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STPS10M80C
功率肖特基整流器
特点
A1
K
A2
高结温度能力
漏电流之间的优化权衡
和正向电压降
低漏电流
雪崩能力指明
绝缘封装TO- 220FPAB
- 绝缘电压: 2000 V
- 封装电容: 45 pF的
K
A1
K
K
K
A2
A2
A1
D
2
PAK
STPS10M80CG-TR
I
2
PAK
STPS10M80CR
描述
这双二极管肖特基整流器适用于高
高频开关电源。
封装采用TO- 220AB ,我
2
PAK ,D
2
PAK和TO -
220FPAB ,这种装置特别适用于
在笔记本电脑,游戏站,液晶电视和台式机
适配器,提供这些应用程序与一个
良好的效率在低速和高负载。
表1中。
设备简介
符号
I
F( AV )
V
RRM
T
j
(最大)
V
F
(典型值)
价值
2x5A
80 V
175 °C
465毫伏
V
RRM
V
R
V
AR
V
I
2 ×1
O
I
F
I
O
A2
A1
K
A1
K
A2
TO-220AB
STPS10M80CT
TO-220FPAB
STPS10M80CFP
图1 。
电气特性
(a)
I
"Forward"
X
X
V
I
R
VTO V
F( IO)
V
F
V
F(2xIo)
"Reverse"
I
AR
A. V
ARM
ARM
必须尊重反向安全
在工作区中定义
图13 。
V
AR
AR
脉冲测量(T
p
< 1微秒) 。 V
R
, I
R
, V
RRM
和V
F
,
是静态的特征
2011年4月
文档编号018734版本1
1/11
www.st.com
11
特征
STPS10M80C
1
特征
表2中。
符号
V
RRM
I
F( RMS )
绝对额定值(限制值,每二极管,在T
AMB
= 25°C ,除非
另有规定)
参数
反向重复峰值电压
正向电流有效值
T
c
= 160 ℃,每二极管
TO-220AB,
I
2
PAK ,D
2
PAK牛逼
c
= 160 ℃,每设备
TO-220FPAB
T
c
= 150 ℃,每二极管
T
c
= 140 ℃,每设备
T
c
= 25 °C
价值
80
30
5
10
A
5
10
150
4000
100
100
-65到+175
175
A
W
V
V
°C
°C
单位
V
A
I
F( AV )
平均正向电流,
δ
= 0.5
I
FSM
浪涌非重复性
正向电流
t
p
= 10 ms的正弦
P
ARM(1)
重复峰值雪崩功率
V
ARM(2)
V
ASM(2)
T
英镑
T
j
最大重复峰值
雪崩电压
最大单脉冲
峰值雪崩电压
存储温度范围
最大工作结温
(3)
T
j
= 25 ° C,T
p
= 1 s
t
p
< 1微秒,T
j
< 150℃,我
AR
<一12
t
p
< 1微秒,T
j
< 150℃,我
AR
<一12
1.对于温度或脉冲持续时间降额,请参考图3和4的更多有关细节
雪崩能量测量和验证二极管的雪崩是在应用程序中提供
笔记AN1768和AN2025 。
2.见
图13
3.
