添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1240页 > STPR1020CB
STPR1020CB/CG/CT/CF/CFP/CR
超快恢复整流二极管
主要特色产品
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
TRR (最大值)
特点
s
A1
K
2x5A
200 V
150°C
0.99 V
30纳秒
A1
K
A2
A2
A2
K
A1
TO-220AB
STPR1020CT
TO-220FPAB
STPR1020CFP
K
s
s
s
s
期适用于SMPS
低损耗
低正向和反向恢复
时间
高浪涌电流能力
预绝缘包: ISOWATT220AB /
TO-220FPAB
绝缘电压= 2000V DC
电容= 12 pF的
K
A2
A1
K
A2
A1
ISOWATT220AB
STPR1020CF
K
DPAK
STPR1020CB
描述
双中心抽头整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
包装DPAK ,D
2
PAK ,我
2
PAK , TO- 220AB ,
TO- 220FPAB或ISOWATT220AB ,该设备是
旨在用于低电压,高频率
逆变器,续流和极性保护
应用程序。
绝对最大
(限制值,每二极管)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
RMS正向
当前
参数
反向重复峰值电压
A2
A1
K
A1
A2
PAK
STPR1020CG
2
I
2
PAK
STPR1020CR
价值
200
10
7
Tc=125°C
Tc=115°C
Tc=110°C
每二极管
每个器件
每个器件
5
10
10
50
- 65至+ 150
单位
V
A
A
A
D
2
PAK / TO- 220AB / ISOWATT220AB /
TO- 220FPAB / I
2
PAK
DPAK
I
F( AV )
平均正向
2
PAK / DPAK
当前
TO- 220AB / I
2
PAK
δ
= 0.5
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
I
FSM
T
英镑
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
TP = 10ms的正弦
A
°C
1/10
八月2002-埃德: 2E
STPR1020CB/CG/CT/CF/CFP/CR
热阻
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
TO- 220AB / D
2
PAK / DPAK
I
2
PAK
ISOWATT220AB
每二极管
每二极管
TO-220FPAB
每二极管
R
日(三)
耦合
TO- 220AB / D
2
PAK / DPAK / I
2
PAK
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
当二极管1和2同时使用:
TJ (二极管1 ) = P (二极管1 ) X的Rth ( JC ) (每二极管) + P(二极管2 ) X的Rth (三)
价值
4.0
2.4
6.0
4.0
6.5
5
0.7
2.0
3.5
单位
° C / W
静态电气特性(每二极管)
符号
I
R
*
V
F **
参数
反向漏
当前
正向电压
测试条件
T
j
= 25°C
V
R
= V
RRM
T
j
= 100°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
脉冲测试: * TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
50
0.6
0.99
1.20
1.25
单位
A
mA
V
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
0.8
0.95
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.78 ×1
F( AV )
+ 0.042 ×1
F2(RMS)
恢复特性
符号
TRR
TFR
V
FP
测试条件
I
F
= 0.5A
I
R
= 1A
I
F
= 1A
V
FR
= 1.1× V
F
最大
I
F
= 1A
分钟。
IRR = 0.25A
dI
F
/ DT = 50 A / μs的
dI
F
/ DT = 50 A / μs的
20
3
典型值。
马克斯。
30
单位
ns
ns
V
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
2/10
STPR1020CB/CG/CT/CF/CFP/CR
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流(每二极管) 。
图。 2 :
峰电流与外形(每二极管) 。
PF (AV) (W)的
7
6
5
4
3
2
1
T
IM ( A)
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
=1
IF ( AV ) (A )
tp
δ
= TP / T
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
T
P=5W
δ
= TP / T
tp
P=7.5W
P=10W
P=2.5W
δ
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
图。 3-1 :
平均正向电流与环境
温度( δ
=
0.5 , TO- 220AB , DPAK ,D
2
PAK ) 。
图。 3-2 :
平均正向电流随
环境温度
(δ =
0.5 , ISOWATT220AB ,
TO-220FPAB).
