STPS130
功率肖特基整流器
表1 ：主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
（最大）
V
F
（最大）
特点和优点
■
■
1A
30 V
150°C
0.46 V
SMA
（ JEDEC DO- 214AC ）
STPS130A
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
STPS130U
■
■
更少的功耗非常低正向电压降
耗散
优化的导通/扭转亏损局面的权衡
这意味着最高产量的
应用
表面贴装微型封装
雪崩能力指明
描述
单肖特基整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
包装SMA和SMB ，该设备是
尤其适用于并联使用以
在同步整流和低的MOSFET
电压次级整流。
表3 ：绝对额定值
（限制值）
符号
参数
V
RRM
反向重复峰值电压
I
F（ RMS ）
RMS正向电压
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
表2 ：订购代码
产品型号
STPS130A
STPS130U
记号
S130
G12
价值
30
7
T
L
= 130°C
δ
= 0.5
TP = 10ms的正弦
TP = 2μs的F = 1kHz方
TP = 100μs的方
TP = 1μs的TJ = 25°C
1
45
1
1
1200
-65到+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
1
DPT OT
-
*： --------------- > -------------------------热失控条件的二极管自己的散热器
RTH
(
j
–
a
)
DTJ
2004年8月
启5
1/7
STPS130
表4 ：热阻
符号
R
号（j -1）的
交界处领导
参数
SMA
SMB
价值
30
23
单位
° C / W
表5 ：静态电气特性
符号
I
R
*
测试条件
T
j
= 25°C
V
R
= V
RRM
反向漏电流
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
**
正向电压降
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
脉冲测试：
** TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
* TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
参数
分钟。
典型值
1.5
0.37
0.45
马克斯。
10
10
0.55
0.46
0.63
0.55
单位
A
mA
I
F
= 1A
I
F
= 2A
V
评估的导通损耗可使用以下公式：P = 0.37 ×1
F（ AV ）
+ 0.090 I
F（ RMS ）
2
图1 ：平均正向功率耗散
与平均正向电流
P
F（ AV ）
(W)
0.6
图2：平均正向电流对
环境温度（ δ = 0.5）
I
F（ AV ）
(A)
1.2
δ
= 0.05
0.5
0.4
0.3
0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
1.0
R
号（j -a）的
=R
号（j - I）的
δ
=1
0.8
R
号（j -a）的
=100°C/W
0.6
0.4
T
0.1
T
0.2
I
F（ AV ）
(A)
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
δ
= TP / T
1.0
tp
0.0
1.2
δ
= TP / T
0
25
tp
50
T
AMB
(°C)
75
100
125
150
图3：归一化的雪崩
降额与脉冲持续时间
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
动力
图4 ：归雪崩
降额与结温
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
动力
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
2/7
STPS130
图5 ：不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值）（ SMA）的
I
M
(A)
8
7
6
5
4
3
T
a
=100°C
T
a
=50°C
T
a
=75°C
图6 ：不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值）（ SMB）的
I
M
(A)
8
7
6
5
T
a
=50°C
4
T
a
=75°C
3
I
M
t
2
1
0
1.0E-3
2
I
M
T
a
=100°C
t
1
δ
=0.5
T（ S）
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
0
1.0E-3
δ
=0.5
T（ S）
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
图7 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（环氧树脂印刷电路板中，
E（铜） = 35μm的，建议焊盘布局） （ SMA ）
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
图8 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（环氧树脂印刷电路板中，
E（铜） = 35μm的，建议焊盘布局） （ SMB ）
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
0.8
0.8
0.6
δ
= 0.5
0.6
δ
= 0.5
0.4
δ
= 0.2
0.4
T
0.2
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
0.2
δ
= 0.1
单脉冲
t
p
(s)
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
1E-2
δ
= TP / T
1E+2
tp
1E+3
t
p
(s)
1.0E-1
1.0E+0
1.0E+1
0.0
1.0E-2
δ
= TP / T
1.0E+2
tp
1.0E+3
图9 ：反向漏电流随
施加反向电压（典型值）的
I
R
(A)
5E+3
1E+3
T
j
=125°C
图10 ：结电容与
施加反向电压（典型值）的
C（ pF）的
500
F=1MHz
T
j
=25°C
200
1E+2
T
j
=70°C
100
1E+1
50
1E+0
T
j
=25°C
20
1E-1
0
5
10
V
R
(V)
15
20
25
30
V
R
(V)
10
1
2
5
10
20
30
3/7
STPS130
功率肖特基整流器
表1 ：主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
