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STP80NF10
STP80NF10FP
N沟道100V - 0.012Ω - 80A TO- 220 / TO- 220FP
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP80NF10
STP80NF10FP
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.015
< 0.015
I
D
80 A
38 A
典型
DS
（上） = 0.012Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
TO-220FP
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
E
AS
(2)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
内部原理图
价值
STP80NF10
STP80NF10FP
100
100
±20
80
66
320
300
2
9
360
-
- 55 175
(1) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 80A ，V
DD
= 50V
单位
V
V
V
38
27
152
45
0.3
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
2500
V
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
（ * ）有限公司按封装
2002年9月
1/9
STP80NF10/STP80NF10FP
热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.5
62.5
300
TO-220FP
3.33
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
100
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40 A
分钟。
2
典型值。
3
0.012
马克斯。
4
0.015
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
=25V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
80
4300
600
230
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP80NF10/STP80NF10FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 80V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
40
145
140
23
51
189
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
134
115
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
155
0.85
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP80NF10/STP80NF10FP
对于TO- 220热阻抗
对于TO- 220FP热阻抗
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STP80NF10/STP80NF10FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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