STD95N4F3
STP95N4F3
N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220
的STripFET III功率MOSFET
特点
TYPE
STD95N4F3
STP95N4F3
■
■
V
DSS
40 V
40 V
R
DS （ ON）
最大
< 5.8米
< 6.2毫欧
I
D
80 A
80 A
Pw
110 W
110 W
3
1
2
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
3
1
TO-220
DPAK
应用
■
切换应用程序
汽车
图1 。
内部原理图
描述
这的STripFET III功率MOSFET技术
中最新的改进，已
特别是针对减少通态电阻
提供出色的开关性能。
表1中。
设备简介
记号
95N4F3
95N4F3
包
DPAK
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
订购代码
STD95N4F3
STP95N4F3
2009年9月
文档ID 13288牧师3
1/14
www.st.com
14
目录
STD95N4F3 ， STP95N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
文档ID 13288牧师3
电气特性
STD95N4F3 ， STP95N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A的DPAK
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A的TO- 220
2
5.0
5.4
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
m
4
5.8
6.2
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V，I
D
=40 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20 V，I
D
= 80 A
V
GS
=10 V
图14
民
-
-
典型值。马克斯。单位
100
2200
580
40
40
11
8
54
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/14
文档ID 13288牧师3
STD95N4F3 ， STP95N4F3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图16
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图16
分钟。
典型值。
15
50
40
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A，V
GS
=0
I
SD
=80 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 30 V ， TJ = 150℃
图15
测试条件
分钟。
-
-
45
60
2.8
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 13288牧师3
5/14
STD95N4F3
STP95N4F3 - STU95N4F3
N沟道40V - 5.4mΩ - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STD95N4F3
STP95N4F3
STU95N4F3
■
■
V
DSS
40V
40V
40V
R
DS （ ON）
<6.5m
<6.5m
<6.5m
I
D
80A
80A
80A
Pw
110W
110W
110W
1
3
1
3
2
3
2
1
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
TO-220
IPAK
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程不太重要
调整步骤，因此显着
制造重复性。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特性和低栅极电荷
.
内部原理图
应用
■
开关应用
汽车
订购代码
产品型号
STD95N4F3
STP95N4F3
STU95N4F3
记号
95N4F3
95N4F3
95N4F3
包
DPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
管
2007年5月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
40
± 20
80
65
320
110
0.73
8
400
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 80 A ， di / dt的< 400A / μs的，V
DS
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
， TJ < TJMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 30V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj -A
热阻
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
62.5
--
300
IPAK
1.36
100
--
275
--
50
--
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板
3/14
电气特性
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
5.4
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
6.5
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
=40A
民
典型值。马克斯。单位
100
2200
580
40
40
11
8
54
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20V ，我
D
= 80A
V
GS
=10V
（参见图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/14
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 20V ，我
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图15）
V
DD
= 20V ，我
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图15）
分钟。
典型值。
15
50
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
40
15
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
=0
I
SD
=80A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 30V ， TJ = 150℃
（参见图14）
45
60
2.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/14
STD95N4F3
STP95N4F3 - STU95N4F3
N沟道40V - 5.4mΩ - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD95N4F3
STP95N4F3
STU95N4F3
■
■
V
DSS
40V
40V
40V
R
DS （ ON）
<6.5m
<6.5m
<6.5m
I
D
80A
80A
80A
Pw
110W
110W
110W
1
3
1
3
2
3
2
1
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
TO-220
IPAK
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程不太重要
调整步骤，因此显着
制造重复性。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特性和低栅极电荷
.
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD95N4F3
STP95N4F3
STU95N4F3
记号
95N4F3
95N4F3
95N4F3
包
DPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
管
2007年2月
REV 1
1/14
www.st.com
14
目录
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
40
± 20
80
65
320
110
0.73
8
400
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 80 A ， di / dt的< 400A / μs的，V
DS
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
， TJ < TJMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 30V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj -A
热阻
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
62.5
--
300
IPAK
1.36
100
--
275
--
50
--
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板
3/14
电气特性
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
5.4
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
6.5
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
=40A
民
典型值。马克斯。单位
100
2200
580
40
40
11
8
54
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20V ，我
D
= 80A
V
GS
=10V
（参见图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/14
STD95N4F3 - STP95N4F3 - STU95N4F3
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 20V ，我
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图15）
V
DD
= 20V ，我
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图15）
分钟。
典型值。
15
50
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
40
15
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
=0
I
SD
=80A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 30V ， TJ = 150℃
（参见图14）
45
60
2.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/14
QQ：2880707522 复制
