STPIC6C595
功率逻辑8位移位寄存器
s
s
s
s
s
s
s
低R
DS （ ON）
： 4Ω TYP
30MJ AVAILANCHE能源
八100毫安DMOS输出
250mA的电流限制能力的
33V输出钳位电压
设备可级联
低功耗
SOP
TSSOP
描述
这
STPIC6C595
is
a
单片，
中等电压，低电流功率的8位移位
寄存器设计用于在需要的系统
相对温和的负载功率，如LED 。该
设备包含一个内置的电压钳位在
输出的感应瞬态保护。动力
驱动器应用包括继电器，螺线管和
其它低电流或中压负荷。
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
馈送一个8位D型存储移位寄存器
注册。同时通过移动数据传输，
存储寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器
时钟（ RCK ）表示。该器件转移
上的数据从串行输出（SER OUT）端口
SRCK上升边缘。存储寄存器
将数据传送到输出缓冲器时，移
寄存器清零（ CLR ）为高。当CLR为低电平时，
输入移位寄存器清零。当输出使能
（G）保持高电位，在输出缓冲器中的所有数据被保持
低，所有漏输出关闭。当G被保持
低时，从该存储寄存器的数据是透明的
到输出缓冲器中。当在输出数据
订货代号
TYPE
STPIC6C595M
STPIC6C595MTR
STPIC6C595TTR
缓冲器为低电平时， DMOS晶体管，输出关闭。
当数据为高时， DMOS晶体管输出
具有吸收电流能力。该SER OUT允许
为级联的数据从移位寄存器到
附加设备。
输出的是低端，漏极开路DMOS晶体管
用33V和100毫安连续的额定输出
灌电流能力。每个输出提供了一个
中250 mA最大在T电流限制
C
= 25°C 。该
电流极限随着结
温度升高附加装置
保护。该装置还提供了高达1.5KV
ESD保护时使用的测试
人体模型和200V机器模型。
该STPIC6C595的特点是操作
以上的工作温度范围
-40 ° C至125°C 。
包
SO- 16 （管）
SO- 16 （带&卷）
TSSOP16 （带&卷）
评论
每框筒/ 20tube 50parts
每卷2500件
每卷2500件
2002年8月
1/14
STPIC6C595
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
DS
I
DS
I
DS
I
D
I
D
I
D
E
AS
I
AS
P
d
P
d
T
J
T
C
T
英镑
T
L
逻辑输入电压范围
功率DMOS漏源极电压（见注2 ）
连续源极到漏极二极管的阳极电流
脉冲源极到漏极二极管的阳极电流（见注3 ）
漏电流脉冲，每路输出，所有输出开（T
C
=25°C)
连续电流，每路输出，所有输出开（T
C
=25°C)
峰值漏极电流单输出（T
C
= 25 ° C） （见注3 ）
单脉冲雪崩能量（见Figure11和12）
雪崩电流（见注4和图17 ）
连续总功耗（T
C
≤
25°C)
连续总功耗（T
C
= 125°C)
经营虚拟结温范围
工作温度范围
存储温度范围
从案例铅温度1.6mm （ 1 / 16英寸） ，持续10秒
参数
逻辑电源电压（见注1 ）
价值
7
-0.3 7
33
250
500
250
100
250
30
200
1087
217
-40到+150
-40到+125
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mJ
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作
不是暗示。
热数据
符号
R
THJ - AMB
参数
热阻结到环境
价值
115
单位
° C / W
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
DP
t
su
t
h
t
W
T
C
逻辑电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
脉冲漏极输出电流（T
C
= 25 ° C，V
CC
= 5V ，所有输出）
（见注3 ，第5和图15）
设置时间， SER高SRCK前
↑
（参见图6和图8 ）
保持时间， SER高之前摹
↑
（见图6 ，图7， 8）的
脉冲持续时间（见图8）
工作温度
参数
分钟。
4.5
0.85V
CC
0
马克斯。
5.5
V
CC
0.15V
CC
250
20
20
40
-40
125
单位
V
V
V
mA
ns
ns
ns
°C
3/14
STPIC6C595
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
C
= 25℃ ，除非另有说明）。
符号
参数
I
D
= 1毫安
I
F
= 100毫安
I
OH
= -20
A
I
OH
= -4毫安
I
OH
= 20
A
I
OH
= 4毫安
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 4.5V
V
I
= V
CC
V
I
= 0
20
0.2
4.4
4
测试条件
分钟。
33
典型值。
37
0.85
4.49
4.2
0.005
0.3
0.1
0.5
1
-1
200
2
1.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
V
（ BR ） DSX
漏极至源极击穿
电压
V
SD
源 - 漏二极管
正向电压
高电平输出电压
V
OH
SER OUT
V
OL
I
IH
I
IL
I
CC
I
CC （ FRQ ）
低电平输出电压
SER OUT
高电平输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
逻辑电源电流
频率
额定电流
断态漏电流
V
CC
= 5.5V所有输出OFF或ON
f
SRCK
= 5MHz时，
C
L
= 30pF的
所有输出关闭
（见菲格6 ， 18和19 ）
V
DS （ ON）
= 0.5V
I
N
= I
D
T
C
=85°C
（见注5 ， 6 ， 7 ）
V
DS
= 30V
V
DS
= 30V
T
C
=125°C
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V或0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 4.5V
I
N
I
DSX
90
0.3
0.6
4.5
6.5
4.5
5
8
6
9
6
mA
A
A
R
DS （ ON）
静态漏源导
I
D
= 50毫安
态电阻（见注I = 50毫安
D
5 ，第6和菲格。 14 ，16）
T
C
=125°C
I
D
= 100毫安
开关特性
(V
CC
= 5V ，T
C
= 25℃ ，除非另有说明）。
符号
t
PHL
参数
迪利的传播时间，
高至低电平输出
给G
迪利的传播时间，
从低到高级别输出
给G
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
传播延迟时间
反向恢复电流
上升时间
反向恢复时间
I
F
= 100毫安
的di / dt = 10A / μs的
（见注5 ，第6和图9和图10）
测试条件
C
L
= 30pF的
I
D
= 75毫安
（参见菲格4,5 ， 6,7 ，20）
分钟。
典型值。
80
马克斯。
单位
ns
t
PLH
130
ns
t
r
t
f
t
pd
t
a
t
rr
60
50
20
39
115
ns
ns
ns
ns
ns
注1：所有的电压值都是相对于GND
注2 ：每个功率DMOS源内部连接到GND
注3：脉冲持续时间
≤
为100μs和占空比
≤
2%
注4 ：漏极供电电压= 15V ，开始结温（T
JS
） = 25°C 。 L = 1.5H ，我
AS
= 200毫安（参见图11和图12 ）
注5 ：技术应该限制牛逼
J
- T
C
至10 ° C（最大值）
注6：这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
注7 ：额定电流是指从不同来源设备之间的一致性比较。它是目前能产生
0.5V的在T的电压降
C
= 85°C.
