【P沟道增强型MOSFET-6.8A描述该STP9547是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度，】,IC型号STP9547S8RG,STP9547S8RG PDF资料,STP9547S8RG经销商,ic,电子元器件-51电子网

P沟道增强型MOSFET

6.8A

描述

该STP9547是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

采用高密度， DMOS沟槽技术生产。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝

手机和笔记本电脑的电源管理和其他面糊动力

电路中的高侧开关。

引脚配置

SOP-8

特征

-40V / -5.6A ，R

DS （ ON）

= 55mΩ

= -10V

-40V / -5.2A ，R

DS （ ON）

= 80mΩ

= -4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOP- 8封装设计

STP9547

最热

SOP-8

订购信息

产品型号

STP9547S8RG

STP9547S8TG

包

SOP-8P

最热

STP9547

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过程代码： AZ ; AZ

※

STP9547S8RG S8 ： SOP- 8 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费

※

STP9547S8TG S8 ： SOP- 8 ; T：管; G：铅 - 免费

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P沟道增强型MOSFET

6.8A

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

(TJ=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

TA=25℃

TA=70

℃

TA=25℃

TA=70

℃

符号

VDSS

VGSS

IDM

TSTG

RΘJA

典型

-40

±20

-6.8

-5.2

-30

-2.3

2.5

1.6

150

-55/150

单位

℃

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电气特性

（ TA = 25 ° ，除非另有说明）

参数

符号

条件

民

典型值

最大

单位

STATIC

漏源

击穿电压

栅极阈值

电压

栅极漏电流

零栅极电压

漏电流

导通状态漏极

当前

漏源开 -

阻力

前锋

跨

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向

TransferCapacitance

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

==-15V,VGS=0V

f=1MHz

=-15V,V

=-10V

≡-3.5A

2.3

4.5

680

120

=-15V,R

=15Ω

=-1A,V

根

=-10V

=6Ω

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

=0V,ID=-250uA

ID = -

250uA

=0V,V

=±20V

=-24V,V

=0V

=-24V,V

=0V

=85℃

=-5V,V

=-4.5V

=-10V,I

=-5.6A

=-4.5V,I

=-5.2A

=-15V,I

=-5.6V

=-2.3A,V

=0V

-10

-0.8

-1.2

-40

-1.0

-3.0

±100

-1

-5

mΩ

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