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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第652页 > STPS5L40
STPS5L40
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
5A
40 V
150°C
0.44 V
特点和优点
开关损耗极小
低正向压降
更高的效率。
低热阻
雪崩能力指明
s
s
s
s
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频
逆变器。
包装DO- 201AD ,该装置适用于
在低电压输出用于小型电池充电器
&消费者SMPS如DVD和
机顶盒..
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
反向电压临界上升率(额定V
R
, TJ = 25 ° C)
TL = 100℃
δ
= 0.5
DO-201AD
STPS5L40
价值
40
15
5
150
2700
- 65至+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
半波,单相
TP = 10毫秒
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德: 2A
STPS5L40
热学参数
符号
R
号(j -a)的
R
号(j -1)的
结到环境
结到引线
导线长度= 10毫米
参数
价值
75
15
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 125°C
V
F
*
正向电压降
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 125°C
脉冲测试: * TP = 380微秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
单位
mA
V
R
= V
RRM
8
25
I
F
= 5 A
0.44
0.40
0.38
25
75
0.50
0.46
0.44
V
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.34 ×1
F( AV )
+ 0.028 ×1
F2(RMS)
图。 1 :
导通损耗与平均电流。
PF (AV) (W)的
3.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
图。 2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) 。
IF ( AV ) (A )
6
δ
= 0.5
Rth的第(j-一)= Rth的第(j-升)
3.0
2.5
δ
=1
5
4
Rth(j-a)=75°C/W
2.0
3
1.5
2
1.0
T
T
0.5
1
IF ( AV ) (A )
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
δ
= TP / T
5.0
5.5
tp
0
δ
= TP / T
0
25
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
6.0
2/5
STPS5L40
图。 3 :
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 :
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5 :
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间(最大值) 。
IM ( A)
18
16
14
12
Ta=25°C
图。 6 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
10
8
6
4
I
M
Ta=100°C
Ta=50°C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
2
0
1.E-03
t
δ
=0.5
T( S)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TP (多个)
1.E+00
1.E+01
δ
= TP / T
1.E+02
tp
0.0
1.E-01
1.E+03
图。 7 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR (MA )
1.E+02
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 8 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
1000
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
1.E+01
Tj=100°C
Tj=75°C
1.E+00
Tj=50°C
100
1.E-01
Tj=25°C
1.E-02
VR ( V)
1.E-03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
VR ( V)
10
100
3/5
STPS5L40
图。 9-1 :
正向压降与前进
电流(低电平)。
IFM ( A)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Tj=125°C
(典型值)
Tj=25°C
(最大值)
Tj=125°C
(最大值)
图。 9-2 :
正向压降与前进
电流(高电平) 。
IFM ( A)
100
Tj=125°C
(最大值)
10
Tj=125°C
(典型值)
Tj=25°C
(最大值)
VFM ( V)
1
0.0
0.3
0.5
VFM ( V)
0.8
1.0
1.3
1.5
图。 10 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4 ,铜= 35微米) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
图。 11 :
热敏电阻与导线长度。
RTH ( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
第r (J -1)
RTH ( JA ) :环氧印刷电路板FR4 (铜=为35μm )
S(平方厘米)
10
Lleads ( cm)的
0
5
10
15
20
25
4/5
STPS5L40
包装机械数据
DO- 201AD塑料
B
A
B
C
注1
E
E
注1
D
D
注2
尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
25.40
5.30
1.30
1.25
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
9.50
英寸
分钟。
1.000
0.209
0.051
0.049
笔记
1 - 引线直径
D没有控制在区域E
2 - 的最小轴向长度内,装置
可被置于与它的引线弯曲成直角的
0.59" (15毫米)
马克斯。
0.374
订货型号
STPS5L40
STPS5L40RL
s
记号
STPS5L40
STPS5L40
DO-201AD
DO-201AD
重量
1.12g
1.12g
基地数量
600
1900
配送方式
Ammopack
磁带和卷轴
s
白带表示阴极
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
STPS5L40
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
5A
40 V
150°C
0.44 V
特点和优点
开关损耗极小
低正向压降
更高的效率。
低热阻
雪崩能力指明
s
s
s
s
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频
逆变器。
包装DO- 201AD ,该装置适用于
在低电压输出用于小型电池充电器
&消费者SMPS如DVD和
机顶盒..
