STP8NK85Z
STF8NK85Z
N沟道850V - 1.1Ω - 6.7A - TO- 220 / TO- 220FP
齐纳 - 保护超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP8NK85Z
STF8NK85Z
■
■
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
850 V
850 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.4
＆ LT ; 1.4
I
D
6.7 A
6.7 A
DV dt能力极高/
3
100 ％ avalange测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
TO-220
1
2
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP8NK85Z
STF8NK85Z
记号
P8NK85Z
F8NK85Z
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
2006年10月
第5版
1/15
www.st.com
15
目录
STP8NK85Z - STF8NK85Z
目录
1
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
的栅极 - 源极的齐纳二极管的保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STP8NK85Z - STF8NK85Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
TO-220
价值
TO-220FP
850
± 30
6.7
4.3
26.7
150
1.20
4000
4.5
-
2500
6.7
(1)
4.3
(1)
26.7
(1)
35
0.28
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（ T = 1秒; TC = 25 ° C）
最大工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
6.7 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表2中。
符号
热数据
参数
TO-220
价值
TO-220FP
3.6
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.83
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
6.7
350
单位
A
mJ
3/15
电气额定值
表4 。
符号
BV
GSO
STP8NK85Z - STF8NK85Z
门源稳压二极管
参数
测试条件
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅源击穿电压的Ig = ± 1毫安（漏极开路）
1.1
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
4/15
STP8NK85Z - STF8NK85Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.35 A
3
3.75
1.1
分钟。
850
1
50
± 10
4.5
1.4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （2）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
r
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.35 A
分钟。
典型值。
6
1870
190
44
75
26
19
58
18
12
10
24
60
12
35
84
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
输出电容
V =0
反向传输电容
GS
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=0V, V
DS
= 0V至680V
V
DD
= 425 V，I
D
= 3.35 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
V
DD
= 680 V，I
D
= 6.7 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
V
DD
= 680 V，I
D
= 6.7 A,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
5/15
STP8NK85Z
STF8NK85Z
N沟道850V -1.1Ω - 6.7A TO- 220 / TO- 220FP
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STP8NK85Z
STF8NK85Z
s
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
I
D
6.7A
6.7A
Pw
150 W
35 W
V
DSS
850 V
850 V
R
DS （ ON）
<1.4
<1.4
典型
DS
（上） = 1.1Ω
DV dt能力极高/
改进的ESD能力
100 ％额定雪崩
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
1
2
TO-220
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线使用的电源
s
SMPS
图2 ：内部原理图
表2 ：订购代码
销售类型
STP8NK85Z
STF8NK85Z
记号
P8NK85Z
F8NK85Z
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
启5
2005年9月
1/12
STP8NK85Z - STF8NK85Z
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
TO-220
价值
TO-220FP
单位
V
V
V
6.7 (*)
4.3 (*)
26.7 (*)
35
0.28
A
A
A
W
W / ℃，
KV
V / ns的
2500
V
°C
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
6.7
4.3
26.7
150
1.20
850
850
± 30
4000
4.5
-55到150
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤6.7A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
=
80% V
（ BR ） DSS
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.83
62.5
300
TO-220FP
3.6
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
6.7
350
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅极 - 源
击穿电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP8NK85Z - STF8NK85Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.35 A
3
3.75
1.1
分钟。
850
1
50
±10
4.5
1.4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 3.35 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
6
1870
190
44
75
26
19
58
18
12
10
24
60
12
35
84
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至680V
V
DD
= 425 V，I
D
= 3.35 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 680 V，I
D
= 6.7 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图20）
V
DD
= 680V ，我
D
= 6.7 A,
V
GS
= 10V
（参见图22）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6.7 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6.7 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 35V ，T
j
= 25°C
（参见图20）
I
SD
= 6.7 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 35V ，T
j
= 150°C
（参见图20）
530
4.5
17
690
6.4
17
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6.7
26.7
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
QQ：2880707522 复制
