STPS140
功率肖特基整流器
表1 :主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
j
(最大)
V
F
(最大)
特点和优点
■
■
■
■
■
1A
40 V
150°C
0.5 V
SMA
( JEDEC DO- 214AC )
STPS140A
SMB
( JEDEC DO- 214AA )
STPS140U
非常小的传导损耗
开关损耗极小
低正向压降
表面贴装微型封装
雪崩能力指明
描述
单芯片肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。
包装SMA和SMB ,该设备是
特别是用于表面安装和使用
在低电压,高频率逆变器,免费
续流和极性保护应用。
表3 :绝对额定值
(限制值)
符号
参数
V
RRM
反向重复峰值电压
I
F( RMS )
RMS正向电压
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
I
RSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
平均正向电流
SMA
SMB
T
L
= 130°C
δ
= 0.5
T
L
= 135°C
δ
= 0.5
TP = 10ms的正弦
TP = 2μs的F = 1kHz方
TP = 100μs的方
TP = 1μs的TJ = 25°C
价值
40
7
1
60
1
1
900
-65到+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
表2 :订购代码
产品型号
STPS140A
STPS140U
记号
S140
G14
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
1
dPtot
-
*: --------------- > -------------------------热失控条件的二极管自己的散热器
DTJ
RTH
(
j
–
a
)
2004年8月
启8
1/7
STPS140
图5 :不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间(最大
值)( SMA)的
I
M
(A)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
I
M
t
图6 :不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间(最大
值)( SMB)的
I
M
(A)
8
7
6
T
a
=25°C
5
4
T
a
=25°C
T
a
=50°C
T
a
=50°C
3
2
1
0
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
T
a
=100°C
I
M
t
T
a
=100°C
δ
=0.5
T( S)
δ
=0.5
T( S)
图7 :热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间(环氧树脂印刷电路板中,
E(铜) = 35μm的,建议焊盘布局) ( SMA )
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
δ
= 0.5
图8 :热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间(环氧树脂印刷电路板中,
E(铜) = 35μm的,建议焊盘布局) ( SMB )
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
δ
= 0.5
T
0.3
0.2
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
t
p
(s)
δ
= TP / T
1E+1
tp
1E+2
0.1
0.0
t
p
(s)
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
1E+2
tp
1E+3
1E-2
图9 :反向漏电流随
施加反向电压(典型值)的
I
R
(A)
1E+3
T
j
=125°C
图10 :结电容与
施加反向电压(典型值)的
C( pF)的
200
F=1MHz
T
j
=25°C
1E+2
T
j
=75°C
100
1E+1
50
1E+0
T
j
=25°C
20
1E-1
V
R
(V)
1E-2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
(V)
10
1
2
5
10
20
50
3/7
STPS140A/U
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
V
F
(最大)
特点和优点
非常小的传导损耗
开关损耗极小
低正向压降
表面贴装器件
描述
单芯片肖特基整流器适用于开关 -
模式电源和高频DC到
DC转换器。
包装SMA和SMB ( * ) ,此设备是IN-
往往表面安装和低电压使用
年龄,高频率逆变器,续流和
极性保护应用。
(*)根据DO214AAand DO21AC JEDEC
1A
40 V
0.5 V
SMA
STPS140A
SMB
STPS140U
绝对额定值(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
I
RSM
T
英镑
Tj
dv / dt的
RMS正向电流
平均正向电流
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
存储温度范围
最高结温
关键的增长速度反向电压
SMA
SMB
T
L
= 130°C
T
L
= 135°C
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2
s
F = 1kHz时
TP = 100μs的方
60
1
1
- 65至+ 150
150
10000
V / μs的
A
A
A
°C
参数
反向重复峰值电压
价值
40
7
1
单位
V
A
A
1998年7月 - 埃德: 6B
1/6
STPS140A/U
图。 3-1 :
非repetivesurge峰值正向电流
相对于过载持续时间(最大值) (SMB) 。
IM ( A)
8
7
6
5
4
Ta=50°C
Ta=25°C
图。 3-2 :
非repetivesurge峰值正向电流
与过载时间(最大值) ( SMA ) 。
IM ( A)
8
7
6
5
4
3
Ta=50°C
Ta=100°C
t
Ta=25°C
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
Ta=100°C
δ
=0.5
2
1
I
M
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
图。 4-1 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间( SMB ) 。
图。 4-2 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间( SMA ) 。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
印刷电路板: SCU = 1.5厘米( E =为35μm )
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
