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STPS660CB(-TR)
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
V
F
(最大)
特点和优点
开关损耗极小
低正向电压降
低电容
高反向雪崩潮
能力
卷带式选项: -TR
描述
高电压双肖特基整流器适用于
开关电源和其它电源
转换器。
包装DPAK ,该器件旨在用于
在中压运行,并且特别地,在
高频电路系统,其中低开关
损失是必需的。
DPAK
4
2x3A
60 V
0.59 V
1
2,4 (T B)的
A
3
2
1
3
绝对额定值(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
存储温度范围
最高结温
关键的增长速度反向电压
温度上限为120 ℃,
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2
s
F = 1kHz时
价值
60
6
3
50
1
- 65至+ 150
125
10000
V / μs的
单位
V
A
A
A
A
°C
1998年7月 - 埃德: 1C
1/3
STPS660CB(-TR)
热阻
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
每二极管
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
**
脉冲测试:
价值
3.5
2
单位
° C / W
测试条件
反向漏电流
正向电压降
* TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A
V
R
= 60 V
分钟。
典型值。
2.5
0.55
马克斯。
30
10
0.65
0.59
单位
A
mA
V
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.49 ×1
F( AV )
+ 0.035 I
F2(RMS)
典型的结电容,V
R
= 0 V
F = 1MHz的
TJ = 25°C
C = 815pF
2/3
STPS660CB(-TR)
包装机械数据
DPAK
尺寸
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
MILLIMETERS
分钟。
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.80
0.60
1.00 0.023
典型值。
最大
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.086
0.035
0.001
0.025
0.204
0.017
0.018
0.236
0.251
0.173
0.368
0.031
0.039
英寸
典型值。马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
0.259
0.181
0.397
FOOT PRINT尺寸
(单位:毫米)
6.7
6.7
6.7
3
1.6
2.3
2.3
1.6
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暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1998意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 -
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    STPS660CB
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    -
    -
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STPS660CB
ST
13+
10950
TO-252(DPAK)
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STPS660CB
ST
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TO252DPAK
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ST/意法
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STPS660CB
ST
24+
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VSSOP8
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ST
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