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STR-G6651
数据表
OFF- LINE准谐振
反激式开关稳压器
STR的G6651是专门设计来满足要求
为提高集成度和可靠性,在离线准谐振回扫
转换器。该器件集成了主要的控制和驱动
电路采用分立雪崩额定功率MOSFET 。
FDBK
OSC 。
LATCH
UVLO
OVP
TSD
过电流
&反馈
来源
供应
逐周期电流限制,欠压锁定与hyster-
ESIS ,过压保护,热关断保护电源
在正常的过载和故障条件的供应。过电压
保护和热关断在短暂的延迟后锁定。该
锁存器可以通过循环输入电源复位。低电流启动和
从次级电路中的低功耗待机模式完成
一套全面的功能。该器件采用5引脚提供
超模压TO- 220封装的风格,得到介质隔离无
影响热特性。两个率先表格可
(带和不带后缀“ -LF ') ,以适应印刷电路板
布局或机械限制。
证明在大量的卷, STR- G6651是一个强大的低风险
离线电源,特别是在管理的解决方案
电磁干扰的来源是系统设计的一个显著元件。
28102.9A
2
1
3
4
V
IN
OCP
DWG 。 PK- 011
绝对最大额定值
在T
A
= +25
°
C
控制电源电压,V
IN
. . . . . . .
35 V
漏极 - 源极电压V
DS
. . . . . . . .
650 V
漏电流,我
D
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
2.7 A
单脉冲,叔
w
1毫秒。 。 。 。 。 。 。 。
7.2 A
雪崩能量E
AS
单脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
158兆焦耳
过流保护电压范围,
V
OCP
. . . . . . . . . . . . . . .
0.3 V至6 V
绝缘电压有效值,
V
WM ( RMS )
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
2000 V
封装功耗,P
D
控制(V
IN
X我
IN(上)
) . . . . . . . . .
0.8 W
总。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
请参阅图表
FET通道温度,T
J
. . .
+150
°
C
内部框架温度,T
F
. .
+125
°
C
工作温度范围,
T
A
. . . . . . . . . . . . . . .
-20
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围,
T
S
. . . . . . . . . . . . . . .
-40
°
C至+ 125
°
C
5
特点
I
准谐振操作
I
输出功率为66 W
I
低损耗,脉冲比率控制待机模式
I
温度补偿脉冲由脉冲过电流保护
I
锁存过压及热保护
I
欠压锁定与迟滞
I
增强型轻载稳定性有源低通滤波器
I
前沿电流检测信号的衰减开关
I
稳压软栅极驱动
I
可调节的开关速度的EMI控制
I
包覆成型五引脚封装
通过完整的部件号总是命令:
STR-G6651
.
STR-G6651
离线
准谐振反激
开关稳压器
功能框图
V在
4
DRIVE
注册。
UVLO
OVER - VOLT 。
保护
S
REF 。
R
故障
LATCH
Q
1
2
来源
TSD
OSC
+
1.45 V
留言&
过电流
保护
1.35毫安
+
0.73 V
5
3
DWG 。 FK- 002-5
ALLOWABLE封装功耗
30
最大安全工作区
50
ALLOWABLE封装功耗(瓦)
27 W
安装面
温度
15
在安培漏极电流
20
5
有限
BY
r
DS ( ON)
1.5
=0
.1
ms
t
w
=1
GL
ms
EP
UL
SE
GL
EP
UL
SE
受限于V
DS
最大
t
w
LIMITED BY FRAME
TEMP 。 = + 125 ° C最大。
10
0.5
无散热器
自然冷却
T
A
= +25°C
0.15
自由的空气
调节器
1.5 W
0.8 W
0
20
60
100
温度
°C
140
DWG 。 GK- 003-4
0.05
3.0
10
30
100
300
1000
DWG 。 GK- 004-5
在伏漏源电压
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 1999年, 2000 Allegro MicroSystems公司
STR-G6651
离线
准谐振反激
开关稳压器
在T电气特性
A
= +25
°
C,V
IN
= 18 V, V
DD
= 10 V, V
S
= 0时,电压测
surements参照的接地端子(除非另有规定) 。
范围
特征
通态电压
欠压锁定
过压阈值
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
最大断时间
对于输入的最小脉冲持续
准谐振信号
最小关断时间
反馈阈值电压
符号
V
INT
V
INQ
V
OVP (日)
V
( BR ) DSS
I
DSS
r
DS ( ON)
t
关闭
t
W( TH)
t
关闭
V
FDBK
测试条件
导通,增加V
IN
