高级数据表
产品说明
斯坦福Microdevices的STQ - 3016是一种直接quadra-
TURE调制器针对使用在宽范围的commu-
通信业系统。该器件具有宽2500-4000
MHz的工作频率波段,优秀的载体和副作用
带抑制,以及低宽带噪声基底。
该STQ - 3016采用硅锗技术设备
并提供-13dBm的,具有50dB的典型输出功率
IM3抑制。关断功能包括了,
当启用时,衰减由60分贝输出。
STQ-3016
2500 - 4000兆赫
直接正交调制器
16引脚TSSOP封装,带有裸焊盘
包体: 0.20 X 0.17 X 0.04 (英寸)
5.0× 4.4× 1.0(毫米)
功能框图
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BBQN
VCC
VEE
RFP
RFN
VEE
产品特点
LO
QUADRATURE
发电机
2500-4000 MHz的工作频率
无需外部IF滤波器
极低的本底噪声性能
优秀的载波和边带抑制
低LO驱动器的要求
关闭功能
单5伏电源
支持宽带基带输入
应用
VCC
BBIN
数字通信系统
扩频通信系统
GMSK ,QPSK, QAM,单边带moduators
固定无线通信系统
关键的特定连接的阳离子
参数
频带
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
宽带本底噪声
LO驱动电平
见第2页一般测试条件
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福Microdevices公司
产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
测试条件(V
s
= 5.0V , I = 82毫安, T = 25℃ )
单位
兆赫
分钟。
2500
典型值。
马克斯。
4000
f
LO
3500兆赫
f
LO
= 3500兆赫,未优化
f
LO
3500兆赫
f
LO
= 3500 MHz的基带输入连接到1.9V
DC
,
-20兆赫的载波偏移
DBM
DBM
dB
dBm / Hz计
DBM
-9
+1
-40
33
-153
-6
-3
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
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高级数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
LO , RF输入
最小输入电压( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
最大输入电压( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
工作温度
储存温度
价值
6.0
+10
0
3
-40至+85
-65到+150
674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
单位
V
DC
DBM
V
DC
V
DC
C
C
LO输入
基带
输入
测试条件
V
S
TA
+5V
+25C
1.9V的直流偏置, 200kHz的频
昆西,每针300mVp - p值=
600mVp -P差分驱动,我
正交信号和Q信号
-5dBm @ 3500 MHz的
产品规格 - 射频输出
参数
频带
输出功率
RF端口回波损耗
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
IM3抑制
宽带本底噪声
正交相位误差
I / Q幅度平衡
双音基带输入@每个音600mVp - p微分
基带输入连接到1.9V
DC
, -20兆赫的载波偏移
未优化
3.2至3.8 GHz的,匹配到50欧姆参考。在评估板
其他测试条件
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
DBM
dB
dB
dBm / Hz计
度
dB
-3
-0.2
14
+1
-40
33
50
-153
+3
+0.2
分钟。
2500
-13
典型值。
马克斯。
4000
产品规格 - 调制输入
参数
基带频率输入
基带输入电阻
基带输入电容
其他测试条件
-3dB带宽,基带输入端的50欧姆
每个引脚
每个引脚
单位
兆赫
千欧
pF
分钟。
DC
4.4
0.5
典型值。
马克斯。
1000
产品规格 - LO输入
参数
可用的LO频率
LO驱动电平
LO端口回波损耗
3.2至3.8 GHz的,匹配到50欧姆参考。在评估板
其他测试条件
单位
兆赫
DBM
dB
分钟。
2500
-9
14
-6
典型值。
马克斯。
4000
-3
产品规格 - 其他
参数
关机衰减
关机引脚电阻
关机引脚电容
关机输入阈值
关机建立时间
电源电压
电源电流
器件热阻
结案件
@ 1MHz的
@ 1MHz的
其他测试条件
单位
dB
千欧
pF
—
ns
V
mA
摄氏度/ W
+4.75
分钟。
典型值。
60
6.1
0.7
CMOS
<500
+5
82
待定
+5.25
马克斯。
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福Microdevices公司
产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
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674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
典型的设备性能
图。 1 : SSB功率与LO频率
-8
5
图。 2 :输出P1dB为与LO频率
-10
输出P1dB为( DBM)
3
单边带功率(dBm )
-12
1
-14
-1
-16
-3
-18
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
-5
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
LO频率(MHz)
LO频率(MHz)
图。 3 :载波馈通与LO频率
-40
边带抑制(分贝)
40
图。 4 :边带抑制与LO频率
载波馈通( dBm的)
-42
38
-44
36
-46
34
-48
32
-50
