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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1143页 > STPS10H100CFP
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
高压功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj
V
F
（最大）
2x5A
100 V
175°C
0.61 V
K
A1
K
A2
K
特点和优点
高结温度能力
转炉位于受限
环境
低漏电流高
温度
低静态和动态损失一
结果肖特基势垒
雪崩能力指明
s
s
s
s
A2
A1
A1
A2
K
D
2
PAK
STPS10H100CG
I
2
PAK
STPS10H100CR
描述
A2
A2
K
A1
肖特基势垒整流器专为高
微型高频开关电源
耗材如adaptators和船上
直流/直流转换器。封装采用TO- 220AB ，
TO- 220FPAB ，D
2
PAK我
2
PAK 。
绝对额定值
（限制值，每二极管）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向
当前
δ
= 0.5
TO-220AB
D
2
PAK / I
2
PAK
TO-220FPAB
I
FSM
I
RRM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
A1
K
TO-220AB
STPS10H100CT
TO-220FPAB
STPS10H100CFP
价值
100
10
TC = 165℃
TC = 160℃
TP = 10 ms的正弦
TP = 2微秒广场F = 1kHz时
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
180
1
7200
- 65 + 175
175
10000
每二极管
每个器件
5
10
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/7
2003年7月 - 埃德： 3F
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（三）
R
日（J -C ）
R
日（三）
当二极管1和2同时使用：
TJ （二极管1 ） = P （ diode1 ）个R
日（J -C ）
（每二极管） + P（二极管2 ）个R
TH（ C）
静态电气特性
（每二极管）
符号
I
R
*
V
F
**
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
脉冲测试：
* TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
参数
结到外壳
DPAK / IPAK
TO-220AB
每二极管
总
耦合
结到外壳
TO-220FPAB
每二极管
总
耦合
价值
2.2
1.3
0.3
4.5
3.5
2.5
单位
° C / W
° C / W
分钟。
典型值。
1.3
马克斯。
3.5
4.5
0.73
0.61
0.85
0.71
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 5 A
0.57
I
F
= 10 A
0.66
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 0.51 ×1
F（ AV ）
+ 0.02 ×1
F2(RMS)
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5，每二极管） 。
IF （ AV ） （A ）
6
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
5
DPAK/IPAK/TO-220AB
4
3
TO-220FPAB
Rth(j-a)=15°C/W
T
2
1
tp
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
TAMB （ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额ver-
SUS的脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值，每二极管）
IM （ A）
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
diode)(TO-220FPAB)
IM （ A）
80
70
60
50
40
30
Tc=50°C
120
100
80
Tc=50°C
60
Tc=75°C
Tc=75°C
40
Tc=125°C
20
I
M
t
20
10
Tc=125°C
I
M
t
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
图。 6-1 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与（每二极管）脉冲持续时间。
图。 6-2 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间（每
diode).(TO-220FPAB)
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
δ
= 0.5
0.6
0.4
T
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
0.2
TP （多个）
1E-2
1E-1
δ
= TP / T
tp
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
0.0
1E-3
TP （多个）
1E-2
1E-1
δ
= TP / T
tp
1E+0
0.0
1E-3
1E+0
1E+1
3/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
图。 7 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
图。 8 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
IR（ μA ）
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
C（ pF）的
1000
F=1MHz
Tj=25°C
100
Tj=25°C
1E-1
VR （ V）
1E-2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
50
100
图。 9 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
图。 10 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ）
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100.0
IFM （ A）
Tj=125°C
典型值
80
70
Tj=125°C
60
50
40
30
20
10
10.0
Tj=150°C
典型值
Tj=25°C
1.0
0.1
0.0
VFM （ V）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
S（铜）（平方厘米）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
4/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
包装机械数据
D
2
PAK
尺寸
A
E
L2
C2
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
M
R
V2
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
2.49
2.69
0.03
0.23
0.70
0.93
1.14
1.70
0.45
0.60
1.23
1.36
8.95
9.35
10.00
10.40
4.88
5.28
15.00
15.85
1.27
1.40
1.40
1.75
2.40
3.20
0.40 （典型值） 。
0°
8°
英寸
分钟。
马克斯。
0.173
0.181
0.098
0.106
0.001
0.009
0.027
0.037
0.045
0.067
0.017
0.024
0.048
0.054
0.352
0.368
0.393
0.409
0.192
0.208
0.590
0.624
0.050
0.055
0.055
0.069
0.094
0.126
0.016典型。
0°
8°
D
L
L3
A1
B2
B
G
A2
C
R
M
*
V2