关断,降低V
IN
关断,增加V
IN
I
D
= 300
A
V
DS
= 650 V
V
S
= 10 V,I
D
= 0.9 A,T
J
= +25°C
漏极电压波形高
漏极电压波形高
1
漏极电压波形高
1
漏极电压波形由低到高
1
振荡同步
2
过电流保护/意见
灌电流
锁存器将保持电流
释放闩锁电压
开关时间
电源电流
I
OCP / FB
I
IN( OVP )
V
IN
t
f
I
IN(上)
I
中(关闭)
绝缘电压有效值
热关断
热阻
V
WM ( RMS )
T
J
R
θ
JM
输出结到安装架
V
OCP / FB
= 1.0 V
V
IN
从24.5 V降低到8.5 V
I
IN
20
A,
V
IN
从24.5 V降低
V
DD
= 200 V,I
D
= 0.9 A
操作
3
增V
IN
此前振荡
所有终端同时为参考
对ENCE背面金属板
分钟。
14.4
9.0
20.5
650
45
0.68
1.3
1.2
6.6
2000
140
典型值。
16
10
22.5
0.73
1.45
1.35
马克斯。
17.6
11
24.5
300
3.95
55
1.0
1.5
0.78
1.6
1.5
400
8.4
250
30
100
1.63
单位
V
V
V
V
A
s
s
s
V
V
mA
mA
V
ns
mA
A
V
°C
° C / W
注:典型的数据仅用于设计信息。
1.反馈是方波,V
IM
= 2.2 V,T
h
= 1
s,
t
l
= 35
s
2.对于准谐振操作,输入信号必须比吨更长
W( TH)
比V更大
FDBK
3.反馈是方波,V
IM
= 2.2 V,T
h
= 4
s,
t
l
= 1
s
www.allegromicro.com
STR-G6651
离线
准谐振反激
开关稳压器
ALLOWABLE雪崩能量
200
在兆焦耳ALLOWABLE雪崩能量
150
单脉冲
漏电流= 1.8 A
100
50
0
0
20
40
80
120
60
100
在起始通道温度
°C
140
160
DWG 。 GK- 009-2
STR- G6600系列
漏源
漏源
输出击穿电压导通电阻
在我
D
= 300
A
在我
D
= 0.9 A
V
( BR ) DS
,最小
r
DS ( ON)
最大
对于100/120 V交流输入
STR-G6622
STR-G6624
STR-G6632
STR-G6651
STR-G6652
STR-G6653
450 V
450 V
500 V
650 V
650 V
650 V
2.18
0.92
对于110/120 V交流输入
2.62
对于200/220 V交流输入
3.95
2.80
1.95
66 W
86 W
120 W
36 W – 50 W
44 W – 60 W
98 W – 130 W
产品型号
输出功率
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
STR-G6651
离线
准谐振反激
开关稳压器
典型的准谐振反激转换采用STR- G6651
警告:
致命的电位都存在。见文。
+输出
4
DRIVE
注册。
UVLO
OVER - VOLT 。
保护
S
R
故障
LATCH
Q
1
2
电压
SENSE
全桥
整流器器
REF 。
AC输入
+
TSD
OSC
+
1.35毫安
=输出
+
1.45 V
+
0.73 V
5
3
#
DWG 。 EK- 003-4A
警告
这些设备被设计成在致命的电压和能量水平进行操作。电路
体现这些组件的设计必须符合适用的安全要求。注意事
业必须采取防止与电源线的电位发生意外接触。不要连接
接地的测试设备。
使用隔离变压器的电路的开发和模拟板试验中被推荐。
推荐安装硬件扭矩:
4.34 - 5.79磅英尺( 6 - 8千克 cm或0.588 - 0.784纳米)。
推荐硅脂:
道康宁SC102 ,东芝YG6260 ,信越G746 。 ,或等效
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STR-G6651
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
STR-G6651
SANKEN
2016+
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STR-G6651
SANKEN
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STR-G6651
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
STR-G6651
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联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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联系人:何小姐
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
STR-G6651
SANKEN
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