1
dPtot <
条件,以避免热失控的自身散热片的二极管
Rth的第(j-一)
DTJ
表3中。
符号
热学参数
参数
TO-220AB
I
2
PAK ,D
2
PAK
每二极管
每二极管
价值
3.10
1.88
5.90
4.75
0.65
3.60
° C / W
° C / W
单位
R
日(J -C )
结到外壳
TO-220FPAB
TO-220AB
I
2
PAK ,D
2
PAK
TO-220FPAB
R
TH( C)
耦合
当两个二极管1和2同时使用:
ΔT
j
(二极管1) = P(二极管1)个R
日(J -C )
(每二极管) + P(二极管2 )个R
TH( C)
2/11
文档编号018734版本1
STPS10M80C
表4 。
符号
I
R(1)
特征
静态电气特性(每二极管)
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
R
= V
RRM
I
F
= 2.5 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
4
3.5
0.540
0.465
0.640
0.550
0.775
0.635
马克斯。
20
15
0.580
0.495
0.705
0.590
0.850
0.705
V
单位
A
mA
V
F(2)
正向电压降
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.475 ×1
F( AV )
+ 0.023 ×1
F2(RMS)
图2中。
正向平均功耗如图3所示。
与平均正向电流
(每二极管)
6
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
平均正向电流随
环境温度
( δ = 0.5,每二极管)
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
5
P
F( AV )
(W)
δ
=1
I
F( AV )
(A)
4
5
4
TO- 220AB / I PAK / D PAK
2
2
3
3
2
2
1
T
δ
= t
p
/ T
TO-220FPAB
1
t
p
5
6
I
F( AV )
(A)
7
0
0
1
2
3
4
0
0
25
50
75
T
AMB
(°C)
100
125
150
175
图4中。
归一化的雪崩功率
降额与脉冲持续时间
图5中。
归一化的雪崩功率
降额与结
温度
1
P
ARM
( TP)的
P
ARM
(1s)
1.2
1
P
ARM
(T
j
)
P
ARM
(25 °C)
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
t
p
(s)
0.1
1
10
100
1000
0
25
T
j
(°C)
50
75
100
125
150
文档编号018734版本1
3/11
特征
STPS10M80C
图6 。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值,每个二极管)
TO- 220AB / I PAK / D PAK
2
2
图7 。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值,每个二极管)
TO-220FPAB
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
I
M
(A)
70
60
50
I
M
(A)
T
c
= 25 °C
T
c
= 75 °C
T
c
= 125 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 75 °C
40
30
T
c
= 125 °C
20
I
M
t
δ
= 0.5
1.E-02
1.E-01
I
M
10
t
δ
= 0.5
1.E-02
1.E-01
0
1.E-03
T( S)
1.E+00
0
1.E-03
T( S)
1.E+00
网络连接gure 8 。
相对热阻抗
结到外壳与脉冲
长短
TO- 220AB / I PAK / D PAK
2
2
图9 。
相对热阻抗
结到外壳与脉冲
持续时间(TO- 220FPAB )
TO-220FPAB
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
单脉冲
0.2
0.1
单脉冲
0.0
1.E-04
t
p
(s)
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
0.0
1.E-03
t
p
(s)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
图10.反向漏电流随
反向电压应用
(典型值,每二极管)
1.E+05
1.E+04
1.E+03
1.E+02
1.E+01
1.E+00
1.E-01
0
10
20
30
40
50
60
70
图11.结电容与
反向电压应用
(典型值,每二极管)
1000
I
R
(A)
T
j
= 150 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
T
j
= 25 °C
C( pF)的
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
T
j
= 25 °C
100
V
R
(V)
80
10
1
10
V
R
(V)
100
4/11
文档编号018734版本1
STPS10M80C
特征
图12.正向压降与
正向电流(每二极管)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
T
j
= 25 °C
(最大值)
T
j
= 125 °C
(典型值)
图13.反向安全工作区
(t
p
< 1微秒和T
j
< 150 ° C)
12.0
I
FM
(A)
T
j
= 125 °C
(最大值)
I
ARM
(A)
I
ARM
(V
ARM
) 150 ° C, 1微秒
11.5
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
V
FM
(V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
8.0
100
V
ARM
(V)
105
110
115
120
125
130
135
140
145
150
图14.热阻结选项卡下到环境与铜表面的
2
PAK
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
PAK
2
R
号(j -a)的
( ° C / W)
环氧树脂印刷电路板铜箔厚度= 35微米
S
Cu
(厘米)
35
40
2
文档编号018734版本1
5/11
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    联系人:杨小姐
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    STPS10M80CT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STPS10M80CT
ST
2024
20918
TO-220
原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STPS10M80CT
ST
2443+
23000
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
STPS10M80CT
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STPS10M80CT
ST
2025+
26820
TO-220-3
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
STPS10M80CT
STMicroelectronics
24+
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原厂一级代理,原装现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
STPS10M80CT
ST
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
STPS10M80CT
ST
22+
4221
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地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
STPS10M80CT
ST Microelectronics
13+
7,250
标准封装
全新原装热卖
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联系人:高小姐/李先生
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STPS10M80CT
ST
2025+
3577
TO-220
全新原装、公司现货热卖
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电话:0755-83223003
联系人:朱
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10000
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