STP9NK65Z
STP9NK65ZFP
N沟道650V - 1Ω - 7A TO- 220 / TO- 220FP
齐纳保护的超网功率MOSFET
目标数据
TYPE
STP9NK65Z
STP9NK65ZFP
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
650 V
650 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
7A
7A
Pw
110 W
30 W
典型
DS
（上） = 1.0
DV dt能力极高/
改进的ESD能力
100 ％额定雪崩
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
1
2
3
1
2
TO-220
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
订购信息
销售类型
STP9NK65Z
STP9NK65ZFP
记号
P9NK65Z
P9NK65ZFP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
2003年7月
1/7
STP9NK65 - STP9NK65ZFP
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
STP9NK65Z
价值
STP9NK65ZFP
单位
V
V
V
7 (*)
4.4 (*)
28 (*)
30
0.24
A
A
A
W
W / ℃，
KV
V / ns的
2500
V
°C
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
7
4.4
28
110
0.88
650
650
± 30
3500
待定
-55到150
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤TBD ，
的di / dt
≤TBD ，
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.14
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
7
待定
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从大门到烃源应用。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和成本
有效的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免了使用
的外部元件。
2/7
STP9NK65 - STP9NK65ZFP
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3 A
3
3.75
1.0
分钟。
650
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 325 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 520V ，我
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 325 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 520 V，I
D
= 6 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 35V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7
28
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/7
STP9NK65Z
STP9NK65ZFP
N沟道650 V - 1
- 6.4 A TO - 220 / TO- 220FP
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STP9NK65ZFP
STP9NK65Z
■
■
■
■
■
V
DSS
650 V
650 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
6.4 A
6.4 A
Pw
125 W
30 W
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
1
3
2
3
1
2
TO-220
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
表1中。
设备简介
记号
P9NK65ZFP
P9NK65Z
包
TO-220FP
TO-220
包装
管
管
订购代码
STP9NK65ZFP
STP9NK65Z
2007年12月
REV 3
1/15
www.st.com
15
目录
STP9NK65Z - STP9NK65ZFP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/15
STP9NK65Z - STP9NK65ZFP
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
6.4
4
25.6
125
1
4000
4.5
-
2500
-55到150
-55到150
650
± 30
6.4
(1)
4
(1)
25.6
(1)
30
0.24
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
单位
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
2.
3.
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5 KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
脉冲宽度有限的安全工作区
I
SD
≤
6.4 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
80%V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热数据
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
单位
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=50 V)
价值
6.4
200
单位
A
mJ
3/15
电气特性
STP9NK65Z - STP9NK65ZFP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
650
1
50
±10
3
3.75
1
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值， @ 125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
静态漏源
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.2 A
阻力
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
(2)
EQ 。
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 3.2 A
分钟。
典型值。
6
1145
130
28
55
41
7.5
22
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
GS
= 0, V
DS
= 0到400伏
V
DD
= 520 V，I
D
= 6.4 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
pF
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/15
STP9NK65Z - STP9NK65ZFP
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 325 V，I
D
= 3.2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见
图17）
V
DD
= 325 V，I
D
= 3.2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见
图17）
分钟。
典型值。
20
12
45
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6.4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6.4 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150 °C
（见
图19）
400
2600
13
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6.4
25.6
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表9 。
符号
门源稳压二极管
参数
测试条件
IGS = ± 1毫安
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
BV
GSO(1)
栅源击穿电压
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
5/15
QQ：2881677436 复制
