IRIS-A6372
特点
设置在单片式控制与采用导通芯片级振荡器
修剪技术。
小的温度变化特性，采用一个比较器
补偿温度的控制部分。
低的启动电路的电流（ 50uA的最大值）
内置有源低通滤波器用于稳定运行的情况下，光
负载
雪崩能量担保MOSFET具有高VDSS
内置功率MOSFET ，简化自浪涌吸收电路
MOSFET保证了雪崩能量。
没有VDSS降额是必需的。
内置稳压驱动电路
各种保护功能
脉冲逐脉冲过流保护（ OCP）
过电压保护与锁存模式（ OVP ）
与锁存模式热关断（ TSD ）
TYPE
集成开关调节器
包装外形
8引脚PDIP
关键的特定连接的阳离子
MOSFET
VDSS （ V）
900
RDS （ ON）
最大
7.7Ω
AC输入（V）的
230±15%
IRIS-A6372
85至264
的Pout （W）的
注1
6
4
说明
IRIS - A6372是一种混合集成电路包括从功率MOSFET和控制器IC，专为中国
反激式变换器型SMPS （开关电源）的应用程序，适用于中华人民共和国
操作小功率开关电源。该IC实现了小型化的电源和规范
系统减少了外部元件的数量和简化了电路设计。 （注） 。中华人民共和国是
简称“脉率控制” （在宽度控制与固定关断时间） 。
典型连接图
STR-A6372
1
2
3
4
8
7
6
5
www.irf.com
IRIS-A6372
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
参考说明终端的绝对电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
I
Dpeak
I
DMAX
德网络nition
漏电流
*1
最大开关电流* 5
码头最大。评级
8
1.18
8
1.18
单位
A
A
E
AS
VIN
VTH
P
D1
P
D2
T
F
顶部
TSTG
总胆固醇
单脉冲雪崩能量* 2
输入电压控制部
O.C.P / F.B引脚电压
功耗MOSFET * 3
功耗控制部分
（控制芯片） * 4
内部框架温度
在操作
工作环境温度
储存温度
通道温度
8-1
3-2
4-2
8-1
3-2
-
-
-
-
24.9
35
6
1.35
0.14
-20 ~ +125
-20 ~ +125
-40 ~ +125
150
mJ
V
V
W
W
℃
℃
℃
℃
记
单脉冲
V
1-2
=0.82V
Ta=-20~+125
℃
单脉冲
V
DD
=99V,L=20mH
I
L
=1.18A
*6
通过指定
VIN
×
IIN
参照推荐
工作温度
* 1。请参MOS FET A.S.O曲线
* 2 MOS FET TCH- EAS曲线
* 3参见MOS FET的Ta - PD1曲线
* 4参见TF- PD2曲线控制IC （见第5页）
* 5最大开关电流。最大开关电流是由驱动器决定的漏电流
电压的IC和MOS场效应晶体管的阈值电压（Vth） 。因此，在该事件是电压降
发生引脚1和引脚2之间，由于图案，最大开关电流减小如图
V
1-2
在图1因此请减少值的范围内使用该设备，指的是降额
曲线的最大开关电流。
* 6 。当嵌入这种混合IC到印刷电路板（板尺寸型15mm x 15mm ）
Fig.1
V
1-2
www.irf.com
IRIS-A6372
电气特性（用于控制IC）
为控制部分的电气特性（Ta = 25 ℃ ， VIN = 20V ，除非另有说明）
符号
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
IN（上）
I
中（关闭）
T
关（ MAX）的
VTH
I
OCP / FB
V
IN（ OVP ）
I
在（H）的
V
在（ La.OFF ）
Tj
（ TSD ）
德网络nition
操作启动电压
操作停止电压
*7
在运算电路电流
在非操作电路的电流
最大断时间
O.C.P / F.B引脚阈值电压
O.C.P / F.B针抽取电流
O.V.P工作电压
锁存电路保持电流* 8
锁存电路释放电压* 7,8
热关断工作温度
民
15.8
9.1
-
-
12
0.7
0.7
23.2
-
7.9
135
评级
典型值
17.6
10.1
-
-
15
0.76
0.8
25.5
-
-
-
最大
19.4
11.1
5
50
18
0.82
0.9
27.8
70
10.5
-
单位
V
V
mA
A
微秒
V
mA
V
A
V
℃
TEST
条件
Vin=0
→
19.4V
Vin=19.4
→
9.1V
-
Vin=15V
-
-
-
Vin=0
→
27.8V
Vin=27.8
→
(Vin(OFF)-0.3)V
Vin=27.8
→
7.9V
-
* 7 Ⅴ的关系
中（关闭）
＞V
在（ La.OFF ）
被施加于每个产品。
* 8锁存电路是指电路操作OVP和TSD
电气特性（ MOSFET ）
（ TA = 25 ℃ ），除非另有说明
符号
V
DSS
I
DSS
德网络nition
漏极至源极击穿电压
漏极漏电流
民
900
-
-
-
*9
-
评级
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
300
7.7
250
52
单位
V
A
Ω
纳秒
℃
/W
测试条件
ID=300A
V
2- 1
=0V(short)
V
DS
=900V
V
2- 1
=0V(short)
V
3- 2
=10V
I
D
=0.4A
R
DS （ ON）
导通电阻
tf
开关时间
θ
CH -F
热阻
-
通道之间
内部框架
* 9的内部框架温度（T
F
）的测量是在引脚5的根部。
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IRIS-A6372
特点