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
30
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
LO频率(MHz)
LO频率(MHz)
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674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
小信号S参数
RF端口
频率
(兆赫)
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
单端
MAG 。
0.364
0.367
0.370
0.373
0.376
0.379
0.383
0.386
0.390
0.393
0.397
0.401
0.405
0.409
0.414
0.418
ANG 。
124.9
123.1
121.3
119.6
117.8
116.1
114.4
112.8
111.1
109.5
107.9
106.4
104.8
103.3
101.8
100.3
迪FF erential
MAG 。
0.320
0.330
0.339
0.349
0.358
0.366
0.375
0.384
0.392
0.400
0.408
0.416
0.424
0.432
0.440
0.447
ANG 。
55.75
54.86
53.98
53.12
52.29
51.48
50.69
49.92
49.17
48.44
47.73
47.04
46.36
45.7
45.06
44.43
LO端口
频率
(兆赫)
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
单端
MAG 。
0.303
0.315
0.327
0.339
0.351
0.363
0.375
0.387
0.399
0.411
0.423
0.434
0.446
0.458
0.469
0.480
ANG 。
68.71
67.80
66.89
65.97
65.05
64.12
63.19
62.26
61.32
60.37
59.43
58.48
57.53
56.57
55.61
54.65
迪FF erential
MAG 。
0.695
0.681
0.667
0.654
0.641
0.629
0.618
0.607
0.597
0.588
0.580
0.573
0.566
0.561
0.556
0.552
ANG 。
-109.9
-114.4
-118.9
-123.4
-127.9
-132.5
-137.0
-141.6
-146.2
-150.8
-155.3
-159.9
-164.5
-169.0
-173.5
-178.0
注意事项:
1. VCC = + 5.0V , T = + 25C 。
2.对于单端S参数,相应的差分引脚悬空。
3.数据被引用到的封装引线脚,并且不包括所述应用电路。
4.所有数据模拟。
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674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
引脚输出说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
BBIN
VCC
VEE
RFN
RFP
VEE
VCC
BBQN
描述
Q信道的基带输入,正极端子
正电源( + 5V )
地
本地振荡器输入,正端
本地振荡器输入端,负端
地
关机控制
I信道的基带输入,正极端子
I信道的基带输入,负端
正电源( + 5V )
地
RF输出端,负端
RF输出,正端
地
正电源( + 5V )
Q信道的基带输入,负端
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
CMOS逻辑电平。逻辑高=正常运行;
逻辑低=关机功能。
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
其他评论
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
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产品说明
斯坦福Microdevices的STQ - 3016是一种直接quadra-
TURE调制器针对使用在宽范围的commu-
通信业系统。该器件具有宽2500-4000
MHz的工作频率波段,优秀的载体和副作用
带抑制,以及低宽带噪声基底。
该STQ - 3016采用硅锗技术设备
并提供-13dBm的,具有50dB的典型输出功率
IM3抑制。关断功能包括了,
当启用时,衰减由60分贝输出。
STQ-3016
2500 - 4000兆赫
直接正交调制器
16引脚TSSOP封装,带有裸焊盘
包体: 0.20 X 0.17 X 0.04 (英寸)
5.0× 4.4× 1.0(毫米)
功能框图
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BBQN
VCC
VEE
RFP
RFN
VEE
产品特点
LO
QUADRATURE
发电机
2500-4000 MHz的工作频率
无需外部IF滤波器
极低的本底噪声性能
优秀的载波和边带抑制
低LO驱动器的要求
关闭功能
单5伏电源
支持宽带基带输入
应用
VCC
BBIN
数字通信系统
扩频通信系统
GMSK ,QPSK, QAM,单边带moduators
固定无线通信系统
关键的特定连接的阳离子
参数
频带
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
宽带本底噪声
LO驱动电平
见第2页一般测试条件
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
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产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
测试条件(V
s
= 5.0V , I = 82毫安, T = 25℃ )
单位
兆赫
分钟。
2500
典型值。
马克斯。
4000
f
LO
3500兆赫
f
LO
= 3500兆赫,未优化
f
LO
3500兆赫
f
LO