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
反向电压临界上升率(额定V
R
, TJ = 25 ° C)
TL = 100℃
δ
= 0.5
DO-201AD
STPS5L40
价值
40
15
5
150
2700
- 65至+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
半波,单相
TP = 10毫秒
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德: 2A
STPS5L40
热学参数
符号
R
号(j -a)的
R
号(j -1)的
结到环境
结到引线
导线长度= 10毫米
参数
价值
75
15
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 125°C
V
F
*
正向电压降
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 125°C
脉冲测试: * TP = 380微秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
单位
mA
V
R
= V
RRM
8
25
I
F
= 5 A
0.44
0.40
0.38
25
75
0.50
0.46
0.44
V
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.34 ×1
F( AV )
+ 0.028 ×1
F2(RMS)
图。 1 :
导通损耗与平均电流。
PF (AV) (W)的
3.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
图。 2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) 。
IF ( AV ) (A )
6
δ
= 0.5
Rth的第(j-一)= Rth的第(j-升)
3.0
2.5
δ
=1
5
4
Rth(j-a)=75°C/W
2.0
3
1.5
2
1.0
T
T
0.5
1
IF ( AV ) (A )
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
δ
= TP / T
5.0
5.5
tp
0
δ
= TP / T
0
25
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
6.0
2/5
STPS5L40
图。 3 :
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 :
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5 :
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间(最大值) 。
IM ( A)
18
16
14
12
Ta=25°C
图。 6 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
10
8
6
4
I
M
Ta=100°C
Ta=50°C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
2
0
1.E-03
t
δ
=0.5
T( S)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TP (多个)
1.E+00
1.E+01
δ
= TP / T
1.E+02
tp
0.0
1.E-01
1.E+03
图。 7 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR (MA )
1.E+02
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 8 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
1000
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
1.E+01
Tj=100°C
Tj=75°C
1.E+00
Tj=50°C
100
1.E-01
Tj=25°C
1.E-02
VR ( V)
1.E-03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
VR ( V)
10
100
3/5
STPS5L40
图。 9-1 :
正向压降与前进
电流(低电平)。
IFM ( A)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Tj=125°C
(典型值)
Tj=25°C
(最大值)
Tj=125°C
(最大值)
图。 9-2 :
正向压降与前进
电流(高电平) 。
IFM ( A)
100
Tj=125°C
(最大值)
10
Tj=125°C
(典型值)
Tj=25°C
(最大值)
VFM ( V)
1
0.0
0.3
0.5
VFM ( V)
0.8
1.0
1.3
1.5
图。 10 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4 ,铜= 35微米) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
图。 11 :
热敏电阻与导线长度。
RTH ( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
第r (J -1)
RTH ( JA ) :环氧印刷电路板FR4 (铜=为35μm )
S(平方厘米)
10
Lleads ( cm)的
0
5
10
15
20
25
4/5
STPS5L40
包装机械数据
DO- 201AD塑料
B
A
B
C
注1
E
E
注1
D
D
注2
尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
25.40
5.30
1.30
1.25
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
9.50
英寸
分钟。
1.000
0.209
0.051
0.049
笔记
1 - 引线直径
D没有控制在区域E
2 - 的最小轴向长度内,装置
可被置于与它的引线弯曲成直角的
0.59" (15毫米)
马克斯。
0.374
订货型号
STPS5L40
STPS5L40RL
s
记号
STPS5L40
STPS5L40
DO-201AD
DO-201AD
重量
1.12g
1.12g
基地数量
600
1900
配送方式
Ammopack
磁带和卷轴
s
白带表示阴极
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
STPS5L40
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
5A
40 V
150°C
0.44 V
特点和优点
开关损耗极小
低正向压降
更高的效率。
低热阻
雪崩能力指明
s
s
s
s
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频
逆变器。
包装DO- 201AD ,该装置适用于
在低电压输出用于小型电池充电器
&消费者SMPS如DVD和
机顶盒..
