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STP85NF3LL
STB85NF3LL-1
N沟道30V - 0.006Ω - 85A TO- 220 / I
2
PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STP85NF3LL
STB85NF3LL-1
s
s
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
< 0.008
< 0.008
I
D
85 A
85 A
典型
DS
（上） = 0.0075
(@4.5V)
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
1
3
2
3
12
I
2
PAK
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
意法半导体第三genaration独特的“
单一的功能尺寸“带为基础的进程。在重
质保的义务晶体管显示之间的最佳平衡点
导通电阻和栅极电荷。当用作
高，低侧降压稳压器，它给人的
在两个传导方面的最佳性能和
开关损耗。这是极其重要的
其中，主板快速开关和高艾菲
效率是非常重要的。
TO-220
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
± 15
85
60
340
110
0.73
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2001年3月
1/9
STP85NF3LL/STB85NF3LL-1
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.36
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 15V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40 A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 40 A
分钟。
1
0.006
0.0075
0.008
0.0095
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 40 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
30
2210
635
138
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP85NF3LL/STB85NF3LL-1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 24V ，我
D
= 60A,
V
GS
= 4.5V
分钟。
典型值。
22
130
30
9
12.5
40
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
VCLAMP = 24V ，我
D
=30A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
36.5
36.5
32
23
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 85A ，V
GS
= 0
I
SD
= 85A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
65
105
3.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
85
340
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STP85NF3LL/STB85NF3LL-1
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STP85NF3LL/STB85NF3LL-1
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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    STP85NF3LL
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