= 3500 MHz的基带输入连接到1.9V
DC
,
-20兆赫的载波偏移
DBM
DBM
dB
dBm / Hz计
DBM
-9
+1
-40
33
-153
-6
-3
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绝对最大额定值
参数
电源电压
LO , RF输入
最小输入电压( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
最大输入电压( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
工作温度
储存温度
价值
6.0
+10
0
3
-40至+85
-65到+150
674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
单位
V
DC
DBM
V
DC
V
DC
C
C
LO输入
基带
输入
测试条件
V
S
TA
+5V
+25C
1.9V的直流偏置, 200kHz的频
昆西,每针300mVp - p值=
600mVp -P差分驱动,我
正交信号和Q信号
-5dBm @ 3500 MHz的
产品规格 - 射频输出
参数
频带
输出功率
RF端口回波损耗
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
IM3抑制
宽带本底噪声
正交相位误差
I / Q幅度平衡
双音基带输入@每个音600mVp - p微分
基带输入连接到1.9V
DC
, -20兆赫的载波偏移
未优化
3.2至3.8 GHz的,匹配到50欧姆参考。在评估板
其他测试条件
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
DBM
dB
dB
dBm / Hz计
度
dB
-3
-0.2
14
+1
-40
33
50
-153
+3
+0.2
分钟。
2500
-13
典型值。
马克斯。
4000
产品规格 - 调制输入
参数
基带频率输入
基带输入电阻
基带输入电容
其他测试条件
-3dB带宽,基带输入端的50欧姆
每个引脚
每个引脚
单位
兆赫
千欧
pF
分钟。
DC
4.4
0.5
典型值。
马克斯。
1000
产品规格 - LO输入
参数
可用的LO频率
LO驱动电平
LO端口回波损耗
3.2至3.8 GHz的,匹配到50欧姆参考。在评估板
其他测试条件
单位
兆赫
DBM
dB
分钟。
2500
-9
14
-6
典型值。
马克斯。
4000
-3
产品规格 - 其他
参数
关机衰减
关机引脚电阻
关机引脚电容
关机输入阈值
关机建立时间
电源电压
电源电流
器件热阻
结案件
@ 1MHz的
@ 1MHz的
其他测试条件
单位
dB
千欧
pF
—
ns
V
mA
摄氏度/ W
+4.75
分钟。
典型值。
60
6.1
0.7
CMOS
<500
+5
82
待定
+5.25
马克斯。
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
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674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
典型的设备性能
图。 1 : SSB功率与LO频率
-8
5
图。 2 :输出P1dB为与LO频率
-10
输出P1dB为( DBM)
3
单边带功率(dBm )
-12
1
-14
-1
-16
-3
-18
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
-5
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
LO频率(MHz)
LO频率(MHz)
图。 3 :载波馈通与LO频率
-40
边带抑制(分贝)
40
图。 4 :边带抑制与LO频率
载波馈通( dBm的)
-42
38
-44
36
-46
34
-48
32
-50
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
30
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
LO频率(MHz)
LO频率(MHz)
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
3
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高级数据表
674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
小信号S参数
RF端口
频率
(兆赫)
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
单端
MAG 。
0.364
0.367
0.370
0.373
0.376
0.379
0.383
0.386
0.390
0.393
0.397
0.401
0.405
0.409
0.414
0.418
ANG 。
124.9
123.1
121.3
119.6
117.8
116.1
114.4
112.8
111.1
109.5
107.9
106.4
104.8
103.3
101.8
100.3
迪FF erential
MAG 。
0.320
0.330
0.339
0.349
0.358
0.366
0.375
0.384
0.392
0.400
0.408
0.416
0.424
0.432
0.440
0.447
ANG 。
55.75
54.86
53.98
53.12
52.29
51.48
50.69
49.92
49.17
48.44
47.73
47.04
46.36
45.7
45.06
44.43
LO端口
频率
(兆赫)
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
单端
MAG 。
0.303
0.315
0.327
0.339
0.351
0.363
0.375
0.387
0.399
0.411
0.423
0.434
0.446
0.458
0.469
0.480
ANG 。
68.71
67.80
66.89
65.97
65.05
64.12
63.19
62.26
61.32
60.37
59.43
58.48
57.53
56.57
55.61
