STPS1L30
电力低压降肖特基整流器
表1 ：主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
（最大）
V
F
（最大）
特点和优点
■
■
1A
30 V
150°C
0.3 V
SMA
（ JEDEC DO- 214AC ）
STPS1L30A
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
STPS1L30U
■
■
更少的功耗非常低正向电压降
耗散
优化的导通/扭转亏损局面的权衡
这意味着最高产量的
应用
表面贴装微型封装
雪崩能力指明
描述
单肖特基整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC转换
流器，续流二极管和集成电路
闩锁保护。
包装SMA和SMB ，该设备是埃斯佩
cially用于并联使用的MOSFET在
同步整流。
表3 ：绝对额定值
（限制值）
符号
参数
V
RRM
反向重复峰值电压
I
F（ RMS ）
RMS正向电压
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
表2 ：订购代码
产品型号
STPS1L30A
STPS1L30U
记号
GB3
G23
价值
30
10
T
L
= 135°C
δ
= 0.5
TP = 10ms的正弦
TP = 2μs的F = 1kHz方
TP = 100μs的方
TP = 1μs的TJ = 25°C
1
75
1
1
1500
-65到+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
1
dPtot
-
*： --------------- > -------------------------热失控条件的二极管自己的散热器
DTJ
RTH
(
j
–
a
)
2004年8月
启示录6
1/7
STPS1L30
表4 ：热阻
符号
R
号（j -1）的
交界处领导
参数
SMA
SMB
价值
30
25
单位
° C / W
表5 ：静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
j
= 25°C
V
F
*
正向电压降
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
脉冲测试：
* TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
分钟。
典型值
6
0.26
0.325
马克斯。
200
15
0.395
0.3
0.445
0.375
单位
A
mA
V
R
= V
RRM
I
F
= 1A
I
F
= 2A
V
评估的导通损耗可使用以下公式：P = 0.225 ×1
F（ AV ）
+ 0.075 I
F（ RMS ）
2
图1 ：平均正向功率耗散
与平均正向电流
P
F（ AV ）
(W)
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
图2：平均正向电流对
环境温度（ δ = 0.5）
I
F（ AV ）
(A)
1.2
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
R
号（j -a）的
=R
号（j - I）的
1.0
0.8
0.6
0.4
R
号（j -a）的
=120°C/W
R
号（j -a）的
=100°C/W
δ
=1
T
0.2
T
I
F（ AV ）
(A)
δ
= TP / T
1.0
tp
0.0
δ
= TP / T
0
25
tp
50
T
AMB
(°C)
75
100
125
150
1.2
图3：归一化的雪崩
降额与脉冲持续时间
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
动力
图4 ：归雪崩
降额与结温
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
动力
0.1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.01
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
2/7
STPS1L30
图5 ：不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值）（ SMA）的
I
M
(A)
10
图6 ：不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值）（ SMB）的
I
M
(A)
10
8
8
T
a
=25°C
6
T
a
=25°C
6
4
T
a
=50°C
4
T
a
=50°C
2
I
M
t
T
a
=100°C
2
I
M
t
T
a
=100°C
δ
=0.5
T（ S）
0
1E-2
1E-1
1E+0
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
1E-3
图7 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（环氧树脂印刷电路板中，
E（铜） = 35μm的，建议焊盘布局） （ SMA ）
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
图8 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（环氧树脂印刷电路板中，
E（铜） = 35μm的，建议焊盘布局） （ SMB ）
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
0.8
0.8
0.6
δ
= 0.5
0.6
δ
= 0.5
0.4
δ
= 0.2
0.4
T
0.2
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
0.2
δ
= 0.1
单脉冲
t
p
(s)
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
1E+2
tp
5E+2
0.0
1E-2
t
p
(s)
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
1E-2
δ
= TP / T
1E+2
tp
5E+2
图9 ：反向漏电流随
施加反向电压（典型值）的
I
R
（MA ）
1E+2
T
j
=150°C
图10 ：结电容与
施加反向电压（典型值）的
C（ pF）的
500
F=1MHz
T
j
=25°C
1E+1
T
j
=125°C
T
j
=100°C
1E+0
100
1E-1
T
j
=25°C
1E-2
V
R
(V)
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
10
1
2
V
R
(V)
5
10
20
30
3/7
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