IF ( AV ) (A )
IF ( AV ) (A )
6
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
6
5
4
3
2
1
0
δ
= TP / T
tp
T
Rth(j-a)=15°C/W
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
5
ISOWATT220AB
TO-220FP
4
3
2
TAMB ( ° C)
T
Rth(j-a)=15°C/W
1
100
125
150
0
25
50
75
0
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
0
25
图。 4-1 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间( TO- 220AB , DPAK ,
D
2
PAK ) 。
图。 4-2 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间( ISOWATT220AB ) 。
IM ( A)
70
60
50
40
Tc=25°C
IM ( A)
60
50
40
30
20
Tc=25°C
30
20
I
M
Tc=125°C
t
I
M
10
0
1E-3
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
10
0
1E-3
Tc=100°C
t
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
3/10
STPR1020CB/CG/CT/CF/CFP/CR
图。 4-3 :
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间(TO- 220FPAB ) 。
图。 5-1 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间
(D
2
PAK , DPAK , TO- 220AB ) 。
IM ( A)
50
40
30
20
Tc=25°C
K = [第Z (J -C ) / Rth的(J -C ) ]
1.0
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
T
10
I
M
t
Tc=100°C
δ
=0.5
单脉冲
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
0.1
1E-3
1E-2
T( S)
1E-1
0
1E-3
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 5-2 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间
( ISOWATT220AB ,TO- 220FPAB ) 。
图。 6 :
正向压降与前进
电流(最大值,每个二极管) 。
K = [第Z (J -C ) / Rth的(J -C ) ]
1.0
δ
= 0.5
IFM ( A)
50.0
10.0
Tj=125°C
Tj=25°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
1.0
单脉冲
T
T( S)
0.1
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
tp
VFM ( V)
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1E+1
图。 7 :
结电容与反向
施加电压(典型值,每二极管) 。
C( pF)的
50
40
30
F=1MHz
Tj=25°C
图。 8 :
反向恢复电荷与DIF / DT
(每二极管) 。
QRR ( NC )
200
IF = IF ( AV)
90%的置信
Tj=125°C
100
50
20
20
VR ( V)
10
1
10
100
200
10
10
20
DIF / DT ( A / μs)内
50
100
200
500
4/10
STPR1020CB/CG/CT/CF/CFP/CR
图。 9 :
峰值反向恢复电流对
DIF / DT (每二极管) 。
图。 10 :
动态参数与结
温度(每二极管) 。
IRM ( A)
20.0
10.0
IF = IF ( AV)
90%的置信
Tj=125°C
QRR ; IRM [ TJ ] /的Qrr ; IRM [ TJ = 125 ° C]
1.25
1.00
0.75
0.50
DIF / DT ( A / μs)内
IRM
1.0
QRR
TJ ( ° C)
200
500
0.1
10
20
50
100
0.25
0
25
50
75
100
125
150
图。 11 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
DPAK
DPAK
S(铜)(平方厘米)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
5/10
STPR1020CB(-TR)
高效快速恢复整流二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
t
rr
(最大)
特点和优点
期适用于开关电源和驱动器
表面贴装
非常低正向损失
开关损耗极小
高浪涌电流能力
表面安装器件
卷带式选项: -TR
描述
双整流器适用于开关模式和高频
昆西转换器。
包装DPAK ,这种表面贴装器件
用于在低电压,高频率使用IN-
变流器,续流和极性保护应用程序
阳离子。
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
TSTG
Tj
参数
反向重复峰值电压
不重复反向电压浪涌
RMS正向电流
平均正向电流
T
= 130°C
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
TP = 10 ms的正弦
存储温度范围
最大。结温
每二极管
每二极管
每个器件
每二极管
价值
200
220
10
5
10
70
- 40 + 150
150
单位
V
V
A
A
A
°C
°C
4
初步数据表
2x5A
200 V
35纳秒
1
2,4 (T B)的
A
3
2
1
3
DPAK
(塑胶)
1999年2月 - 埃德: 2B
1/3
STPR1020CB(-TR)
热阻
符号
R
日(J -C )
R
日(三)
参数
结到外壳热阻
耦合
每二极管
当二极管1和2同时使用:
TJ (二极管1 ) = P (二极管)个R
th
(每二极管) + P(二极管2 )个R
日(三)
价值
5
2.7
° C / W
单位
° C / W
静态电气特性
(每二极管)
符号
I
R
*
V
F
**
测试条件
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 100℃
脉冲测试:
* TP = 5毫秒,占空比< 2 %
** TP = 380
s,
占空比< 2 %
分钟。
典型值。
0.15
马克斯。
20
0.5
1.25
0.85
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
0.8
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.7 ×1
F( AV )
+ 0.030 I
F2(RMS)
恢复特性
符号
t
rr
t
fr
V
FP
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
测试条件
I
F
= 1A
V
F
= 30V
I
F
= 1A
V
FR
= 1.1× V
F
I
F
= 1A
dI
F
/ DT = -50
Α / MS
TR = 10纳秒
TR = 10纳秒
20
5
分钟。
典型值。
马克斯。
35
单位
ns
ns
V
2/3
STPR1020CB(-TR)
包装机械数据
DPAK
尺寸