54.65
迪FF erential
MAG 。
0.695
0.681
0.667
0.654
0.641
0.629
0.618
0.607
0.597
0.588
0.580
0.573
0.566
0.561
0.556
0.552
ANG 。
-109.9
-114.4
-118.9
-123.4
-127.9
-132.5
-137.0
-141.6
-146.2
-150.8
-155.3
-159.9
-164.5
-169.0
-173.5
-178.0
注意事项:
1. VCC = + 5.0V , T = + 25C 。
2.对于单端S参数,相应的差分引脚悬空。
3.数据被引用到的封装引线脚,并且不包括所述应用电路。
4.所有数据模拟。
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福Microdevices公司
产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
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高级数据表
674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
引脚输出说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
BBIN
VCC
VEE
RFN
RFP
VEE
VCC
BBQN
描述
Q信道的基带输入,正极端子
正电源( + 5V )
地
本地振荡器输入,正端
本地振荡器输入端,负端
地
关机控制
I信道的基带输入,正极端子
I信道的基带输入,负端
正电源( + 5V )
地
RF输出端,负端
RF输出,正端
地
正电源( + 5V )
Q信道的基带输入,负端
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
CMOS逻辑电平。逻辑高=正常运行;
逻辑低=关机功能。
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
其他评论
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
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高级数据表
产品说明
斯坦福Microdevices的STQ - 3016是一种直接quadra-
TURE调制器针对使用在宽范围的commu-
通信业系统。该器件具有宽2500-4000
MHz的工作频率波段,优秀的载体和副作用
带抑制,以及低宽带噪声基底。
该STQ - 3016采用硅锗技术设备
并提供-13dBm的,具有50dB的典型输出功率
IM3抑制。关断功能包括了,
当启用时,衰减由60分贝输出。
STQ-3016
2500 - 4000兆赫
直接正交调制器
16引脚TSSOP封装,带有裸焊盘
包体: 0.20 X 0.17 X 0.04 (英寸)
5.0× 4.4× 1.0(毫米)
功能框图
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BBQN
VCC
VEE
RFP
RFN
VEE
产品特点
LO
QUADRATURE
发电机
2500-4000 MHz的工作频率
无需外部IF滤波器
极低的本底噪声性能
优秀的载波和边带抑制
低LO驱动器的要求
关闭功能
单5伏电源
支持宽带基带输入
应用
VCC
BBIN
数字通信系统
扩频通信系统
GMSK ,QPSK, QAM,单边带moduators
固定无线通信系统
关键的特定连接的阳离子
参数
频带
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
宽带本底噪声
LO驱动电平
见第2页一般测试条件
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福Microdevices公司
产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
测试条件(V
s
= 5.0V , I = 82毫安, T = 25℃ )
单位
兆赫
分钟。
2500
典型值。
马克斯。
4000
f
LO
3500兆赫
f
LO
= 3500兆赫,未优化
f
LO
3500兆赫
f
LO
= 3500 MHz的基带输入连接到1.9V
DC
,
-20兆赫的载波偏移
DBM
DBM
dB
dBm / Hz计
DBM
-9
+1
-40
33
-153
-6
-3
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绝对最大额定值
参数
电源电压
LO , RF输入
最小输入电压( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
最大输入电压( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
工作温度
储存温度
价值
6.0
+10
0
3
-40至+85
-65到+150
674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
单位
V
DC
DBM
V
DC
V
DC
C
C
LO输入
基带
输入
测试条件
V
S
TA
+5V
+25C
1.9V的直流偏置, 200kHz的频
昆西,每针300mVp - p值=
600mVp -P差分驱动,我
正交信号和Q信号
-5dBm @ 3500 MHz的
产品规格 - 射频输出
参数
频带
输出功率
RF端口回波损耗
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
IM3抑制
宽带本底噪声
正交相位误差
I / Q幅度平衡
双音基带输入@每个音600mVp - p微分
基带输入连接到1.9V
DC
, -20兆赫的载波偏移
未优化
3.2至3.8 GHz的,匹配到50欧姆参考。在评估板
其他测试条件
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
DBM
dB
dB
dBm / Hz计
度
dB
-3
-0.2
14
+1
-40
33
50
-153
+3
+0.2
分钟。
2500
-13
典型值。
马克斯。
4000
产品规格 - 调制输入
参数
