STB95N3LLH6 , STD95N3LLH6
STP95N3LLH6 , STU95N3LLH6
N沟道30 V , 0.0037
, 80 A,D
2
PAK , DPAK , IPAK , TO- 220
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
TYPE
STB95N3LLH6
STD95N3LLH6
STP95N3LLH6
STU95N3LLH6
■
■
■
■
V
DSS
30 V
30 V
30 V
30 V
R
DS ( ON)
最大
0.0042
0.0042
0.0042
0.0047
I
D
80 A
80 A
80 A
80 A
1
3
3
2
1
DPAK
IPAK
R
DS ( ON)
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
3
1
3
1
2
DPAK
TO-220
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
D( TAB或2 )
描述
本产品采用了第六代的设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则,
用新的门structure.The所得功率
MOSFET表现出低R
DS ( ON)
所有
包。
G(1)
S(3)
AM01474v1
表1中。
设备简介
订购代码
记号
95N3LLH6
95N3LLH6
95N3LLH6
95N3LLH6
包
DPAK
DPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
STB95N3LLH6
STD95N3LLH6
STP95N3LLH6
STU95N3LLH6
2009年11月
文档ID 15228牧师3
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www.st.com
18
目录
STx95N3LLH6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
.............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
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文档ID 15228牧师3
STx95N3LLH6
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开启/关闭(感性负载)
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
= 40 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 5 V
图12
V
DD
= 15 V,I
D
= 40 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 5 V
图12
分钟。
典型值。
19
91
24.5
23.4
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 40 A,V
GS
= 0
I
SD
= 80 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 24 V
图14
测试条件
分钟。
-
-
28.6
22.8
1.6
典型值。
马克斯。
80
320
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
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