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STPS20200C
功率肖特基二极管
数据表
生产数据
特点
二极管1
二极管2
A1
K
A2
低正向压降
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低热阻
-40 ℃的最低操作时间
j
绝缘封装形式：TO - 220FPAB
- 绝缘电压： 2000 V DC
- 电容： 45 pF的
ECOPACK
2兼容的组件
K
A1
K
A2
A1
A2
K
TO-220AB
STPS20200CT
K
K
TO-220FPAB
STPS20200CFP
描述
该器件是一款双中心抽头200 V肖特基
整流器适用于开关模式电源
和高频率的DC到DC转换器。
A2
A1
A1
K
A2
D2PAK
STPS20200CG-TR
TO-220AB
狭窄的线索
STPS20200CTN
封装采用TO- 220AB ， TO- 220AB窄线索，
TO- 220FPAB和DPAK中，特别意
用作次级整流的开关电源，是
也适用于所有的LED照明应用。
表1.设备摘要
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
T
J（下最大）
V
F（典型值）
价值
2 ×10
200 V
175 °C
0.64 V
2013年10月
这是在满负荷生产一个产品信息。
DocID024382第2版
1/15
www.st.com
15
特征
STPS20200C
1
特征
表2.绝对额定值（限制值，每二极管，除非另有说明）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
反向重复峰值电压
正向电流有效值
参数
价值
200
30
20
20
180
-65到+175
-40到+175
UNI
t
V
A
A
A
A
°C
°C
TO- 220AB ，D
2
PAK ，
平均正向电流，
δ =
0.5 ， TO 220AB狭窄联T
c
= 160 ℃，每设备
方波
TO-220FPAB
T
c
= 105 ℃，每设备
浪涌不重复正向
当前
存储温度范围
工作结温范围
(1)
1
＆ LT ;
--------------------------
)
条件，以避免热失控的自身散热片的二极管
RTH
(
j
–
a
I
FSM
T
英镑
T
j
1.
dPtot
--------------
-
DTJ
t
p
= 10 ms的正弦波，T
AMB
= 25 °C
表3.热参数
符号
参数
D
2
PAK ， TO- 220AB ， TO- 220AB窄线索
R
日（J -C ）
结到外壳
TO-220FPAB
D
2
PAK ， TO- 220AB ， TO- 220AB窄线索
R
TH（ C）
耦合
TO-220FPAB
3.30
每二极管
每个器件
5.00
4.15
0.20
° C / W
每二极管
每个器件
价值
1.30
0.75
单位
一般的公式来计算牛逼
J
（ diode1 ）和T
J
（ diode2 ） ：
T
j
（ diode1 ） = P（ diode1 ）×
R
日（J -C ）
（每二极管） + P（ diode2 ）×
R
TH（ C）
+ T
例
T
j
（ diode2 ） = P（ diode2 ）×
R
日（J -C ）
（每二极管） + P（ diode1 ）×
R
TH（ C）
+ T
例
2/15
DocID024382第2版
STPS20200C
表4.静态电气特性（每二极管）
符号
测试条件
T
j
= 25 °C
I
R(1)
反向漏电流
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
V
F(1)
正向电压降
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
R
= V
RRM
V
R
= 150 V
I
F
= 10 A
分钟。
典型值。
特征
马克斯。
15
单位
A
mA
1.3
7
4.5
0.86
V
V
0.64
0.70
1.脉冲测试：吨
p
= 380 s,
δ
＆ LT ; 2 ％
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 0.6 ×1
F（ AV ）
+ 0.01 I
F2(RMS)
注意：
更多信息可在应用笔记提供：
的传导损耗在电源整流AN604计算
反向损耗功率二极管AN4021计算
DocID024382第2版
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特征
STPS20200C
图1.平均正向功率耗散
与平均正向电流（每二极管）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
T
图2.正向压降与前进
电流（每二极管）
100.0
IFM （ A）
TJ = 125°C
（最大值）
10.0
TJ = 125°C
（典型值）
TJ = 25 C
（最大值）
TJ = 25 C
（典型值）
P
F（ AV ）
(W)
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
=1
1.0
I
F（ AV ）
(A)
δ
= TP / T
tp
VFM （ V）
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
图3.反向漏电流随
反向施加电压（典型值，每
二极管）
我（毫安）
1.E+01
R
T
j
=150°C
图4.结电容与反向
应用（典型值，每个二极管）电压
C（ pF）的
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
1000
1.E+00
T
j
=125°C
T
j
=100°C
T
j
=75°C
1.E-01
100
1.E-02
T
j
=50°C
1.E-03
T
j
=25°C
V
R
(V)
1.E-04
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10
1
10
V
R
(V)
100
1000
热图5.相对变化
阻抗结到外壳与脉冲
长短
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
单脉冲
TO- 220AB / TO- 220AB窄引线/ DPAK
热图6.相对变化
阻抗结到外壳与脉冲
持续时间（TO- 220FPAB ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
单脉冲
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
T
0.2
tp
T
t
p
(s)
δ
= TP / T
0.1
0.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
t
p
(s)
1.E+00
δ
= TP / T
1.E+01
tp
1.E+02
4/15
DocID024382第2版
STPS20200C
特征
图7.热阻结到环境与选项卡下的铜表面
80
70
60
50
40
30
20
10
S
Cu
（平方厘米）
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
环氧树脂印刷电路板FR4
铜厚度= 35微米
DPAK
DocID024382第2版
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