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STPS1L30A/U
电力低压降肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
特点和优点
非常低正向电压降
较小的功耗
优化的导通/扭转亏损局面
权衡这意味着最高
产量的应用
表面贴装微型封装
SMA
STPS1L30A
JEDEC DO- 214AC
SMB
STPS1L30U
JEDEC DO- 214AA
1A
30 V
150 °C
0.3 V
描述
单肖特基整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC转换
流器,续流二极管和集成电路
闩锁保护。
包装SMA和SMB ,该设备是埃斯佩
cially用于并联使用的MOSFET在
同步整流。
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
I
RSM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 135°C
δ
= 0.5
TP = 10 ms的正弦
TP = 2
s
F = 1kHz方
TP = 100
s
参数
反向重复峰值电压
价值
30
10
1
75
1
1
- 65至+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
A
A
°C
°C
V / μs的
dPtot
1
& LT ;
热失控条件对自己的散热器二极管
RTH
(
j
a
)
DTJ
1/5
1999年8月 - 埃德: 4A
STPS1L30A/U
热阻
符号
R
号(j -1)的
交界处领导
参数
SMA
SMB
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
脉冲测试:
* TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
价值
30
25
单位
° C / W
分钟。
典型值。
6
马克斯。
200
15
0.395
0.3
0.445
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
0.26
I
F
= 2 A
0.325 0.375
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.225 ×1
F( AV )
+ 0.075 I
F2(RMS)
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF (AV) (W)的
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.0
图。 2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) 。
1.2
IF ( AV ) (A )
Rth的第(j-一)= Rth的第(j-升)
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
= 0.2
δ
= 0.5
1.0
0.8
δ
=1
Rth(j-a)=120°C/W
Rth(j-a)=100°C/W
0.6
0.4
T
T
0.2
IF ( AV ) (A )
0.2
0.4
0.6
0.8
δ
= TP / T
tp
0.0
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
1.0
1.2
0
25
图。 3-1 :
非重复浪涌峰值正向电流
租金与过载时间(最大值)
(SMA) 。
IM ( A)
10
8
6
4
2
0
1E-3
I
M
t
图。 3-2 :
非重复浪涌峰值正向电流
租金与过载时间(最大值)
(SMB) 。
IM ( A)
10
8
Ta=25°C
Ta=25°C
6
Ta=50°C
Ta=50°C
4
Ta=100°C
Ta=100°C
2
0
1E-3
I
M
t
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
2/5
STPS1L30A/U
图。 4-1 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
印刷电路板,电子(铜) = 35微米,推荐
键盘布局) ( SMB ) 。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
0.8
0.6
0.4
T
图。 4-2 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
印刷电路板,电子(铜) = 35微米,推荐
键盘布局) ( SMA ) 。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.2
0.0
1E-2
TP (多个)
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
tp
0.2
1E+2
5E+2
0.0
1E-2
TP (多个)
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
tp
1E+2
5E+2
图。 5 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
0
5
Tj=25°C
图。 6 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
500
IR (MA )
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
F=1MHz
Tj=25°C
100
VR ( V)
10
15
20
25
30
10
1
2
VR ( V)
5
10
20
30
图。 7-1 :
正向压降与正向电流
租(典型值,高层次) 。
IFM ( A)
10.00
图。 7-2 :
正向压降与正向电流
租(最大值,低电平) 。
IFM ( A)
Tj=125°C
Tj=100°C
3.0
2.5
Tj=100°C
2.0
Tj=150°C
典型值
Tj=150°C
1.00
Tj=25°C
1.5
Tj=25°C
1.0
0.5
VFM ( V)
0.10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
VFM ( V)
0.0
0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60
3/5
STPS1L30A/U
图。 8-1 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4,铜厚度:
为35μm ) (SMB) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
120
100
80
60
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
图。 8-2 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4,铜厚度: 35μm的)
(SMA) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
S(铜)(平方厘米)
2
3
4
5
包装机械数据
SMA
尺寸
REF 。
E1
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.70
0.20
1.65
0.41
5.60
4.60
2.95
1.60
英寸
分钟。
0.075
0.002
0.049
0.006
0.189
0.156
0.089
0.030
马克斯。
0.106
0.008
0.065
0.016
0.220
0.181
0.116
0.063
A1
D
1.90
0.05
1.25
0.15
4.80
3.95
2.25
0.75
A2
b
E
c
E
A1
E1
C
L
A2
D
b
L
FOOT PRINT尺寸
(单位:毫米)
1.65
1.45
2.40
1.45
4/5
STPS1L30A/U
包装机械数据
SMB
尺寸
E1
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.45
0.20
2.20
0.41
5.60
4.60
3.95
1.60
英寸
分钟。
0.075
0.002
0.077
0.006
0.201
0.159
0.130
0.030
马克斯。
0.096
0.008
0.087
0.016
0.220
0.181
0.156
0.063
D
A1
A2
b
1.90
0.05
1.95
0.15
5.10
4.05
3.30
0.75
E
c
E
A1
E1
C
L
A2
D
b
L
FOOT PRINT尺寸
(单位:毫米)
2.3
1.52
2.75
1.52
订货型号
STPS1L30U
STPS1L30A
记号
G23
GB3
SMB
SMA
重量
0.107g
0.068g
基地数量
2500
5000
配送方式
磁带&卷轴
磁带&卷轴
乐队表示阴极
环氧符合UL94 , V0
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