*平坦区NO小于2mm
FOOT PRINT
以毫米为单位
16.90
10.30
1.30
5.08
3.70
8.90
5/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
高压功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj
V
F
（最大）
2x5A
100 V
175°C
0.61 V
K
A1
K
A2
K
特点和优点
高结温度能力
转炉位于受限
环境
低漏电流高
温度
低静态和动态损失一
结果肖特基势垒
雪崩能力指明
s
s
s
s
A2
A1
A1
A2
K
D
2
PAK
STPS10H100CG
I
2
PAK
STPS10H100CR
描述
A2
A2
K
A1
肖特基势垒整流器专为高
微型高频开关电源
耗材如adaptators和船上
直流/直流转换器。封装采用TO- 220AB ，
TO- 220FPAB ，D
2
PAK我
2
PAK 。
绝对额定值
（限制值，每二极管）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向
当前
δ
= 0.5
TO-220AB
D
2
PAK / I
2
PAK
TO-220FPAB
I
FSM
I
RRM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
* :
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
A1
K
TO-220AB
STPS10H100CT
TO-220FPAB
STPS10H100CFP
价值
100
10
TC = 165℃
TC = 160℃
TP = 10 ms的正弦
TP = 2微秒广场F = 1kHz时
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
180
1
7200
- 65 + 175
175
10000
每二极管
每个器件
5
10
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/7
2003年7月 - 埃德： 3F
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（三）
R
日（J -C ）
R
日（三）
当二极管1和2同时使用：
TJ （二极管1 ） = P （ diode1 ）个R
日（J -C ）
（每二极管） + P（二极管2 ）个R
TH（ C）
静态电气特性
（每二极管）
符号
I
R
*
V
F
**
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
脉冲测试：
* TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
参数
结到外壳
DPAK / IPAK
TO-220AB
每二极管
总
耦合
结到外壳
TO-220FPAB
每二极管
总
耦合
价值
2.2
1.3
0.3
4.5
3.5
2.5
单位
° C / W
° C / W
分钟。
典型值。
1.3
马克斯。
3.5
4.5
0.73
0.61
0.85
0.71
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 5 A
0.57
I
F
= 10 A
0.66
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 0.51 ×1
F（ AV ）
+ 0.02 ×1
F2(RMS)
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（每二极管） 。
PF （AV） （W）的
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5，每二极管） 。
IF （ AV ） （A ）
6
RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
5
DPAK/IPAK/TO-220AB
4
3
TO-220FPAB
Rth(j-a)=15°C/W
T
2
1
tp
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
TAMB （ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额ver-
SUS的脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间（最大
值，每二极管）
IM （ A）
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间（最大值，每
diode)(TO-220FPAB)
IM （ A）
80
70
60
50
40
30
Tc=50°C
120
100
80
Tc=50°C
60
Tc=75°C
Tc=75°C
40
Tc=125°C
20
I
M
t
20
10
Tc=125°C
I
M
t
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
0
1E-3
图。 6-1 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与（每二极管）脉冲持续时间。
图。 6-2 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间（每
diode).(TO-220FPAB)
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
1.0
0.8
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）
δ
= 0.5
0.6
0.4
T
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
0.2
TP （多个）
1E-2
1E-1
δ
= TP / T
tp
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
0.0
1E-3
TP （多个）
1E-2
1E-1
δ
= TP / T
tp
1E+0
0.0
1E-3
1E+0
1E+1
3/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
图。 7 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
图。 8 ：
结电容与反向
施加电压（典型值，每二极管） 。
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
IR（ μA ）
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
C（ pF）的
1000
F=1MHz
Tj=25°C
100
Tj=25°C
1E-1
VR （ V）
1E-2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
50
100
图。 9 ：
正向压降与前进
电流（最大值，每个二极管） 。
图。 10 ：
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ）
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100.0
IFM （ A）
Tj=125°C
典型值
80
70
Tj=125°C
60
50
40
30
20
10
10.0
Tj=150°C
典型值
Tj=25°C
1.0
0.1
0.0
VFM （ V）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
S（铜）（平方厘米）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
4/7
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
包装机械数据
D
2
PAK
尺寸
A
E
L2
C2
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
M
R
V2
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
2.49
2.69
0.03
0.23
0.70
0.93
1.14
1.70
0.45
0.60
1.23
1.36
8.95
9.35
10.00
10.40
4.88
5.28
15.00
15.85
1.27
1.40
1.40
1.75
2.40
3.20
0.40 （典型值） 。
0°
8°
英寸
分钟。
马克斯。
0.173
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