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
MILLIMETERS
分钟。
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.80
0.60
1.00 0.023
典型值。
最大
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.086
0.035
0.001
0.025
0.204
0.017
0.018
0.236
0.251
0.173
0.368
0.031
0.039
英寸
典型值。马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
0.259
0.181
0.397
FOOT PRINT
以毫米为单位
6.7
6.7
6.7
3
1.6
2.3
2.3
1.6
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 -
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
http://www.st.com
3/3
STPR1020CB(-TR)
高效快速恢复整流二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
t
rr
(最大)
特点和优点
期适用于开关电源和驱动器
表面贴装
非常低正向损失
开关损耗极小
高浪涌电流能力
表面安装器件
卷带式选项: -TR
描述
双整流器适用于开关模式和高频
昆西转换器。
包装DPAK ,这种表面贴装器件
用于在低电压,高频率使用IN-
变流器,续流和极性保护应用程序
阳离子。
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
TSTG
Tj
参数
反向重复峰值电压
不重复反向电压浪涌
RMS正向电流
平均正向电流
T
= 130°C
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
TP = 10 ms的正弦
存储温度范围
最大。结温
每二极管
每二极管
每个器件
每二极管
价值
200
220
10
5
10
70
- 40 + 150
150
单位
V
V
A
A
A
°C
°C
4
初步数据表
2x5A
200 V
35纳秒
1
2,4 (T B)的
A
3
2
1
3
DPAK
(塑胶)
1999年2月 - 埃德: 2B
1/3
STPR1020CB(-TR)
热阻
符号
R
日(J -C )
R
日(三)
参数
结到外壳热阻
耦合
每二极管
当二极管1和2同时使用:
TJ (二极管1 ) = P (二极管)个R
th
(每二极管) + P(二极管2 )个R
日(三)
价值
5
2.7
° C / W
单位
° C / W
静态电气特性
(每二极管)
符号
I
R
*
V
F
**
测试条件
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 100℃
脉冲测试:
* TP = 5毫秒,占空比< 2 %
** TP = 380
s,
占空比< 2 %
分钟。
典型值。
0.15
马克斯。
20
0.5
1.25
0.85
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
0.8
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.7 ×1
F( AV )
+ 0.030 I
F2(RMS)
恢复特性
符号
t
rr
t
fr
V
FP
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
测试条件
I
F
= 1A
V
F
= 30V
I
F
= 1A
V
FR
= 1.1× V
F
I
F
= 1A
dI
F
/ DT = -50
Α / MS
TR = 10纳秒
TR = 10纳秒
20
5
分钟。
典型值。
马克斯。
35
单位
ns
ns
V
2/3
STPR1020CB(-TR)
包装机械数据
DPAK
尺寸
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
MILLIMETERS
分钟。
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.80
0.60
1.00 0.023
典型值。
最大
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.086
0.035
0.001
0.025
0.204
0.017
0.018
0.236
0.251
0.173
0.368
0.031
0.039
英寸
典型值。马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
0.259
0.181
0.397
FOOT PRINT
以毫米为单位
6.7
6.7
6.7
3
1.6
2.3
2.3
1.6
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 -
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
http://www.st.com
3/3
查看更多STPR1020CBPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STPR1020CB
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
STPR1020CB
ST
24+
18530
TO-252
全新原装现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
STPR1020CB
ST
2025+
26820
TO-252-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
STPR1020CB
STMicroelectronics
24+
10000
DPAK
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STPR1020CB
ST
2443+
23000
SOT-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
STPR1020CB
ST/意法
24+
9634
TO-252
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
STPR1020CB
VB
25+23+
35500
SOT-252
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制 点击这里给我发消息 QQ:28818943932881894393 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制

电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
STPR1020CB
ST
2025+
3715
TO-262
全新原装、公司现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
STPR1020CB
ST/意法
24+
5000
TO-252
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
STPR1020CB
ST
25+
4500
TO-252
全新原装现货特价销售!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STPR1020CB
ST
24+
21000
SOT-252
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
查询更多STPR1020CB供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!