STQ1NC60R
N沟道600V - 12Ω - 0.3A TO- 92
的PowerMESH II功率MOSFET
TYPE
STQ1NC60R
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS ( ON)
& LT ; 15
I
D
0.3 A
典型
DS
(上) = 12
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
TO-92
体积
TO-92
( AMMOPACK )
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY II
过程中,意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上该公司专有的边缘termi-
国家结构,给出每面积的最低的RDS(on ) ,
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
内部原理图
应用
s
低开关模式电源
( SMPS)的
s
电池充电器
订购信息
销售类型
STQ1NC60R
STQ1NC60R-AP
记号
Q1NC60R
Q1NC60R
包
TO-92
TO-92
包装
体积
Ammopack
2003年7月
1/9
STQ1NC60R
电气特性
( TCASE = 25°C除非另有说明)
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 0.3 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
0.87
108
18
2.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V,I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
(阻性负载参见图3 )
V
DD
= 480V ,我
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ,R
G
= 4.7
分钟。
典型值。
7.2
8
7.3
3.4
2.5
10
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480V ,我
D
= 1 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(感性负载参见图5 )
分钟。
典型值。
33
11
43
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 0.3 A,V
GS
= 0
I
SD
= 1 A, di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 25 V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
450
720
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.3
1.2
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9