（最大）
V
F
（最大）
特点和优点
■
■
1A
30 V
150°C
0.46 V
SMA
（ JEDEC DO- 214AC ）
STPS130A
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
STPS130U
■
■
更少的功耗非常低正向电压降
耗散
优化的导通/扭转亏损局面的权衡
这意味着最高产量的
应用
表面贴装微型封装
雪崩能力指明
描述
单肖特基整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
包装SMA和SMB ，该设备是
尤其适用于并联使用以
在同步整流和低的MOSFET
电压次级整流。
表3 ：绝对额定值
（限制值）
符号
参数
V
RRM
反向重复峰值电压
I
F（ RMS ）
RMS正向电压
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
I
RSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
非反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
表2 ：订购代码
产品型号
STPS130A
STPS130U
记号
S130
G12
价值
30
7
T
L
= 130°C
δ
= 0.5
TP = 10ms的正弦
TP = 2μs的F = 1kHz方
TP = 100μs的方
TP = 1μs的TJ = 25°C
1
45
1
1
1200
-65到+ 150
150
10000
单位
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
1
DPT OT
-
*： --------------- > -------------------------热失控条件的二极管自己的散热器
RTH
(
j
–
a
)
DTJ
2004年8月
启5
1/7
STPS130
表4 ：热阻
符号
R
号（j -1）的
交界处领导
参数
SMA
SMB
价值
30
23
单位
° C / W
表5 ：静态电气特性
符号
I
R
*
测试条件
T
j
= 25°C
V
R
= V
RRM
反向漏电流
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
**
正向电压降
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
脉冲测试：
** TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
* TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
参数
分钟。
典型值
1.5
0.37
0.45
马克斯。
10
10
0.55
0.46
0.63
0.55
单位
A
mA
I
F
= 1A
I
F
= 2A
V
评估的导通损耗可使用以下公式：P = 0.37 ×1
F（ AV ）
+ 0.090 I
F（ RMS ）
2
图1 ：平均正向功率耗散
与平均正向电流
P
F（ AV ）
(W)
0.6
图2：平均正向电流对
环境温度（ δ = 0.5）
I
F（ AV ）
(A)
1.2
δ
= 0.05
0.5
0.4
0.3
0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
1.0
R
号（j -a）的
=R
号（j - I）的
δ
=1
0.8
R
号（j -a）的
=100°C/W
0.6
0.4
T
0.1
T
0.2
I
F（ AV ）
(A)
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
δ
= TP / T
1.0
tp
0.0
1.2
δ
= TP / T
0
25
tp
50
T
AMB
(°C)
75
100
125
150
图3：归一化的雪崩
降额与脉冲持续时间
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
动力
图4 ：归雪崩
降额与结温
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
动力
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
2/7
STPS130
图5 ：不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值）（ SMA）的
I
M
(A)
8
7
6
5
4
3
T
a
=100°C
T
a
=50°C
T
a
=75°C
图6 ：不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值）（ SMB）的
I
M
(A)
8
7
6
5
T
a
=50°C
4
T
a
=75°C
3
I
M
t
2
1
0
1.0E-3
2
I
M
T
a
=100°C
t
1
δ
=0.5
T（ S）
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
0
1.0E-3
δ
=0.5
T（ S）
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
图7 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（环氧树脂印刷电路板中，
E（铜） = 35μm的，建议焊盘布局） （ SMA ）
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
图8 ：热相对变化
阻抗结点到环境与脉冲
持续时间（环氧树脂印刷电路板中，
E（铜） = 35μm的，建议焊盘布局） （ SMB ）
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
0.8
0.8
0.6
δ
= 0.5
0.6
δ
= 0.5
0.4
δ
= 0.2
0.4
T
0.2
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
0.2
δ
= 0.1
单脉冲
t
p
(s)
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
1E-2
δ
= TP / T
1E+2
tp
1E+3
t
p
(s)
1.0E-1
1.0E+0
1.0E+1
0.0
1.0E-2
δ
= TP / T
1.0E+2
tp
1.0E+3
图9 ：反向漏电流随
施加反向电压（典型值）的
I
R
(A)
5E+3
1E+3
T
j
=125°C
图10 ：结电容与
施加反向电压（典型值）的
C（ pF）的
500
F=1MHz
T
j
=25°C
200
1E+2
T
j
=70°C
100
1E+1
50
1E+0
T
j
=25°C
20
1E-1
0
5
10
V
R
(V)
15
20
25
30
V
R
(V)
10
1
2
5
10
20
30
3/7
QQ：2880707522 复制
