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STR-S6401
STR-S6401F
OFF- LINE开关稳压器
- 与功率MOSFET输出
1
LATCH
OSC 。
数据表
28101
来源
2
动力
开始
过电流
保护
V在
3
PWM
+
4
+
这些设备被专门设计用于满足要求
为提高集成度和可靠性,在离线反激( STR- S6401 )
转发( STR- S6401F )转换器在一个固定频率工作
PWM模式。每个器件都集成了主要的控制和驱动
电路的雪崩额定功率MOSFET 。关键系统
参数,如开关频率和最大占空比是
在制造过程中固定。在STR- S6401和STR - S6401F的区别仅在于
在它们的最大占空比。控制电路去耦和布局
每一个设备内进行了优化。
逐周期和平均电流限制,软启动,欠压
欠压锁定与滞后和热关断保护
在所有正常和过载条件下的设备。的性能和
这些设备和它们的可变频率对应的可靠性,
已被证明在显着量的生产。
高介电隔离和低瞬态的要求
热阻抗和稳态热阻都满足了
一个超模压, 9针单列直插式封装的功率。类似离线
开关稳压器,具有5 A的输出额定值为800 V ,也
可用。
5
6
7
UVLO
REF 。
信号
FDBK
8
9
DWG 。 PK- 003
绝对最大额定值
电源电压,V
IN
............................
35 V
漏极 - 源极电压V
DS
...............
500 V
漏电流,我
D
连续...................................
±
10 A
单脉冲,T
w
≤1
女士..................
±
40 A
雪崩能量E
A
单脉冲...............................
500毫焦耳
栅源电压,V
GS
................
±
20 V
栅极驱动电流范围,
I
G
.................................
-0.7 A到+1.5一个
过流保护电压范围,
V
OCP
.............................
0.3 V至4.0 V
绝缘电压有效值,
V
WM ( RMS )
.....................................
2000 V
封装功耗,
P
D
........................................
请参阅图表
FET通道温度,T
J
......
+150
°
C
内部框架温度,T
F
...
+125
°
C
工作温度范围,
T
A
...............................
-20
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围,
T
英镑
.............................
-30
°
C至+ 125
°
C
D
S
I
O
C
T
N
D
E
N
U
E
N
ER
I
特点
s
输出功率为250W的
R
P
U
Y
D
L
O
N
O
T
C
E
C
s
PWM反激式转换或正向转换
s
脉冲由脉冲电流限制
F
R
O
R
s
固定频率100 kHz的PWM
s
雪崩额定功率MOSFET开关
s
软启动
s
内部欠压锁定和热关断
s
低外部元件数量
s
超模压SIP与隔离散热器
F
E
通过完整的部件号总是命令:
STR-S6401
or
STR-S6401F
.
STR-S6401
STR-S6401F
离线
开关稳压器
功能框图
V
IN
FDBK
9
3
7
UVLO
REF 。
1
RTON
PWM
+
Rtoff
OSC 。
R
LATCH
S
Q
2
来源
+
0.2 V
6
过电流
保护
5
开始
8
信号
4
动力
DWG 。 FK- 003
ALLOWABLE封装功耗
62 W
60
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
最大安全工作区
100
安装面
温度
30
在安培漏极电流
有限
BY RDS ( ON)
tw
tw
40
推荐的最大。
FRAME TEMP 。 = + 100°C
10
3.0
LIMITED BY FRAME
TEMP 。 = + 125 ° C最大。
20
1.0
无散热器
自然冷却
TA = + 25°C
0.3
自由的空气
3.2 W
0
20
60
100
温度
°C
140
DWG 。 GK- 003
0.1
3.0
10
30
100
300
DWG 。 GK- 004
在伏漏极至源极电压
115东北托夫,箱15036
W
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有1994 , Allegro MicroSystems公司
LIMITED BY VDS
最大
DC
ms
GL
EP
=1
0m
UL
SE
sS
IN
GL
EP
UL
SE
=1
STR-S6401
STR-S6401F
离线
开关稳压器
600
在兆焦耳ALLOWABLE雪崩能量
500
单脉冲
漏电流= 10 A
电源电压为50 V
ALLOWABLE雪崩能量
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
在起始通道温度
°C
DWG 。 GK- 009
电气特性
在T
A
= +25
°
C,V
IN
= 17伏,电压测量是参照
信号地(引脚8) (除非另有说明) 。
特征
通态电压
欠压锁定
场效应管漏电流
FET导通电阻
正向跨导
FET输入电容
传播延迟时间
振荡器频率
最大导通时间
过电流阈值
目前OCP
反馈电流
软启动阈值电压
软启动电流
电源接地电流
电源电流
绝缘电压有效值
热阻
符号
V
INT
V
INQ
I
DSS
r
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
t
PHL
t
PLH
f
OSC
t
on
V
OCP (日)
I
OCP
I
FDBK
V
SS (次)
I
SS
I
PG
I
IN(上)
I
中(关闭)
V
WM ( RMS )
R
θJM
V
SS
= 0 V
t
w
= 200纳秒
操作
启动时,V
IN
= 12 V
所有终端同时参考
对背面金属板
FET沟道到安装表面
STR-S6401
STR-S6401F
测试条件
导通,增加V
IN
关断,降低V
IN
V
DS
= 400 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A
V
DS
=10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
导通, 10 %V
GS
到10 %的V
DS
关断, 90 %的V
GS
到90 %的V
DS
范围
分钟。典型值。马克斯。
14.4
8.4
93
5.1
3.8
160
-250
2000
16
9.4
0.5
9.2
1800
60
140
100
5.7
4.5
200
-400
-1.8
-100
-1.0
23
2.0
17.6
10.4
300
0.6
107
6.5
5.2
240
-550
0.4
-1.5
500
单位
V
V
A
S
pF
ns
ns
千赫
s
s
mV
A
mA
V
A
A
mA
A
V
° C / W
注:负电流定义为从(源)指定的设备终端。
典型数据仅供设计信息。
STR-S6401
STR-S6401F
离线
开关稳压器
典型特征
160
35
TA = + 100°C
140
以mA工作电流
30
TA = + 25°C
在kHz振荡器频率
25
TA = -20℃
20
120
100
15
VINT
10
VINQ
5
80
60
40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
DWG 。 GK- 005
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
DWG 。 GK -006
环境温度
°C
在伏输入电压
300
250
以mV过流阈值电压
200
150
100
50
0
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
DWG 。 GK -007
环境温度
°C
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
STR-S6401
STR-S6401F
离线
开关稳压器
典型的PWM反激转换采用STR- S6401
警告:
致命的电位都存在。见文。
+输出
NC
7
9
STR-S6401
3
+
1
电压
SENSE
全桥
整流器器
AC输入
100 V/120 V
+
+
=输出
2
+
6
5
8
4
DWG 。 EK- 003
典型的PWM正向转换采用STR- S6401F
警告:
致命的电位都存在。见文。
+输出
NC
7
9
STR-S6401F
3
+
1
全桥
整流器器
AC输入
100 V/120 V
电压
SENSE
+
+
=输出
2
+
6
5
8
4
DWG 。 EK- 003-1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STR-S6401
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
STR-S6401
SANKEN
21+
12720
ZIP
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