0.5
0.4
0.3
δ
= 0.2
0.2
δ
= 0.1
0.1
TP (多个)
单脉冲
0.0
1E+0
1E-2
1E-1
1E+1
2
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
T
δ
= TP / T
tp
1E+2
1E+3
1.0
印刷电路板: SCU = 1.5厘米( E =为35μm )
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
0.5
0.4
0.3
δ
= 0.2
0.2
δ
= 0.1
TP (多个)
0.1
单脉冲
0.0
1E-2
1E-1
1E+0
2
T
δ
= TP / T
tp
1E+1
1E+2
图。 5 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+3
Tj=125°C
图。 6 :
结电容与反向
施加的电压(典型值)的
C( pF)的
200
F=1MHz
Tj=25°C
1E+2
1E+1
1E+0
Tj=25°C
Tj=75°C
100
50
1E-1
20
VR ( V)
VR ( V)
1E-2
10
25
30
35
40
0
5
10
15
20
1
2
5
10
20
50
3/6
STPS140A/U
图。 7 :
正向压降与前进
电流(最大值) 。
图。 8-1 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板,铜厚度: 35μm的) (SMB) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
120
Tj=125°C
IFM ( A)
1E+1
100
P=1.5W
1E+0
80
60
1E-1
VFM ( V)
1E-2
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
1
2
3
4
5
图。 8-2 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板,铜厚度: 35μm的) (SMA) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
S(铜)(平方厘米)
P=1.5W
2
3
4
5
4/6
STPS140A/U
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
V
F
(最大)
特点和优点
非常小的传导损耗
开关损耗极小
低正向压降
表面贴装器件
描述
单芯片肖特基整流器适用于开关 -
模式电源和高频DC到
DC转换器。
包装SMA和SMB ( * ) ,此设备是IN-
往往表面安装和低电压使用
年龄,高频率逆变器,续流和
极性保护应用。
(*)根据DO214AAand DO21AC JEDEC
1A
40 V
0.5 V
SMA
STPS140A
SMB
STPS140U
绝对额定值(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
I
RSM
T
英镑
Tj
dv / dt的
RMS正向电流
平均正向电流
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
存储温度范围
最高结温
关键的增长速度反向电压
SMA
SMB
T
L
= 130°C
T
L
= 135°C
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2
s
F = 1kHz时
TP = 100μs的方
60
1
1
- 65至+ 150
150
10000
V / μs的
A
A
A
°C
参数
反向重复峰值电压
价值
40
7
1
单位
V
A
A
1998年7月 - 埃德: 6B
1/6
STPS140A/U
图。 3-1 :
非repetivesurge峰值正向电流
相对于过载持续时间(最大值) (SMB) 。
IM ( A)
8
7
6
5
4
Ta=50°C
Ta=25°C
图。 3-2 :
非repetivesurge峰值正向电流
与过载时间(最大值) ( SMA ) 。
IM ( A)
8
7
6
5
4
3
Ta=50°C
Ta=100°C
t
Ta=25°C
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
Ta=100°C
δ
=0.5
2
1
I
M
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
图。 4-1 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间( SMB ) 。
图。 4-2 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间( SMA ) 。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.0
印刷电路板: SCU = 1.5厘米( E =为35μm )
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
0.5
0.4
0.3
δ
= 0.2
0.2
δ
= 0.1
0.1
TP (多个)
单脉冲
0.0
1E+0
1E-2
1E-1
1E+1
2
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
T
δ
= TP / T
tp
1E+2
1E+3
1.0
印刷电路板: SCU = 1.5厘米( E =为35μm )
0.9
0.8
0.7
0.6
δ
= 0.5
0.5
0.4
0.3
δ
= 0.2
0.2
δ
= 0.1
TP (多个)
0.1
单脉冲
0.0
1E-2
1E-1
1E+0
2
T
δ
= TP / T
tp
1E+1
1E+2
图。 5 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+3
Tj=125°C
图。 6 :
结电容与反向
施加的电压(典型值)的
C( pF)的
200
F=1MHz
Tj=25°C
1E+2
1E+1
1E+0
Tj=25°C
Tj=75°C
100
50
1E-1
20
VR ( V)
VR ( V)
1E-2
10
25
30
35
40
0
5
10
15
20
1
2
5
10
20
50
3/6
STPS140A/U
图。 7 :
正向压降与前进
电流(最大值) 。
图。 8-1 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板,铜厚度: 35μm的) (SMB) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
120
Tj=125°C
IFM ( A)
1E+1
100
P=1.5W
1E+0
80
60
1E-1
VFM ( V)
1E-2
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
1
2
3
4
5
图。 8-2 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板,铜厚度: 35μm的) (SMA) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
S(铜)(平方厘米)
P=1.5W
2
3
4
5
4/6