STD2NC45-1
STQ1NC45
N沟道450V - 4.1Ω - 1.5 IPAK / TO- 92
超网功率MOSFET
TYPE
STD2NC45-1
STQ1NC45
s
s
s
s
s
V
DSS
450 V
450 V
R
DS （ ON）
< 4.5
< 4.5
I
D
1.5 A
0.5 A
Pw
30 W
3.1 W
3
2
1
典型
DS
（上） = 4.1
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
新的高压BENCHMARK
IPAK
TO-92
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
TO- 92 （ Ammopack ）
内部原理图
应用
s
开关模式节能用品
（ SMPS）的
s
低功耗，低成本的CFL （紧凑型
荧光灯）
s
低功耗的电池充电器
订购信息
销售类型
STD2NC45-1
STQ1NC45
STQ1NC45-AP
记号
D2NC45
Q1NC45
Q1NC45
包
IPAK
TO-92
TO-92
包装
管
体积
AMMOPAK
2003年6月
1/11
STD2NC45-1 ， STQ1NC45
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 A
2.3
3
4.1
分钟。
450
1
50
±100
3.7
4.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1.1
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
160
27.5
4.7
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 225 V，I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 360V ，我
D
= 1.5 A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
分钟。
典型值。
6.7
4
7
1.3
3.2
10
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 360V ，我
D
= 1.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
8.5
12
18
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 1.5 A ， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
225
530
4.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
6.0
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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