特征
STPS1545C
1
特征
表1中。
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
1.
dPtot
---------------
DTJ
绝对额定值（限制值）
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电压
平均正向电流
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温
(1)
关键的增长速度反向电压
T
c
= 157 ℃，每二极管
t
p
= 10毫秒
正弦
t
p
= 2微秒方
F = 1千赫
t
p
= 100μs的方
t
p
= 1微秒牛逼
j
= 25°C
价值
45
20
7.5
150
1
2
2700
-65到+ 175
175
10000
单位
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
1
＆ LT ;
--------------------------
热失控条件对自己的散热器二极管
RTH
(
j
–
a
)
表2中。
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C）
热阻
参数
结到外壳
每二极管
总
耦合
价值
3.0
1.7
0.35
单位
° C / W
当二极管1和2同时使用：
Δ
TJ （二极管1 ） = P （ diode1 ）个R
日（J -C ）
（每二极管） + P（二极管2 ）个R
TH（ C）
表3中。
符号
I
R(1)
静态电气特性（每二极管）
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
V
R
=V
RRM
I
F
= 7.5A
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
0.65
分钟。
典型值。
马克斯。
100
5
0.5
15
0.57
0.84
0.72
V
单位
A
mA
V
F(1)
正向电压降
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.脉冲测试： TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
为了评估损失使用下面的方程的导通：
P = 0.42 ×1
F（ AV ）
+ 0.020 I
F2(RMS)
2/9
STPS1545CT/CF/CG/CFP/CR
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj max的
V
F
（最大）
2× 7.5 A
45 V
175 °C
0.57 V
A1
K
A2
特点和优点
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
预绝缘
包装：
ISOWATT220AB,
TO-220FPAB
绝缘电压= 2000V DC
电容为12pF =
雪崩能力指明
s
s
s
s
s
A2
A1
K
A1
A2
K
TO-220AB
STPS1545CT
ISOWATT220AB
STPS1545CF
K
描述
双中心抽头肖特基整流器适用于
开关模式电源和高频DC
到DC转换器。
包装无论是在TO- 220AB ， ISOWATT220AB ，
TO- 220FPAB ，D
2
PAK还是我
2
PAK ，该设备是第ES
pecially旨在用于低电压，高频
昆西逆变器，续流和极性
保护应用。
A2
A1
A2
K
A1
D
2
PAK
STPS1545CG
TO-220FPAB
STPS1545CFP
A2
A1
K
I
2
PAK
STPS1545CR
2003年7月 - 埃德： 5F
1/8
STPS1545CT/CF/CG/CFP/CR
绝对额定值
（限制值，每二极管）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
RMS正向电流
平均正向
当前
δ
= 0.5
TO- 220AB / D
2
PAK
I
2
PAK
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
I
FSM
I
RRM
I
RSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
TC = 157℃
TC = 130℃
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2 μs的方
F = 1kHz时
TP = 100 μs的方
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
每二极管
每个器件
参数
反向重复峰值电压
价值
45
20
7.5
15
150
1
2
2700
-65到+175
175
10000
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
单位
V
A
A
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
参数
结到外壳
TO- 220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
ISOWATT220AB / TO- 220FPAB
每二极管
总
每二极管
总
耦合
价值
3.0
1.7
5.5
4.2
0.35
2.9
单位
° C / W
热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（三）
TO- 220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
ISOWATT220AB / TO- 220FPAB
当二极管1和2同时使用：
TJ （二极管1 ） = P （ diode1 ）个R
日（J -C ）
（每个二极管）+ p （二极管2）个R
TH（ C）
静态电气特性
（每二极管）
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V
F
*
正向电压降
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
脉冲测试：
* TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
5
I
F
= 7.5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
0.65
0.5
15
0.57
0.84
0.72
为了评估损失使用下面的方程的导通：
P = 0.42 ×1
F（ AV ）
+ 0.020 I
F2(RMS)
2/8
STPS1545CT/CF/CG/CFP/CR
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
6
5
4
3
2
1
IF （ AV ） （A ）
0
0
1
2
3
4
5
6
7
δ
= TP / T
tp
T
图。 2 ：
平均电流与
温度（ δ = 0.5，每二极管） 。
IF （ AV ） （A ）
环境
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
=1
8
9
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=40°C/W
TO-220AB
DPAK
T
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
175
0
25
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
二极管） （ TO- 220AB和D
2
PAK ） 。
IM （ A）
120
100
80
60
40
I
M
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
二极管）（ ISOWATT220AB TO- 220FPAB ） 。
IM （ A）
80
70
60
50
Tc=50°C
Tc=100°C
Tc=50°C
Tc=100°C
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
t
Tc=150°C
t
Tc=150°C
20
0
1E-3
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
3/8
STPS1545CT/CF/CG/CFP/CR
图。 6-1 ：
热瞬态的相对变化
阻抗结到外壳与脉冲持续时间
（每二极管） （ TO- 220AB和D
2
PAK ） 。
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 6-2 ：
热瞬态的相对变化
阻抗结到外壳与脉冲持续时间
（每二极管） （ ISOWATT220AB ， TO- 220FPAB ） 。
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.5
T
0.2
δ
= 0.1
0.2
TP （多个）
1E-3
1E-2
δ
= TP / T
tp
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
单脉冲
TP （多个）
1E-1
0.0
1E-4
1E-1
1E+0
0.0
1E-3
δ
= TP / T
tp
1E-2
1E+0
1E+1
图。 7 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
IR（ μA ）
5E+4
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
Tj=75°C
Tj=50°C
图。 8 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
C（ pF）的
1000
F=1MHz
Tj=25°C
500
200
VR （ V）
1
2
5
10
20
50
1E+0
1E-1
VR （ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
100
图。 9 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
IFM （ A）
100.0
Tj=125°C
典型值
图。 10 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板，铜箔厚度： 35μm的） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
80
70
60
10.0
Tj=25°C
50
40
Tj=125°C
1.0
VFM （ V）
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
30
20
10
0
0
2
4
6
S（铜）（平方厘米）
8
10
12
14
16
18
20
4/8
QQ：2880707522 复制