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STPIC6C595
功率逻辑8位移位寄存器
特点
■
■
■
■
■
■
■
低R
DS （ ON）
: 4
典型值
30兆焦耳雪崩能量
八百毫安DMOS输出
250毫安电流限制功能
33 V输出钳位电压
设备可级联
低功耗
SO-16
TSSOP16
描述
这STPIC6C595是一款单芯片，中
电压，低电流功率的8位移位寄存器
在要求相对系统设计用于
中等负载功率，如LED 。该装置
包含一个内置的电压钳位在输出端
感性瞬态保护。功率驱动器
应用包括继电器，螺线管等
低电流或中压负荷。
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
馈送一个8位D型存储移位寄存器
注册。同时通过移动数据传输，
存储寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器
时钟（ RCK ）表示。该器件转移
上的数据从串行输出（SER OUT）端口
SRCK上升边缘。存储寄存器
将数据传送到输出缓冲器时，移
寄存器清零（ CLR ）为高。当CLR为低电平时，
输入移位寄存器清零。当输出使能
（G）保持高电位，所有的数据在输出缓冲器是
保持为低电平，所有漏输出关闭。当G是
保持为低电平，从存储寄存器的数据
透明到输出缓冲器中。
表1.设备摘要
订购代码
STPIC6C595MTR
STPIC6C595TTR
包
SO- 16 （磁带和卷轴）
TSSOP16 （磁带和卷轴）
包装
每卷2500件
每卷2500件
当在输出缓冲器的数据为低电平时， DMOS
晶体管输出关闭。当数据为高时，
DMOS晶体管输出具有吸收电流
能力。该SER OUT允许级联
从移位的数据寄存器，以附加
设备。
输出的是低端，漏极开路DMOS
晶体管与33 V和100 mA的输出额定值
连续吸收电流能力。每路输出
提供在250 mA（最大值）电流限制
T
C
= 25°C 。电流限制降低为
结温增加额外的
设备的保护。该装置还提供了多达
ESD保护时使用的测试1.5KV
人体模型和150 V的机器模型。
该STPIC6C595的特点是操作
以上的工作温度范围
-40 ° C至125°C 。
2008年5月
转4
1/22
www.st.com
22
目录
STPIC6C595
目录
1
2
逻辑符号和引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
推荐的工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3.1
3.2
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
开关特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
4
5
6
7
8
逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
典型的工作电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
典型的性能和特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
2/22
最大额定值
STPIC6C595
2
最大额定值
强调以上等级的设备中的“绝对最大额定值”表中列出的可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值的唯一经营
器件在这些或以上的任何其他条件的经营部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
2.1
绝对最大额定值
表2.绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
DS
I
DS
I
DS
I
D
I
D
I
D
E
AS
I
AS
P
d
P
d
T
J
T
C
T
英镑
T
L
参数
逻辑电源电压（见
注1 ）
逻辑输入电压范围
功率DMOS漏源极电压（见
注2 ）
连续源极到漏极二极管的阳极电流
脉冲源极到漏极二极管的阳极电流
（见
注3 ）
脉冲漏极电流，每路输出，所有输出开
(T
C
= 25 °C)
连续电流，每路输出，所有输出开
(T
C
= 25 °C)
峰值漏极电流单输出
(T
C
= 25 ℃）（见
注3 ）
单脉冲雪崩能量
（见
图11
和
图12）
雪崩电流（见
注4
和
图17）
连续总功耗（T
C
≤
25 °C)
连续总功耗（T
C
= 125 °C)
经营虚拟结温范围
工作温度范围
存储温度范围
从案例10引线温度1.6毫米（ 1/16英寸）
秒
价值
7
-0.3 7
33
250
500
250
100
250
30
200
1087
217
-40到+150
-40到+125
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mJ
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
4/22
QQ：2880707522 复制