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
反向电压临界上升率(额定V
R
, TJ = 25 ° C)
TL = 100℃
δ
= 0.5
DO-201AD
STPS5L40
价值
40
15
5
150
2700
- 65至+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
半波,单相
TP = 10毫秒
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德: 2A
STPS5L40
热学参数
符号
R
号(j -a)的
R
号(j -1)的
结到环境
结到引线
导线长度= 10毫米
参数
价值
75
15
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 125°C
V
F
*
正向电压降
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 125°C
脉冲测试: * TP = 380微秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
单位
mA
V
R
= V
RRM
8
25
I
F
= 5 A
0.44
0.40
0.38
25
75
0.50
0.46
0.44
V
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.34 ×1
F( AV )
+ 0.028 ×1
F2(RMS)
图。 1 :
导通损耗与平均电流。
PF (AV) (W)的
3.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
图。 2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) 。
IF ( AV ) (A )
6
δ
= 0.5
Rth的第(j-一)= Rth的第(j-升)
3.0
2.5
δ
=1
5
4
Rth(j-a)=75°C/W
2.0
3
1.5
2
1.0
T
T
0.5
1
IF ( AV ) (A )
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
δ
= TP / T
5.0
5.5
tp
0
δ
= TP / T
0
25
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
6.0
2/5
STPS5L40
图。 3 :
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 :
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5 :
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间(最大值) 。
IM ( A)
18
16
14
12
Ta=25°C
图。 6 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
10
8
6
4
I
M
Ta=100°C
Ta=50°C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
2
0
1.E-03
t
δ
=0.5
T( S)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TP (多个)
1.E+00
1.E+01
δ
= TP / T
1.E+02
tp
0.0
1.E-01
1.E+03
图。 7 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR (MA )
1.E+02
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 8 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
1000
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
1.E+01
Tj=100°C
Tj=75°C
1.E+00
Tj=50°C
100
1.E-01
Tj=25°C
1.E-02
VR ( V)
1.E-03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
VR ( V)
10
100
3/5
STPS5L40
图。 9-1 :
正向压降与前进
电流(低电平)。
IFM ( A)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Tj=125°C
(典型值)
Tj=25°C
(最大值)
Tj=125°C
(最大值)
图。 9-2 :
正向压降与前进
电流(高电平) 。
IFM ( A)
100
Tj=125°C
(最大值)
10
Tj=125°C
(典型值)
Tj=25°C
(最大值)
VFM ( V)
1
0.0
0.3
0.5
VFM ( V)
0.8
1.0
1.3
1.5
图。 10 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4 ,铜= 35微米) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
图。 11 :
热敏电阻与导线长度。
RTH ( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
第r (J -1)
RTH ( JA ) :环氧印刷电路板FR4 (铜=为35μm )
S(平方厘米)
10
Lleads ( cm)的
0
5
10
15
20
25
4/5
STPS5L40
包装机械数据
DO- 201AD塑料
B
A
B
C
注1
E
E
注1
D
D
注2
尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
25.40
5.30
1.30
1.25
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
9.50
英寸
分钟。
1.000
0.209
0.051
0.049
笔记
1 - 引线直径
D没有控制在区域E
2 - 的最小轴向长度内,装置
可被置于与它的引线弯曲成直角的
0.59" (15毫米)
马克斯。
0.374
订货型号
STPS5L40
STPS5L40RL
s
记号
STPS5L40
STPS5L40
DO-201AD
DO-201AD
重量
1.12g
1.12g
基地数量
600
1900
配送方式
Ammopack
磁带和卷轴
s
白带表示阴极
环氧符合UL94 , V0
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利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
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