.157
±0.008
0.130
±0.008
0.216
±0.008
0.906
±0.012
0.689
±0.008
0.128
±0.004
0.276
±0.02
0.216
1
0.033
+0.008
–0.004
7
0.100
±0.004
0.026
+0.008
–0.004
0.177
±0.028
DWG 。 MK- 003-7中
注:精确的身体和领先的配置,在显示范围内的供应商的选择。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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