设置在单片式控制与采用导通芯片级振荡器
修剪技术。
小的温度变化特性，采用一个比较器
补偿温度的控制部分。
低的启动电路的电流（ 50uA的最大值）
内置有源低通滤波器用于稳定运行的情况下，光
负载
雪崩能量担保MOSFET具有高VDSS
内置功率MOSFET ，简化自浪涌吸收电路
MOSFET保证了雪崩能量。
没有VDSS降额是必需的。
内置稳压驱动电路
各种保护功能
脉冲逐脉冲过流保护（ OCP）
过电压保护与锁存模式（ OVP ）
与锁存模式热关断（ TSD ）
TYPE
集成开关调节器
包装外形
8引脚PDIP
关键的特定连接的阳离子
MOSFET
VDSS （ V）
900
RDS （ ON）
最大
7.7Ω
AC输入（V）的
230±15%
IRIS-A6372
85至264
的Pout （W）的
注1
6
4
说明
IRIS - A6372是一种混合集成电路包括从功率MOSFET和控制器IC，专为中国
反激式变换器型SMPS （开关电源）的应用程序，适用于中华人民共和国
操作小功率开关电源。该IC实现了小型化的电源和规范
系统减少了外部元件的数量和简化了电路设计。 （注） 。中华人民共和国是
简称“脉率控制” （在宽度控制与固定关断时间） 。
典型连接图
STR-A6372
1
2
3
4
8
7
6
5
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IRIS-A6372
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
参考说明终端的绝对电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
I
Dpeak
I
DMAX
德网络nition
漏电流
*1
最大开关电流* 5
码头最大。评级
8
1.18
8
1.18
单位
A
A
E
AS
VIN
VTH
P
D1
P
D2
T
F
顶部
TSTG
总胆固醇
单脉冲雪崩能量* 2
输入电压控制部
O.C.P / F.B引脚电压
功耗MOSFET * 3
功耗控制部分
（控制芯片） * 4
内部框架温度
在操作
工作环境温度
储存温度
通道温度
8-1
3-2
4-2
8-1
3-2
-
-
-
-
24.9
35
6
1.35
0.14
-20 ~ +125
-20 ~ +125
-40 ~ +125
150
mJ
V
V
W
W
℃
℃
℃
℃
记
单脉冲
V
1-2
=0.82V
Ta=-20~+125
℃
单脉冲
V
DD
=99V,L=20mH
I
L
=1.18A
*6
通过指定
VIN
×
IIN
参照推荐
工作温度
* 1。请参MOS FET A.S.O曲线
* 2 MOS FET TCH- EAS曲线
* 3参见MOS FET的Ta - PD1曲线
* 4参见TF- PD2曲线控制IC （见第5页）
* 5最大开关电流。最大开关电流是由驱动器决定的漏电流
电压的IC和MOS场效应晶体管的阈值电压（Vth） 。因此，在该事件是电压降
发生引脚1和引脚2之间，由于图案，最大开关电流减小如图
V
1-2
在图1因此请减少值的范围内使用该设备，指的是降额
曲线的最大开关电流。
* 6 。当嵌入这种混合IC到印刷电路板（板尺寸型15mm x 15mm ）
Fig.1
V
1-2
www.irf.com
IRIS-A6372
电气特性（用于控制IC）
为控制部分的电气特性（Ta = 25 ℃ ， VIN = 20V ，除非另有说明）
符号
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
IN（上）
I
中（关闭）
T
关（ MAX）的
VTH
I
OCP / FB
V
IN（ OVP ）
I
在（H）的
V
在（ La.OFF ）
Tj
（ TSD ）
德网络nition
操作启动电压
操作停止电压
*7
在运算电路电流
在非操作电路的电流
最大断时间
O.C.P / F.B引脚阈值电压
O.C.P / F.B针抽取电流
O.V.P工作电压
锁存电路保持电流* 8
锁存电路释放电压* 7,8
热关断工作温度
民
15.8
9.1
-
-
12
0.7
0.7
23.2
-
7.9
135
评级
典型值
17.6
10.1
-
-
15
0.76
0.8
25.5
-
-
-
最大
19.4
11.1
5
50
18
0.82
0.9
27.8
70
10.5
-
单位
V
V
mA
A
微秒
V
mA
V
A
V
℃
TEST
条件
Vin=0
→
19.4V
Vin=19.4
→
9.1V
-
Vin=15V
-
-
-
Vin=0
→
27.8V
Vin=27.8
→
(Vin(OFF)-0.3)V
Vin=27.8
→
7.9V
-
* 7 Ⅴ的关系
中（关闭）
＞V
在（ La.OFF ）
被施加于每个产品。
* 8锁存电路是指电路操作OVP和TSD
电气特性（ MOSFET ）
（ TA = 25 ℃ ），除非另有说明
符号
V
DSS
I
DSS
德网络nition
漏极至源极击穿电压
漏极漏电流
民
900
-
-
-
*9
-
评级
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
300
7.7
250
52
单位
V
A
Ω
纳秒
℃
/W
测试条件
ID=300A
V
2- 1
=0V(short)
V
DS
=900V
V
2- 1
=0V(short)
V
3- 2
=10V
I
D
=0.4A
R
DS （ ON）
导通电阻
tf
开关时间
θ
CH -F
热阻
-
通道之间
内部框架
* 9的内部框架温度（T
F
）的测量是在引脚5的根部。
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