基带频率输入
基带输入电阻
基带输入电容
其他测试条件
-3dB带宽,基带输入端的50欧姆
每个引脚
每个引脚
单位
兆赫
千欧
pF
分钟。
DC
4.4
0.5
典型值。
马克斯。
1000
产品规格 - LO输入
参数
可用的LO频率
LO驱动电平
LO端口回波损耗
3.2至3.8 GHz的,匹配到50欧姆参考。在评估板
其他测试条件
单位
兆赫
DBM
dB
分钟。
2500
-9
14
-6
典型值。
马克斯。
4000
-3
产品规格 - 其他
参数
关机衰减
关机引脚电阻
关机引脚电容
关机输入阈值
关机建立时间
电源电压
电源电流
器件热阻
结案件
@ 1MHz的
@ 1MHz的
其他测试条件
单位
dB
千欧
pF
—
ns
V
mA
摄氏度/ W
+4.75
分钟。
典型值。
60
6.1
0.7
CMOS
<500
+5
82
待定
+5.25
马克斯。
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674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
典型的设备性能
图。 1 : SSB功率与LO频率
-8
5
图。 2 :输出P1dB为与LO频率
-10
输出P1dB为( DBM)
3
单边带功率(dBm )
-12
1
-14
-1
-16
-3
-18
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
-5
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
LO频率(MHz)
LO频率(MHz)
图。 3 :载波馈通与LO频率
-40
边带抑制(分贝)
40
图。 4 :边带抑制与LO频率
载波馈通( dBm的)
-42
38
-44
36
-46
34
-48
32
-50
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
30
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
LO频率(MHz)
LO频率(MHz)
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674 ????? “ LUHFW 4XDGUDWXUH 0RGXODWRU
小信号S参数
RF端口
频率
(兆赫)
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
单端
MAG 。
0.364
0.367
0.370
0.373
0.376
0.379
0.383
0.386
0.390
0.393
0.397
0.401
0.405
0.409
0.414
0.418
ANG 。
124.9
123.1
121.3
119.6
117.8
116.1
114.4
112.8
111.1
109.5
107.9
106.4
104.8
103.3
101.8
100.3
迪FF erential
MAG 。
0.320
0.330
0.339
0.349
0.358
0.366
0.375
0.384
0.392
0.400
0.408
0.416
0.424
0.432
0.440
0.447
ANG 。
55.75
54.86
53.98
53.12
52.29
51.48
50.69
49.92
49.17
48.44
47.73
47.04
46.36
45.7
45.06
44.43
LO端口
频率
(兆赫)
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
3600
3700
3800
3900
4000
单端
MAG 。
0.303
0.315
0.327
0.339
0.351
0.363
0.375
0.387
0.399
0.411
0.423
0.434
0.446
0.458
0.469
0.480
ANG 。
68.71
67.80
66.89
65.97
65.05
64.12
63.19
62.26
61.32
60.37
59.43
58.48
57.53
56.57
55.61
54.65
迪FF erential
MAG 。
0.695
0.681
0.667
0.654
0.641
0.629
0.618
0.607
0.597
0.588
0.580
0.573
0.566
0.561
0.556
0.552
ANG 。
-109.9
-114.4
-118.9
-123.4
-127.9
-132.5
-137.0
-141.6
-146.2
-150.8
-155.3
-159.9
-164.5
-169.0
-173.5
-178.0
注意事项:
1. VCC = + 5.0V , T = + 25C 。
2.对于单端S参数,相应的差分引脚悬空。
3.数据被引用到的封装引线脚,并且不包括所述应用电路。
4.所有数据模拟。
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更,恕不
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引脚输出说明
针#
1
2
3
4
5
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7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
BBIN
VCC
VEE
RFN
RFP
VEE
VCC
BBQN
描述
Q信道的基带输入,正极端子
正电源( + 5V )
地
本地振荡器输入,正端
本地振荡器输入端,负端
地
关机控制
I信道的基带输入,正极端子
I信道的基带输入,负端
正电源( + 5V )
地
RF输出端,负端
RF输出,正端
地
正电源( + 5V )
Q信道的基带输入,负端
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
CMOS逻辑电平。逻辑高=正常运行;
逻辑低=关机功能。
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
其他评论
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
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