STP9NK60ZD - STF9NK60ZD
STB9NK60ZD
N沟道600V - 0.85Ω - 7A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
SuperFREDMesh MOSFET
高级数据
TYPE
STP9NK60ZD
STF9NK60ZD
STB9NK60ZD
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 0.95
< 0.95
< 0.95
I
D
7A
7A
7A
Pw
125 W
30 W
125 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.85
DV dt能力非常高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
低的固有电容
内部快速恢复二极管
TO-220
TO-220FP
3
1
描述
该SuperFREDMesh 系列同伙AD-所有
的vantages减小导通电阻，齐纳栅亲
tection和非常高的dv / dt能力与快速
体漏恢复二极管。这种系列完井
ments的“ FDmesh ”的先进技术。
应用
s
HID安定器
s
ZVS移相全桥
转换器
D
2
PAK
内部原理图
订购信息
销售类型
STP9NK60ZD
STF9NK60ZD
STB9NK60ZDT4
记号
P9NK60ZD
F9NK60ZD
B9NK60ZD
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2004年1月
1/12
STP9NK60ZD - STF9NK60ZD - STB9NK60ZD
绝对最大额定值
符号
参数
价值
TO- 220 / D
2
PAK
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
-55到150
7
4.3
28
125
1
4000
15
2500
600
600
± 30
7 (*)
4.3 (*)
28 (*)
30
0.24
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤7A,
的di / dt
≤500A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
= 25°C
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
D
2
PAK
RthJ -PCB
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
TO-220FP
单位
° C / W
30
1
62.5
300
4.16
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
7
235
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从大门到烃源应用。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和成本
有效的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免了使用
的外部元件。
2/12
STP9NK60ZD - STF9NK60ZD - STB9NK60ZD
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.5 A
2.5
3.5
0.85
分钟。
600
1
50
±10
4.5
0.95
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
等效输出电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 3.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5.3
1110
135
30
72
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 7 A,
V
GS
= 10V
分钟。
接通
典型值。
22
17
41
8.7
21
53
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 7 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
42
15
11
8
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7 A，V
GS
= 0
I
SD
= 7 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 7 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
150
663
8.5
194
935
9.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7
28
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STP9NK60ZD - STF9NK60ZD - STB9NK60ZD
安全工作区TO-220 / D2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/12
STP9NK60ZD - STF9NK60ZD - STB9NK60ZD
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
STB9NK60ZD
STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
N沟道600 V - 0.85
- 7 A -
2
PAK ， TO- 220FP ， TO- 220
SuperFREDMesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB9NK60ZD
STF9NK60ZD
STP9NK60ZD
■
■
■
■
■
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.95
< 0.95
< 0.95
I
D
7A
7A
7A
Pw
125 W
30 W
125 W
TO-220
3
1
1
2
3
3
1
2
TO-220FP
DV dt能力非常高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
低的固有电容
内部快速恢复二极管
图1 。
DPAK
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
该SuperFREDMesh 系列的所有同事
减小导通电阻，齐纳栅的优点
保护和非常高的dv / dt能力与
快速体漏恢复二极管。这种系列
补充了“ FDmesh ”先进
技术。
表1中。
设备简介
记号
B9NK60ZD
F9NK60ZD
P9NK60ZD
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
管
订购代码
STB9NK60ZD
STF9NK60ZD
STP9NK60ZD
2008年4月
转8
1/16
www.st.com
16
目录
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK/TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续的）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
7
4.3
28
125
1
4000
15
--
2500
600
± 30
7
(1)
4.3
(1)
28
(1)
30
0.24
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
单位
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
7 A， di / dt的
≤
500 A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK/TO-220
TO-220FP
--
4.16
62.5
300
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
单位
RthJ -PCB
30
1
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
7
235
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
600
1
50
±10
2.5
3.5
0.85
4.5
0.95
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 3.5 A
分钟。
典型值。
5.3
1110
135
30
72
41
8.7
21
53
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 480 V，I
D
= 7 A,
V
GS
= 10 V
（参见图17）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
D
S
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/16
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图16）
V
DD
= 480 V，I
D
= 7 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
11.4
13.6
23.1
15
11
8
20
最大单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7 A，V
GS
= 0
I
SD
= 7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V
（参见图21）
I
SD
= 7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ，T
j
= 150 °C
（参见图21）
130
550
8.4
176
880
10
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
7
28
1.6
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表9 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
民
30
典型值
最大单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
5/16
目录
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK/TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
7
4.3
28
125
1
4000
15
--
2500
600
± 30
7
(1)
4.3
(1)
28
(1)
30
0.24
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
单位
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
< 7A ， di / dt的< 500A / μs的，V
DD
=80%V
（ BR ） DSS
表2中。
热数据
TO-220/DPAK
TO-220FP
--
4.16
62.5
300
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
RthJ -PCB
30
1
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
最大值
7
235
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
分钟。
600
1
50
±10
2.5
3.5
0.85
4.5
0.95
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.5A
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 3.5A
分钟。
典型值。
5.3
1110
135
30
72
41
8.7
21
53
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 480V ，我
D
= 7A,
V
GS
= 10V
（参见图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
D
S
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/16
STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 3.5A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图15）
V
DD
= 480V ，我
D
= 7A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图15）
分钟。
典型值。
11.4
13.6
23.1
15
11
8
20
最大单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7A ，V
GS
= 0
I
SD
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 25°C
（参见图20）
I
SD
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
（参见图20）
130
663
8.3
113
935
10
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
7
28
1.6
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
民
30
典型值
最大单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
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